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Produits semi-conduurs discrètes (6315)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Technologie	Power - Max	Structure	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Vitre	Taper fet	Courant - Hold (IH) (Max)	Condition de test	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Tension - Hors de l'ÉTAT	COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max)	Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max)	COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM)	Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max)	Tension - À l'ÉTAT (VTM) (Max)	COURANT - À L'ÉTAT (IT (AV)) (Max)	COURANT - OFF L'ÉTAT (MAX)	Type Scr	Configuration de diode	Tension - DC inverse (VR) (max)	COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Nombre de Scr, Diodes	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C
IXFB80N50Q2	26.3288	RFQ	1432	Ixys	HiperFet ™, CLASSE Q2	Tube	Pas de designs les nouveaux	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 264-3, à 264aa	Ixfb80		MOSFET (Oxyde Métallique)			Plus264 ™	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	25			Canal n			500 V	80A (TC)	10V	60 Mohm @ 500mA, 10V	5,5 V @ 8mA	250 NC @ 10 V	± 30V	15000 pf @ 25 V	-	960W (TC)
Ixtp74n15t	-	RFQ	3849	Ixys	Tranché	Tube	Actif	-	Par le trou	À 220-3	Ixtp74		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220-3	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n			150 V	74a (TC)		-	-				-	-
Ixtt50p10	10.0070	RFQ	1165	Ixys	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa	Ixtt50		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 268aa	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30			Canal p			100 V	50A (TC)	10V	55MOHM @ 25A, 10V	5V @ 250µA	140 NC @ 10 V	± 20V	4350 pf @ 25 V	-	300W (TC)
IXFK24N90Q	-	RFQ	6780	Ixys	HiperFet ™, Q CLASSE	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 264-3, à 264aa	Ixfk24		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 264aa (ixfk)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	25			Canal n			900 V	24a (TC)	10V	450mohm @ 500mA, 10V	4,5 V @ 4mA	170 NC @ 10 V	± 20V	5900 pf @ 25 V	-	500W (TC)
MLO36-16IO1	-	RFQ	8940	Ixys	-	Boîte	Obsolète	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	MLO				Contrôleur 1 phase - SCR / Diode		télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.30.0080	10				100 mA												1,6 kV	28 A	1 V	360a, 390a	65 Ma		18 a												1 SCR, 1 Diode
MDD142-14N1	54.6267	RFQ	2450	Ixys	-	Boîte	Actif		Soutenir de châssis	Y4-M6	MDD142		Standard			Y4-M6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	6		Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)																							Connexion de la Séririe 1 paire	1400 V	165a	1,3 V @ 300 A		20 mA @ 1400 V	-40 ° C ~ 150 ° C
Ixtp3n120	8.4500	RFQ	12	Ixys	HiperFet ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Ixtp3		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté	Ixtp3n120-ndr	EAR99	8541.29.0095	50			Canal n			1200 V	3A (TC)	10V	4,5 ohm @ 500mA, 10V	5V @ 250µA	42 NC @ 10 V	± 20V	1350 pf @ 25 V	-	200W (TC)
IXFH26N50	8.5883	RFQ	4838	Ixys	HiperFet ™	Tube	Pas de designs les nouveaux	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Ixfh26		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 247ad (ixfh)	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté	IXFH26N50-NDR	EAR99	8541.29.0095	30			Canal n			500 V	26A (TC)	10V	200 mohm @ 13a, 10v	4V @ 4mA	160 NC @ 10 V	± 20V	4200 PF @ 25 V	-	300W (TC)
Ixfl100n50p	34.2800	RFQ	7335	Ixys	Hiperfet ™, Polaire	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 264-3, à 264aa	Ixfl100		MOSFET (Oxyde Métallique)			Isoplus264 ™	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	25			Canal n			500 V	70A (TC)	10V	52MOHM @ 50A, 10V	5V @ 8mA	240 NC @ 10 V	± 30V	20000 pf @ 25 V	-	625W (TC)
Ixta3n60p	-	RFQ	8011	Ixys	PolarHV ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Ixta3		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 263aa	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n			600 V	3A (TC)	10V	2,9 ohm @ 500mA, 10V	5,5 V @ 50µA	9.8 NC @ 10 V	± 30V	411 PF @ 25 V	-	70W (TC)
Ixtp2n100p	3 5600	RFQ	160	Ixys	Polaire	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Ixtp2		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	-IXTP2N100P	EAR99	8541.29.0095	50			Canal n			1000 V	2A (TC)	10V	7,5 ohm @ 500mA, 10V	4,5 V @ 100µA	24.3 NC @ 10 V	± 20V	655 pf @ 25 V	-	86W (TC)
Ixgk50n60bd1	-	RFQ	4734	Ixys	Hiperfast ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 264-3, à 264aa	Ixgk50	Standard		300 W		À 264 (ixgk)	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	25					480v, 50a, 2,7 ohms, 15v																								50 ns						-	600 V	75 A	200 A	2.3V @ 15V, 50A	1,5 MJ (off)	110 NC	50ns / 200ns
IXTH130N15T	-	RFQ	3483	Ixys	Tranché	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Ixth130		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 247 (ixth)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30			Canal n			150 V	130a (TC)	10V	12MOHM @ 65A, 10V	4,5 V @ 1MA	113 NC @ 10 V	± 30V	9800 pf @ 25 V	-	750W (TC)
VWO80-14IO7	-	RFQ	4796	Ixys	-	Boîte	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	VWO80				Contrôleur 3 Phases - Tous Les Scr		télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.30.0080	10				150 mA												1,4 kV	59 A	1 V	1000A, 1100A	100 mA		37 A												6 SCR
