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Produits semi-conduurs discrètes (6315)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Technologie Power - Max Structure Saisir Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Vitre Taper fet Courant - Hold (IH) (Max) Condition de test Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Tension - Hors de l'ÉTAT COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max) COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM) Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max) Tension - À l'ÉTAT (VTM) (Max) COURANT - À L'ÉTAT (IT (AV)) (Max) COURANT - OFF L'ÉTAT (MAX) Type Scr Configuration de diode Tension - DC inverse (VR) (max) COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) Tension - en Avant (vf) (max) @ si Temps de réménage inversé (TRR) Courant - FUITE INVERSEE @ VR Température de FonctionNement - Jonction Current - Rectifié Moyen (IO) Capacité @ vr, f Nombre de Scr, Diodes Type igbt Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Commutation d'Énergie Charge de Porte TD (On / Off) à 25 ° C Type de diode Tension - Pic inverse (max) COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Thermistance NTC Capacité d'entrée (cies) @ vce
IXFH10N90 IXYS IXFH10N90 -
RFQ
 ECAD 4630 0,00000000 Ixys HiperFet ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixfh10 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247ad (ixfh) télécharger Non applicable Atteindre non affecté IXFH10N90-NDR EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 900 V 10A (TC) 10V 1,1 ohm @ 5a, 10v 4,5 V @ 4mA 155 NC @ 10 V ± 20V 4200 PF @ 25 V - 300W (TC)
DSEP40-03AS-TRL IXYS Dsep40-03as-trl 4.1400
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Ixys Hiperfred ™ Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Dsep40 Standard À 263aa télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 800 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 300 V 1 44 V @ 40 A 35 ns 1 µA @ 300 V -55 ° C ~ 175 ° C 40a 50pf @ 150v, 1MHz
IXTP110N12T2 IXYS Ixtp110n12t2 -
RFQ
 ECAD 5753 0,00000000 Ixys Trencht2 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Ixtp110 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 120 V 110a (TC) 10V 14MOHM @ 55A, 10V 4,5 V @ 250µA 120 NC @ 10 V ± 20V 6570 pf @ 25 V - 517W (TC)
DPF30I600AHA IXYS DPF30I600AHA 4.1980
RFQ
 ECAD 8067 0,00000000 Ixys - Tube Actif - - DPF30 - - - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-dpf30i600aha 30 - - - -
W3477MC400 IXYS W3477MC400 -
RFQ
 ECAD 6568 0,00000000 Ixys - Boîte Abandonné à sic De serrer DO-200AC, K-PUK W3477 Standard W54 - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 238-W3477MC400 EAR99 8541.10.0080 12 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 4000 V 1,34 V @ 3000 A 38 µs 100 mA @ 4000 V -40 ° C ~ 160 ° C 3470A -
IXTY02N120P IXYS Ixty02n120p 2.4400
RFQ
 ECAD 22 0,00000000 Ixys Polaire Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Ixty02 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 70 Canal n 1200 V 200mA (TC) 10V 75OHM @ 500mA, 10V 4V @ 100µA 4.7 NC @ 10 V ± 20V 104 PF @ 25 V - 33W (TC)
DSA30C150PB IXYS DSA30C150PB -
RFQ
 ECAD 1364 0,00000000 Ixys - Tube Abandonné à sic Par le trou À 220-3 DSA30C150 Schottky À 220-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 50 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 150 V 15A 890 MV @ 15 A 500 µA à 150 V -55 ° C ~ 175 ° C
IXFH150N20T IXYS IXFH150N20T 19.7900
RFQ
 ECAD 30 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Tranché Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 IXFH150 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247ad (ixfh) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 200 V 150a (TC) 10V 15MOHM @ 75A, 10V 5V @ 4mA 177 NC @ 10 V ± 20V 11700 pf @ 25 V - 890W (TC)
