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Produits semi-conduurs discrètes (6315)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Technologie Power - Max Structure Saisir Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Vitre Taper fet Courant - Hold (IH) (Max) Condition de test Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Type triac Tension - Hors de l'ÉTAT COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max) COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM) Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max) Tension - À l'ÉTAT (VTM) (Max) COURANT - À L'ÉTAT (IT (AV)) (Max) COURANT - OFF L'ÉTAT (MAX) Type Scr Configuration de diode Tension - DC inverse (VR) (max) COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) Tension - en Avant (vf) (max) @ si Temps de réménage inversé (TRR) Courant - FUITE INVERSEE @ VR Température de FonctionNement - Jonction Current - Rectifié Moyen (IO) Capacité @ vr, f Nombre de Scr, Diodes Type igbt Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Commutation d'Énergie Charge de Porte TD (On / Off) à 25 ° C COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Thermistance NTC Capacité d'entrée (cies) @ vce
MDK950-22N1W IXYS MDK950-22N1W -
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 ECAD 2308 0,00000000 Ixys - Plateau Abandonné à sic Soutenir de châssis Module MDK950 Standard Module télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 1 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 2200 V 950A 880 MV @ 500 A 18 µs 50 ma @ 2200 V -40 ° C ~ 150 ° C
IXFK44N80Q3 IXYS IXFK44N80Q3 36.8200
RFQ
 ECAD 1118 0,00000000 Ixys HiperFet ™, CLASSE Q3 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 264-3, à 264aa Ixfk44 MOSFET (Oxyde Métallique) À 264aa (ixfk) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 25 Canal n 800 V 44a (TC) 10V 190MOHM @ 22A, 10V 6,5 V @ 8mA 185 NC @ 10 V ± 30V 9840 PF @ 25 V - 1250W (TC)
MWI100-06A8T IXYS MWI100-06A8T -
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 ECAD 7316 0,00000000 Ixys - Tube Actif - Soutenir de châssis E3 MWI100 410 W Standard E3 - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 5 Onduleur Triphasé NPT 600 V 130 A 2,5 V @ 15V, 100A 1,2 mA Non 4.3 NF @ 25 V
IXFN100N10S3 IXYS IXFN100N10S3 -
RFQ
 ECAD 7704 0,00000000 Ixys HiperFet ™ Tube Obsolète -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Ixfn100 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-227B télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 10 Canal n 100 V 100A (TC) 10V 15MOHM @ 500mA, 10V 4V @ 4mA 180 NC @ 10 V ± 20V 4500 pf @ 25 V - 360W (TC)
MDMA60B1200MB IXYS MDMA60B1200MB 19.4230
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 ECAD 4401 0,00000000 Ixys - Boîte Actif - - - MDMA60 - - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-MDMA60B1200MB EAR99 8541.30.0080 10 - -
IXFH6N100F IXYS Ixfh6n100f -
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 ECAD 6900 0,00000000 Ixys HiperFet ™, F CLASSE Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixfh6 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247 (ixfh) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 1000 V 6A (TC) 10V 1,9 ohm @ 3a, 10v 5,5 V @ 2,5mA 54 NC @ 10 V ± 20V 1770 pf @ 25 V - 180W (TC)
IXFN50N120SIC IXYS Ixfn50n120sic 82.8500
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 ECAD 20 0,00000000 Ixys - Tube Actif -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Ixfn50 Sicfet (carbure de silicium) SOT-227B télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 1200 V 47a (TC) 20V 50mohm @ 40A, 20V 2.2V @ 2MA 100 nc @ 20 V + 20V, -5V 1900 pf @ 1000 V - -
IXSR35N120BD1 IXYS IXSR35N120BD1 -
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 ECAD 8997 0,00000000 Ixys - Boîte Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 IXSR35 Standard 250 W Isoplus247 ™ télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 960V, 35A, 2,7 ohms, 15v 40 ns Pt 1200 V 70 A 140 a 3,6 V @ 15V, 35A 5mj (off) 120 NC 36ns / 160ns
IXFP230N075T2 IXYS IXFP230N075T2 7.1800
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 ECAD 24 0,00000000 Ixys HiperFet ™, Trencht2 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Ixfp230 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 75 V 230A (TC) 10V 4.2MOHM @ 50A, 10V 4V @ 1MA 178 NC @ 10 V ± 20V 10500 pf @ 25 V - 480W (TC)
IXFH36N55Q2 IXYS IXFH36N55Q2 -
RFQ
