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Produits semi-conduurs discrètes (6315)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Technologie Power - Max Structure Saisir Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Courant - Hold (IH) (Max) Condition de test Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Tension - Hors de l'ÉTAT COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max) COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM) Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max) COURANT - À L'ÉTAT (IT (AV)) (Max) Tension - en Avant (vf) (max) @ si Temps de réménage inversé (TRR) Courant - FUITE INVERSEE @ VR Current - Rectifié Moyen (IO) Nombre de Scr, Diodes Type igbt Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Commutation d'Énergie Charge de Porte TD (On / Off) à 25 ° C Type de diode Tension - Pic inverse (max) COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Thermistance NTC Capacité d'entrée (cies) @ vce
VBO22-18NO8 IXYS VBO22-18NO8 13.0172
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 ECAD 3621 0,00000000 Ixys - Boîte Actif -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 carrés, fo-b Vbo22 Standard Gouset télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 50 2.2 V @ 150 A 300 µA à 1800 V 21 A Monophasé 1,8 kV
VUO120-16NO1 IXYS VUO120-16NO1 -
RFQ
 ECAD 6570 0,00000000 Ixys - Boîte Actif -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis V2-pak VUO120 Standard V2-pak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 6 1,59 V @ 150 A 300 µA à 1600 V 121 A Triphasé 1,6 kV
IXFH50N60X IXYS IXFH50N60X 10.2963
RFQ
 ECAD 2235 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Ultra x Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixfh50 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247 (ixth) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 600 V 50A (TC) 10V 73MOHM @ 25A, 10V 4,5 V @ 4mA 116 NC @ 10 V ± 30V 4660 pf @ 25 V - 660W (TC)
MDNA280UB2200PTED IXYS MDNA280UB2200pté 151.8889
RFQ
 ECAD 9307 0,00000000 Ixys - Boîte Actif -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis E2 MDNA280 Standard E2 - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-MDNA280UB2200pté EAR99 8541.10.0080 28 1,75 V @ 270 A 100 µA @ 2200 V 280 A Phases Trois (Freinage) 2,2 kV
IXFH130N15X3 IXYS IXFH130N15X3 11.9100
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 ECAD 41 0,00000000 Ixys HiperFet ™, Ultra x3 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 IXFH130 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247 (ixth) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 150 V 130a (TC) 10V 9MOHM @ 65A, 10V 4,5 V @ 1,5 mA 80 NC @ 10 V ± 20V 5230 pf @ 25 V - 390W (TC)
IXFT120N15P IXYS IXFT120N15P 9.6787
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 ECAD 9537 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Polaire Boîte Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa Ixft120 MOSFET (Oxyde Métallique) À 268aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 150 V 120A (TC) 10V 16MOHM @ 500mA, 10V 5V @ 4mA 150 NC @ 10 V ± 20V 4900 pf @ 25 V - 600W (TC)
IXGH17N100AU1 IXYS IXGH17N100AU1 -
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 ECAD 3770 0,00000000 Ixys - En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 IXGH17 Standard 150 W À 247ad télécharger Non applicable Atteindre non affecté IXGH17N100AU1-NDR EAR99 8541.29.0095 30 800V, 17A, 82OHM, 15V 50 ns - 1000 V 34 A 68 A 4V @ 15V, 17A 3MJ (off) 100 NC 100ns / 500ns
IXFT74N20Q IXYS IXFT74N20Q -
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 ECAD 4283 0,00000000 Ixys - Tube Obsolète Ixft74 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 30 -
VIO25-06P1 IXYS Vio25-06p1 -
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 ECAD 1575 0,00000000 Ixys - Boîte Obsolète -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis Eco-Pac2 Vio 82 W Standard Eco-Pac2 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 25 Célibataire NPT 600 V 24.5 A 2,9 V @ 15V, 25A 600 µA Non 8 nf @ 25 V