VBO78-14NO7 IXYS VBO78-14NO7 -
RFQ
 ECAD 3050 0,00000000 Ixys - Boîte Actif -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis Eco-Pac2 VBO78 Standard Eco-Pac2 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 25 1,6 V @ 150 A 500 µA à 1400 V 78 A Monophasé 1,4 kV
IXFR70N15 IXYS IXFR70N15 -
RFQ
 ECAD 2907 0,00000000 Ixys HiperFet ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixfr70 MOSFET (Oxyde Métallique) Isoplus247 ™ télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 150 V 67a (TC) 10V 28MOHM @ 35A, 10V 4V @ 4mA 180 NC @ 10 V ± 20V 3600 pf @ 25 V - 250W (TC)
DSSS35-008AR IXYS DSSS35-008AR -
RFQ
 ECAD 6925 0,00000000 Ixys - Tube Obsolète Par le trou À 247-3 DSSS35 Schottky Isoplus247 ™ télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 30 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) Connexion de la Séririe 1 paire 80 V 35a 790 MV @ 35 A 4 Ma @ 80 V -55 ° C ~ 175 ° C
IXFP60N25X3 IXYS IXFP60N25X3 8.3000
RFQ
 ECAD 5915 0,00000000 Ixys HiperFet ™, Ultra x3 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Ixfp60 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220AB (ixfp) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 250 V 60a (TC) 10V 23MOHM @ 30A, 10V 4,5 V @ 1,5 mA 50 NC @ 10 V ± 20V 3610 PF @ 25 V - 320W (TC)
IXFH12N50F IXYS Ixfh12n50f -
RFQ
 ECAD 3354 0,00000000 Ixys Hiperrf ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixfh12 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247 (ixfh) télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 500 V 12A (TC) 10V 400mohm @ 6a, 10v 5,5 V @ 2,5mA 54 NC @ 10 V ± 20V 1870 pf @ 25 V - 180W (TC)
MMO75-16IO1 IXYS MMO75-16IO1 -
RFQ
 ECAD 1695 0,00000000 Ixys - Boîte Obsolète -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Soutenir de châssis Module MMO Contrôleur 1 phase - tous les scr télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.30.0080 10 100 mA 1,6 kV 65 A 1,5 V 1150a, 1230a 150 mA 41 A 2 SCR
MCD700-16IO1W IXYS MCD700-16IO1W -
RFQ
 ECAD 2186 0,00000000 Ixys - Plateau Actif -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Soutenir de châssis WC-500 MCD700 Connexion de la Séririe - SCR / Diode télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.30.0080 1 1,6 kV 1331 A 18200 @ 50MHz 700 A 1 SCR, 1 Diode
IXTP170N075T2 IXYS IXTP170N075T2 4.0600
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 Ixys Trencht2 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Ixtp170 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 75 V 170a (TC) 10V 5,4MOHM @ 50A, 10V 4V @ 250µA 109 NC @ 10 V ± 20V 6860 pf @ 25 V - 360W (TC)
MWI60-12T6K IXYS MWI60-12T6K -
RFQ
 ECAD 2967 0,00000000 Ixys - Boîte Actif -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Soutenir de châssis E1 MWI60 200 W Standard E1 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 10 Onduleur Triphasé Tranché 1200 V 58 A 2.3V @ 15V, 35A 500 µA Oui 2,53 nf @ 25 V
IXFK360N15T2 IXYS IXFK360N15T2 32.3800
RFQ
 ECAD 3822 0,00000000 Ixys HiperFet ™, Trencht2 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 264-3, à 264aa Ixfk360 MOSFET (Oxyde Métallique) À 264aa (ixfk) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 25 Canal n 150 V 360A (TC) 10V 4MOHM @ 60A, 10V 5V @ 8mA 715 NC @ 10 V ± 20V 47500 PF @ 25 V - 1670W (TC)
MIXA10W1200TML IXYS Mixa10w1200tml -
RFQ
 ECAD 7628 0,00000000 Ixys - Boîte Actif -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Soutenir de châssis E1 Mixa10 65 W Standard E1 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 10 Onduleur Triphasé Pt 1200 V 17 A 2.1V @ 15V, 9A 150 µA Oui
