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Produits semi-conduurs discrètes (6315)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Technologie	Power - Max	Structure	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Vitre	Taper fet	Courant - Hold (IH) (Max)	Condition de test	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Tension - Hors de l'ÉTAT	COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max)	Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max)	COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM)	Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max)	COURANT - À L'ÉTAT (IT (AV)) (Max)	Tension - DC inverse (VR) (max)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Nombre de Scr, Diodes	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C
IXTH3N200P3HV	32.8000	RFQ	5394	Ixys	P3 ™ Polaire	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Ixth3		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 247 (ixth)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	-Ixth3N200P3HV	EAR99	8541.29.0095	30			Canal n			2000 V	3A (TC)	10V	8ohm @ 1,5a, 10v	5V @ 250µA	70 NC @ 10 V	± 20V	1860 PF @ 25 V	-	520W (TC)
VMM90-09F	-	RFQ	3411	Ixys	HiperFet ™	Boîte	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Y3-li	VMM90		MOSFET (Oxyde Métallique)	-		Y3-li	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2	2 Canaux N (double)					900 V	85a		76MOHM @ 65A, 10V	5V @ 30mA	960nc @ 10v		-	-
Ixtc26n50p	-	RFQ	1730	Ixys	PolarHV ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	ISOPLUS220 ™	Ixtc26		MOSFET (Oxyde Métallique)			ISOPLUS220 ™	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n			500 V	15A (TC)	10V	260MOHM @ 13A, 10V	5,5 V @ 250µA	65 NC @ 10 V	± 30V	3600 pf @ 25 V	-	130W (TC)
IXTH14N100	-	RFQ	8558	Ixys	Mégamos ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Ixth14		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 247 (ixth)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30			Canal n			1000 V	14A (TC)	10V	820mohm @ 500mA, 10V	4,5 V @ 250µA	195 NC @ 10 V	± 20V	5650 pf @ 25 V	-	360W (TC)
IXFR30N60P	11.3953	RFQ	9552	Ixys	Hiperfet ™, Polaire	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Ixfr30		MOSFET (Oxyde Métallique)			Isoplus247 ™	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30			Canal n			600 V	15A (TC)	10V	250 mohm @ 15a, 10v	5V @ 4mA	85 NC @ 10 V	± 30V	3820 pf @ 25 V	-	166W (TC)
IXFH30N60X	8.4800	RFQ	142	Ixys	Hiperfet ™, Ultra x	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Ixfh30		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 247	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30			Canal n			600 V	30a (TC)	10V	155MOHM @ 15A, 10V	4,5 V @ 4mA	56 NC @ 10 V	± 30V	2270 pf @ 25 V	-	500W (TC)
Ixta1r6n100d2hv	4.7600	RFQ	189	Ixys	Épuisement	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Ixta1		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 263HV	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n			1000 V	1.6A (TJ)	0v	10OHM @ 800mA, 0V	4,5 V @ 100µA	27 NC @ 5 V	± 20V	645 PF @ 10 V	Mode d'Épuiment	100W (TC)
IXTA180N10T7	5.2764	RFQ	7566	Ixys	Tranché	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-7, d²pak (6 leads + onglet)	Ixta180		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 263-7 (ixta)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n			100 V	180a (TC)	10V	6,4MOHM @ 25A, 10V	4,5 V @ 250µA	151 NC @ 10 V	± 30V	6900 pf @ 25 V	-	480W (TC)
Uge1112ay4	78.1400	RFQ	97	Ixys	-	Boîte	Actif		Soutenir de châssis	Uge	Uge1112		Standard			Uge	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	6		Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)																				8000 V	6,25 V @ 7 A		1 ma @ 8000 V	4.2a	-
Gwm100-01x1-sl	-	RFQ	4794	Ixys	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	17 mm, plombes plombes	GWM100		MOSFET (Oxyde Métallique)	-		Isoplus-Dil ™	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	28	6 Canaux N (phases Pont 3)					100V	90a		8,5 mohm @ 80a, 10v	4,5 V @ 250µA	90nc @ 10v		-	-
IXFD28N50Q-72	-	RFQ	9227	Ixys	-	En gros	Obsolète				IXFD28N50Q						-		1 (illimité)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	1							-
IXFR120N20	17.4437	RFQ	9374	Ixys	HiperFet ™	Tube	Pas de designs les nouveaux	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Ixfr120		MOSFET (Oxyde Métallique)			Isoplus247 ™	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté	IXFR120N20-NDR	EAR99	8541.29.0095	30			Canal n			200 V	105A (TC)	10V	17MOHM @ 60A, 10V	4V @ 8mA	360 NC @ 10 V	± 20V	9100 pf @ 25 V	-	417W (TC)
Ixtx5n250	127.2600	RFQ	16	Ixys	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	Variante à 247-3	Ixtx5		MOSFET (Oxyde Métallique)			Plus247 ™ -3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30			Canal n			2500 V	5A (TC)	10V	8.8OHM @ 2,5A, 10V	5V @ 1MA	200 NC @ 10 V	± 30V	8560 pf @ 25 V	-	960W (TC)
Ixtp96p085t	6.3300	RFQ	9	Ixys	TRENCHP ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Ixtp96		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal p			85 V	96a (TC)	10V	13MOHM @ 48A, 10V	4V @ 250µA	180 NC @ 10 V	± 15V	13100 pf @ 25 V	-	298W (TC)