IXTQ60N10T IXYS Ixtq60n10t 3.6053
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 ECAD 8416 0,00000000 Ixys Tranché Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou TO-3P-3, SC-65-3 Ixtq60 MOSFET (Oxyde Métallique) To-3p - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXTQ60N10T EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 100 V 60a (TC) 10V 18MOHM @ 25A, 10V 4,5 V @ 50µA 49 NC @ 10 V ± 30V 2650 pf @ 25 V - 176W (TC)
IXGH36N60B3C1 IXYS IXGH36N60B3C1 -
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 ECAD 9289 0,00000000 Ixys Genx3 ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 IXGH36 Standard 250 W À 247ad télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 400 V, 30A, 5OHM, 15V Pt 600 V 75 A 200 A 1,8 V @ 15V, 30A 390 µJ (ON), 800 µJ (OFF) 80 NC 20ns / 125ns
IXTT38N30L2HV IXYS Ixtt38n30l2hv 20.1987
RFQ
 ECAD 1520 0,00000000 Ixys L2 ™ Lineaire Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa Ixtt38 MOSFET (Oxyde Métallique) À 268hv (ixtt) - Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 238-IXTT38N30L2HV EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 300 V 38A (TC) 10V 100MOHM @ 19A, 10V 4,5 V @ 250µA 260 NC @ 10 V ± 20V 7200 pf @ 25 V - 400W (TC)
GWM180-004X2-SMD IXYS GWM180-004X2-SMD -
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 ECAD 4704 0,00000000 Ixys - Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface 17 mm, Aile de Mouette GWM180 MOSFET (Oxyde Métallique) - Isoplus-Dil ™ télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 6 Canaux N (phases Pont 3) 40V 180a 2,5 mohm @ 100a, 10v 4,5 V @ 1MA 110nc @ 10v - -
VKM60-01P1 IXYS VKM60-01P1 66.2520
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 ECAD 6337 0,00000000 Ixys HiperFet ™ Boîte Pas de designs les nouveaux -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou Eco-Pac2 VKM60 MOSFET (Oxyde Métallique) 300W Eco-Pac2 - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté VKM 60-01 P1 EAR99 8541.29.0095 25 4 N-Canal (Demi-pont) 100V 75a 25MOHM @ 500mA, 10V 4V @ 4mA 260nc @ 10v 4500pf @ 25v -
IXTA10P50P-TRL IXYS Ixta10p50p-trl 6.8800
RFQ
 ECAD 2896 0,00000000 Ixys Polaire Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixta10 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 800 Canal p 500 V 10A (TC) 10V 1OHM @ 5A, 10V 4V @ 250µA 50 NC @ 10 V ± 20V 2840 pf @ 25 V - 300W (TC)
MMIX1T600N04T2 IXYS MMIX1T600N04T2 39.4400
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 Ixys FRFET®, Supremos® Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface 24 Powersmd, 21 pistes MMIX1T600 MOSFET (Oxyde Métallique) 24-SMPD télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 20 Canal n 40 V 600A (TC) 10V 1,3MOHM @ 100A, 10V 3,5 V @ 250µA 590 NC @ 10 V ± 20V 40000 pf @ 25 V - 830W (TC)
IXFK180N07 IXYS IXFK180N07 -
RFQ
 ECAD 3320 0,00000000 Ixys HiperFet ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 264-3, à 264aa IXFK180 MOSFET (Oxyde Métallique) À 264aa (ixfk) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 25 Canal n 70 V 180a (TC) 10V 6MOHM @ 500mA, 10V 4V @ 8mA 420 NC @ 10 V ± 20V 9400 pf @ 25 V - 568W (TC)
IXFX30N50Q IXYS IXFX30N50Q -
RFQ
 ECAD 2778 0,00000000 Ixys HiperFet ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou Variante à 247-3 Ixfx30 MOSFET (Oxyde Métallique) Plus247 ™ -3 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 500 V 30a (TC) 10V 160MOHM @ 15A, 10V 4,5 V @ 4mA 150 NC @ 10 V ± 20V 3950 pf @ 25 V - 416W (TC)
IXFV26N60P IXYS Ixfv26n60p -
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 ECAD 8220 0,00000000 Ixys PolarHV ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3, Court de l'onglet Ixfv26 MOSFET (Oxyde Métallique) Plus220 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 600 V 26A (TC) 10V 270MOHM @ 500mA, 10V 5V @ 4mA 72 NC @ 10 V ± 30V 4150 PF @ 25 V - 460W (TC)