N1174JK200 IXYS N1174JK200 -
RFQ
 ECAD 6946 0,00000000 Ixys - Boîte Abandonné à sic -40 ° C ~ 125 ° C Soutenir de châssis À 200ab, b-puk N1174 WP1 - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 238-N1174JK200 EAR99 8541.30.0080 12 1 a 2 kv 2313 A 3 V 14500A @ 50hz 300 mA 2 46 V 1174 A 100 mA Norme de rénovation
DSP8-12AS-TUB IXYS Dsp8-12as-tub 2.8964
RFQ
 ECAD 6481 0,00000000 Ixys - Tube Actif Support de surface À 263-4, d²pak (3 leads + tab), à 263aa Dsp8 Standard À 263 (d²pak) télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 50 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) Connexion de la Séririe 1 paire 1200 V 8a 1,35 V @ 16 A 10 µA à 1200 V -55 ° C ~ 150 ° C
IXFK52N60Q2 IXYS Ixfk52n60q2 -
RFQ
 ECAD 5358 0,00000000 Ixys HiperFet ™, CLASSE Q2 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 264-3, à 264aa Ixfk52 MOSFET (Oxyde Métallique) À 264aa (ixfk) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 25 Canal n 600 V 52A (TC) 10V 115MOHM @ 500mA, 10V 4,5 V @ 8mA 198 NC @ 10 V ± 30V 6800 pf @ 25 V - 735W (TC)
IXYX140N90C3 IXYS Ixyx140n90c3 21.1900
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Ixys GenX3 ™, XPT ™ Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou Variante à 247-3 Ixyx140 Standard 1630 W Plus247 ™ -3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 450V, 100A, 1OHM, 15V - 900 V 310 A 840 A 2,7 V @ 15V, 140A 4.3mj (on), 4mj (off) 330 NC 40ns / 145ns
CS20-22MOF1 IXYS CS20-22MOF1 42.2300
RFQ
 ECAD 145 0,00000000 Ixys - Tube Actif -40 ° C ~ 125 ° C Par le trou I4-Pac ™ -5 (3 leads) CS20 ISOPLUS I4-PAC ™ télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté CS2022MOF1 EAR99 8541.30.0080 25 150 mA 2,2 kV 2,3 V 200a @ 50hz 250 mA 1,5 V 18 a 50 µA Norme de rénovation
N1467NC260 IXYS N1467nc260 -
RFQ
 ECAD 5900 0,00000000 Ixys - Boîte Abandonné à sic -40 ° C ~ 125 ° C De serrer À 200ac, k-puk N1467 W11 - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 238-N1467NC260 EAR99 8541.30.0080 6 1 a 2,6 kV 2912 A 3 V 23.6a @ 50hz 300 mA 1,69 V 1467 A 100 mA Norme de rénovation
IXFR24N50 IXYS IXFR24N50 -
RFQ
 ECAD 3349 0,00000000 Ixys HiperFet ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixfr24 MOSFET (Oxyde Métallique) Isoplus247 ™ télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 500 V 24a (TC) 10V 230MOHM @ 12A, 10V 4V @ 4mA 160 NC @ 10 V ± 20V 4200 PF @ 25 V - 250W (TC)
IXTH130N20T IXYS IXTH130N20T 9.3800
RFQ
 ECAD 7131 0,00000000 Ixys Tranché Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixth130 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247 (ixth) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 200 V 130a (TC) 10V 16MOHM @ 500mA, 10V 5V @ 1MA 150 NC @ 10 V ± 20V 8800 pf @ 25 V - 830W (TC)
IXTA2N80 IXYS Ixta2n80 -
RFQ
 ECAD 5922 0,00000000 Ixys - Boîte Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixta2 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 800 V 2A (TC) 10V 6,2 ohm @ 500mA, 10v 5,5 V @ 250µA 22 NC @ 10 V ± 20V 440 PF @ 25 V - 54W (TC)
IXFP130N10T IXYS IXFP130N10T 3.9572
RFQ
 ECAD 9559 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Tranché Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Ixfp130 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 100 V 130a (TC) 10V 9.1MOHM @ 25A, 10V 4,5 V @ 1MA 104 NC @ 10 V ± 20V 5080 PF @ 25 V - 360W (TC)
MCD700-22IO1W IXYS MCD700-22IO1W -
RFQ
 ECAD 3264 0,00000000 Ixys - Plateau Obsolète - Soutenir de châssis WC-500 MCD700 Connexion de la Séririe - SCR / Diode - 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.30.0080 1 2,2 kV 1331 A 18200 @ 50MHz 700 A 1 SCR, 1 Diode
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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