Ixtx1r4n450hv	71.7900	RFQ	118	Ixys	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	Variante à 247-3	Ixtx1		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 247plus-hv	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	-IXTX1R4N450HV	EAR99	8541.29.0095	30			Canal n			4500 V	1.4A (TC)	10V	40 ohm @ 50mA, 10V	6V @ 250µA	88 NC @ 10 V	± 20V	3300 pf @ 25 V	-	960W (TC)
Ixtp32n20t	-	RFQ	7247	Ixys	Tranché	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Ixtp32		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n			200 V	32A (TC)	10V	72MOHM @ 16A, 10V	4,5 V @ 250µA	38 NC @ 10 V	± 20V	1760 pf @ 25 V	-	200W (TC)
Ixta08n120p	4.1400	RFQ	64	Ixys	Polaire	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Ixta08		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 263aa	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n			1200 V	800mA (TC)	10V	25OHM @ 500mA, 10V	4,5 V @ 50µA	14 NC @ 10 V	± 20V	333 PF @ 25 V	-	50W (TC)
GMM3X120-0075X2-SMDSAM	-	RFQ	9593	Ixys	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	24 mm, Aile de Mouette	Gmm3x120		MOSFET (Oxyde Métallique)	-		24 mm	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	6 Canaux N (phases Pont 3)					75V	110a		-	4V @ 1MA	115nc @ 10v		-	-
CLA50E1200TC-tub	7.5743	RFQ	9481	Ixys	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C	Support de surface	À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa	CLA50					À 268aa	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.30.0080	30				75 Ma												1,2 kV	80 A	1,5 V	550a, 590a	50 mA	1,6 V	50 a	50 µA	Norme de rénovation
IXFA14N60P3	-	RFQ	5465	Ixys	HiperFet ™, Polar3 ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Ixfa14		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 263aa (ixfa)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	-IXFA14N60P3	EAR99	8541.29.0095	50			Canal n			600 V	14A (TC)	10V	540MOHM @ 7A, 10V	5V @ 1MA	25 NC @ 10 V	± 30V	1480 pf @ 25 V	-	327W (TC)
Ixtp86n20x4	11.8200	RFQ	565	Ixys	Ultra x4	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Ixtp86		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	238-IXTP86N20X4	EAR99	8541.29.0095	50			Canal n			200 V	86a (TC)	10V	13MOHM @ 43A, 10V	4,5 V @ 250µA	70 NC @ 10 V	± 20V	2250 pf @ 25 V	-	300W (TC)
Dss6-0025bs-tub	-	RFQ	7895	Ixys	-	Tube	Abandonné à sic		Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Dss6		Schottky			À 252aa	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	238-DSS6-0025BS-TUB	EAR99	8541.10.0080	70		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																								25 V		400 mV @ 6 A		5 ma @ 25 V	-55 ° C ~ 150 ° C	6A	639pf @ 5v, 1MHz
MCO75-12IO1	28.8230	RFQ	5860	Ixys	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	MCO75				Célibataire		télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.30.0080	10				200 mA												1,2 kV	121 A	1,5 V	1070a, 1150a	100 mA		77 A												1 SCR
Ixfa7n100p-trl	4.1923	RFQ	8879	Ixys	Hiperfet ™, Polaire	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	IXFA7N100		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 263 (d2pak)	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	238-IXFA7N100P-TLTR	EAR99	8541.29.0095	800			Canal n			1000 V	7a (TC)	10V	1,9 ohm @ 3,5a, 10v	6v @ 1MA	47 NC @ 10 V	± 30V	2590 pf @ 25 V	-	300W (TC)
IXTH130N20T	9.3800	RFQ	7131	Ixys	Tranché	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Ixth130		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 247 (ixth)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30			Canal n			200 V	130a (TC)	10V	16MOHM @ 500mA, 10V	5V @ 1MA	150 NC @ 10 V	± 20V	8800 pf @ 25 V	-	830W (TC)
Ixyp10n65c3	-	RFQ	5676	Ixys	GenX3 ™, XPT ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Ixyp10	Standard		160 W		À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50					400 V, 10A, 50OHM, 15V																														Pt	650 V	30 A	54 A	2,5 V @ 15V, 10A	240 µJ (ON), 110µJ (OFF)	18 NC	20ns / 77ns
IXFR24N50	-	RFQ	3349	Ixys	HiperFet ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Ixfr24		MOSFET (Oxyde Métallique)			Isoplus247 ™	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30			Canal n			500 V	24a (TC)	10V	230MOHM @ 12A, 10V	4V @ 4mA	160 NC @ 10 V	± 20V	4200 PF @ 25 V	-	250W (TC)
Dpf60im400hb	5.0100	RFQ	9441	Ixys	Hiperfred ™	Tube	Actif		Par le trou	À 247-3	DPF60IM400		Standard			À 247ad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	30		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																								400 V		1,27 V @ 60 A	60 ns	1 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 175 ° C	60A	-
MMIX1F420N10T	50 6500	RFQ	7133	Ixys	Gigamos ™, HiperFet ™, Trencht2 ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	24 Powersmd, 21 pistes	MMIX1F420		MOSFET (Oxyde Métallique)			24-SMPD	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	20			Canal n			100 V	334a (TC)	10V	2,6MOHM @ 60A, 10V	5V @ 8mA	670 NC @ 10 V	± 20V	4700 PF @ 10 V	-	680W (TC)
Ixta2n80	-	RFQ	5922	Ixys	-	Boîte	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Ixta2		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 263aa	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n			800 V	2A (TC)	10V	6,2 ohm @ 500mA, 10v	5,5 V @ 250µA	22 NC @ 10 V	± 20V	440 PF @ 25 V	-	54W (TC)