IXFH70N65X3 IXYS IXFH70N65X3 14.4300
RFQ
 ECAD 5656 0,00000000 Ixys HiperFet ™, Ultra x3 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 IXFH70 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247 (ixfh) télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXFH70N65X3 EAR99 8541.29.0095 300 Canal n 650 V 70A (TC) 10V 44MOHM @ 35A, 10V 5.2v @ 4mA 66 NC @ 10 V ± 20V 4600 pf @ 25 V - 780W (TC)
IXTQ120N20P IXYS Ixtq120n20p 12.1300
RFQ
 ECAD 66 0,00000000 Ixys Polaire Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou TO-3P-3, SC-65-3 Ixtq120 MOSFET (Oxyde Métallique) To-3p télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 200 V 120A (TC) 10V 22MOHM @ 500mA, 10V 5V @ 250µA 152 NC @ 10 V ± 20V 6000 pf @ 25 V - 714W (TC)
MCC250-16IO1 IXYS MCC250-16IO1 -
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 ECAD 7506 0,00000000 Ixys - Boîte Obsolète -40 ° C ~ 140 ° C (TJ) Soutenir de châssis Y2-dcb MCC250 Connexion de la Série - Tous Les Scr télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.30.0080 2 150 mA 1,6 kV 450 A 2 V 9000A, 9600A 150 mA 287 A 2 SCR
MMIX1T660N04T4 IXYS MMIX1T660N04T4 21.9840
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 ECAD 8552 0,00000000 Ixys - Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface 24 Powersmd, 21 pistes MMIX1T660 MOSFET (Oxyde Métallique) 24-SMPD - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-MMIX1T660N04T4 EAR99 8541.29.0095 20 Canal n 40 V 660a (TC) 10V 0,85 mohm @ 100a, 10v 4V @ 250µA 860 NC @ 10 V ± 15V 44000 pf @ 25 V - 830W (TC)
IXFX170N20T IXYS IXFX170N20T 13.2463
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 ECAD 5389 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Tranché Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou Variante à 247-3 Ixfx170 MOSFET (Oxyde Métallique) Plus247 ™ -3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 200 V 170a (TC) 10V 11MOHM @ 60A, 10V 5V @ 4mA 265 NC @ 10 V ± 20V 19600 PF @ 25 V - 1150W (TC)
IXGH28N90B IXYS IXGH28N90B -
RFQ
 ECAD 1974 0,00000000 Ixys Hiperfast ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 IXGH28 Standard 200 W À 247ad télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 720v, 28a, 4,7 ohms, 15v - 900 V 51 A 120 A 2,7 V @ 15V, 28A 1,2 MJ (off) 100 NC 30ns / 100ns
IXTH10N100D2 IXYS Ixth10n100d2 17.5600
RFQ
 ECAD 8270 0,00000000 Ixys Épuisement Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixth10 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247 (ixth) télécharger Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 1000 V 10A (TC) 10V 1,5 ohm @ 5a, 10v - 200 nc @ 5 V ± 20V 5320 pf @ 25 V Mode d'Épuiment 695W (TC)
IXTP88N085T IXYS Ixtp88n085t -
RFQ
 ECAD 6250 0,00000000 Ixys TRENCHMV ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Ixtp88 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 85 V 88A (TC) 10V 11MOHM @ 25A, 10V 4V @ 100µA 69 NC @ 10 V ± 20V 3140 PF @ 25 V - 230W (TC)
VUO160-12NO7 IXYS VUO160-12NO7 69.0500
RFQ
 ECAD 8994 0,00000000 Ixys - Boîte Actif -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis PWS-E VUO160 Standard PWS-E télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 5 1.1 V @ 60 A 200 µA à 1200 V 175 A Triphasé 1,2 kV
IXA17IF1200HJ IXYS Ixa17if1200hj 9.9800
RFQ
 ECAD 3340 0,00000000 Ixys - Tube Actif -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixa17if1200 Standard 100 W Isoplus247 ™ télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 600V, 15A, 56OHM, 15V 350 ns Pt 1200 V 28 A 2.1V @ 15V, 15A 1,55 MJ (on), 1,7mJ (off) 47 NC -
VUO85-14NO7 IXYS VUO85-14NO7 -
RFQ
 ECAD 4133 0,00000000 Ixys - Boîte Actif -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis Fo-ta VUO85 Standard Fo-ta télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 10 1,6 V @ 150 A 500 µA à 1400 V 85 A Triphasé 1,4 kV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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