IXTA260N055T2-7	5.6088	RFQ	3940	Ixys	Trencht2 ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-7, d²pak (6 leads + onglet)	Ixta260		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 263-7 (ixta)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n			55 V	260A (TC)	10V	3,3MOHM @ 50A, 10V	4V @ 250µA	140 NC @ 10 V	± 20V	10800 pf @ 25 V	-	480W (TC)
IXST30N60C	-	RFQ	8913	Ixys	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa	Ixst30	Standard		200 W		À 268aa	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30					480v, 30a, 4,7 ohms, 15v																								Pt	600 V	55 A	110 A	2,5 V @ 15V, 30A	700 µJ (off)	100 NC	30ns / 90ns
IXFB80N50Q2	26.3288	RFQ	1432	Ixys	HiperFet ™, CLASSE Q2	Tube	Pas de designs les nouveaux	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 264-3, à 264aa	Ixfb80		MOSFET (Oxyde Métallique)			Plus264 ™	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	25			Canal n			500 V	80A (TC)	10V	60 Mohm @ 500mA, 10V	5,5 V @ 8mA	250 NC @ 10 V	± 30V	15000 pf @ 25 V	-	960W (TC)
Ixtp74n15t	-	RFQ	3849	Ixys	Tranché	Tube	Actif	-	Par le trou	À 220-3	Ixtp74		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220-3	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n			150 V	74a (TC)		-	-				-	-
Ixtt50p10	10.0070	RFQ	1165	Ixys	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa	Ixtt50		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 268aa	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30			Canal p			100 V	50A (TC)	10V	55MOHM @ 25A, 10V	5V @ 250µA	140 NC @ 10 V	± 20V	4350 pf @ 25 V	-	300W (TC)
IXFK24N90Q	-	RFQ	6780	Ixys	HiperFet ™, Q CLASSE	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 264-3, à 264aa	Ixfk24		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 264aa (ixfk)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	25			Canal n			900 V	24a (TC)	10V	450mohm @ 500mA, 10V	4,5 V @ 4mA	170 NC @ 10 V	± 20V	5900 pf @ 25 V	-	500W (TC)
MLO36-16IO1	-	RFQ	8940	Ixys	-	Boîte	Obsolète	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	MLO				Contrôleur 1 phase - SCR / Diode		télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.30.0080	10				100 mA												1,6 kV	28 A	1 V	360a, 390a	65 Ma	18 a							1 SCR, 1 Diode
Ixtp3n120	8.4500	RFQ	12	Ixys	HiperFet ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Ixtp3		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté	Ixtp3n120-ndr	EAR99	8541.29.0095	50			Canal n			1200 V	3A (TC)	10V	4,5 ohm @ 500mA, 10V	5V @ 250µA	42 NC @ 10 V	± 20V	1350 pf @ 25 V	-	200W (TC)
IXFH26N50	8.5883	RFQ	4838	Ixys	HiperFet ™	Tube	Pas de designs les nouveaux	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Ixfh26		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 247ad (ixfh)	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté	IXFH26N50-NDR	EAR99	8541.29.0095	30			Canal n			500 V	26A (TC)	10V	200 mohm @ 13a, 10v	4V @ 4mA	160 NC @ 10 V	± 20V	4200 PF @ 25 V	-	300W (TC)
Ixfl100n50p	34.2800	RFQ	7335	Ixys	Hiperfet ™, Polaire	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 264-3, à 264aa	Ixfl100		MOSFET (Oxyde Métallique)			Isoplus264 ™	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	25			Canal n			500 V	70A (TC)	10V	52MOHM @ 50A, 10V	5V @ 8mA	240 NC @ 10 V	± 30V	20000 pf @ 25 V	-	625W (TC)
Ixta3n60p	-	RFQ	8011	Ixys	PolarHV ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Ixta3		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 263aa	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n			600 V	3A (TC)	10V	2,9 ohm @ 500mA, 10V	5,5 V @ 50µA	9.8 NC @ 10 V	± 30V	411 PF @ 25 V	-	70W (TC)
Ixtp2n100p	3 5600	RFQ	160	Ixys	Polaire	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Ixtp2		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	-IXTP2N100P	EAR99	8541.29.0095	50			Canal n			1000 V	2A (TC)	10V	7,5 ohm @ 500mA, 10V	4,5 V @ 100µA	24.3 NC @ 10 V	± 20V	655 pf @ 25 V	-	86W (TC)
Ixgk50n60bd1	-	RFQ	4734	Ixys	Hiperfast ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 264-3, à 264aa	Ixgk50	Standard		300 W		À 264 (ixgk)	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	25					480v, 50a, 2,7 ohms, 15v																			50 ns					-	600 V	75 A	200 A	2.3V @ 15V, 50A	1,5 MJ (off)	110 NC	50ns / 200ns
IXTH130N15T	-	RFQ	3483	Ixys	Tranché	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Ixth130		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 247 (ixth)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30			Canal n			150 V	130a (TC)	10V	12MOHM @ 65A, 10V	4,5 V @ 1MA	113 NC @ 10 V	± 30V	9800 pf @ 25 V	-	750W (TC)
VWO80-14IO7	-	RFQ	4796	Ixys	-	Boîte	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	VWO80				Contrôleur 3 Phases - Tous Les Scr		télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.30.0080	10				150 mA												1,4 kV	59 A	1 V	1000A, 1100A	100 mA	37 A							6 SCR
Ixtx1r4n450hv	71.7900	RFQ	118	Ixys	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	Variante à 247-3	Ixtx1		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 247plus-hv	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	-IXTX1R4N450HV	EAR99	8541.29.0095	30			Canal n			4500 V	1.4A (TC)	10V	40 ohm @ 50mA, 10V	6V @ 250µA	88 NC @ 10 V	± 20V	3300 pf @ 25 V	-	960W (TC)