 ECAD 9702 0,00000000 Ixys HiperFet ™, CLASSE Q2 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixfh36 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247ad (ixfh) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 550 V 36a (TC) 10V 180mohm @ 500mA, 10V 5V @ 4mA 110 NC @ 10 V ± 30V 4100 pf @ 25 V - 560W (TC)
DGS10-018A IXYS DGS10-018A -
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 ECAD 8910 0,00000000 Ixys - Tube Obsolète Par le trou À 220-2 DGS10 Schottky À 220AC télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 50 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 180 V 1.1 V @ 5 A 1,3 Ma @ 180 V -55 ° C ~ 175 ° C 15A -
IXGR32N60CD1 IXYS IXGR32N60CD1 -
RFQ
 ECAD 4777 0,00000000 Ixys Hiperfast ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixgr32 Standard 140 W Isoplus247 ™ télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 480v, 32a, 4,7 ohms, 15v 25 ns - 600 V 45 A 120 A 2,7 V @ 15V, 32A 320µJ (off) 110 NC 25ns / 85ns
IXFT18N90P IXYS Ixft18n90p -
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 ECAD 5654 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Polaire Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa Ixft18 MOSFET (Oxyde Métallique) À 268aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 900 V 18A (TC) 10V 600mohm @ 500mA, 10V 6,5 V @ 1MA 97 NC @ 10 V ± 30V 5230 pf @ 25 V - 540W (TC)
MDA600-20N1 IXYS MDA600-20N1 -
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 ECAD 9014 0,00000000 Ixys - Plateau Obsolète Soutenir de châssis Module MDA600 Standard Module télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 1 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 1 paire Commune d'anode 2000 V 883a 880 MV @ 500 A 18 µs 50 ma @ 2000 V -40 ° C ~ 150 ° C
IXTY8N65X2 IXYS Ixty8n65x2 2.9800
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 ECAD 20 0,00000000 Ixys Ultra x2 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Ixty8 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté -1402-ixty8n65x2 EAR99 8541.29.0095 70 Canal n 650 V 8A (TC) 10V 500MOHM @ 4A, 10V 5V @ 250µA 12 NC @ 10 V ± 30V 800 pf @ 25 V - 150W (TC)
DSP25-16AT-TRL IXYS Dsp25-16at-trl 5.4069
RFQ
 ECAD 6467 0,00000000 Ixys DSP25-16AT Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa Dsp25 Standard À 268aa télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-DSP25-16AT-TRLTR EAR99 8541.10.0080 400 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) Connexion de la Séririe 1 paire 1600 V 25A 1,23 V @ 25 A 40 µA à 1600 V -40 ° C ~ 175 ° C
IXBN42N170A IXYS IXBN42N170A 41.0930
RFQ
 ECAD 6585 0,00000000 Ixys Bimosfet ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Ixbn42 312 W Standard SOT-227B télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 10 Célibataire - 1700 V 42 A 6v @ 15v, 21a 50 µA Non 3,5 nf @ 25 V
IXTY2N60P IXYS Ixty2n60p -
RFQ
 ECAD 9042 0,00000000 Ixys Polar ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Ixty2 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252aa télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 70 Canal n 600 V 2A (TC) 10V 5.1OHM @ 1A, 10V 5V @ 250µA 7 NC @ 10 V ± 30V 240 pf @ 25 V - 55W (TC)
DSA9-18F IXYS DSA9-18F -
RFQ
 ECAD 9748 0,00000000 Ixys - Boîte Obsolète Châssis, montage DO-203AA, DO-4, Stud DSA9 Avalanche Do-203aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 50 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 1800 V 1,4 V @ 36 A 3 Ma @ 1800 V -40 ° C ~ 180 ° C 11A -
IXFX120N25P IXYS Ixfx120n25p 17.2000
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Polaire Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou Variante à 247-3 Ixfx120 MOSFET (Oxyde Métallique) Plus247 ™ -3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 250 V 120A (TC) 10V 24MOHM @ 60A, 10V 5V @ 4mA 185 NC @ 10 V ± 20V 8000 pf @ 25 V - 700W (TC)
W1032LC500 IXYS W1032LC500 -
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 ECAD 8516 0,00000000 Ixys - Boîte Abandonné à sic De serrer DO-200AB, B-PUK W1032 Standard W4 - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 238-W1032LC500 EAR99 8541.10.0080 12 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 5000 V 2,7 V @ 2420 A 30 µs 30 mA @ 5000 V -40 ° C ~ 150 ° C 1032a -
K0900ME650 IXYS K0900me650 -
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 ECAD 5978 0,00000000 Ixys - Boîte Abandonné à sic -40 ° C ~ 125 ° C De serrer À 200ac, k-puk K0900 W78 - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 238-k0900me650 EAR99 8541.30.0080 6 1 a 6,5 kV 1980 A 3 V 14000A @ 50hz 300 mA 2,5 V 1010 A 150 mA Norme de rénovation
QV6012LH5TP IXYS Qv6012lh5tp 3.1400
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 ECAD 6299 0,00000000 Ixys Qvxx12xhx Tube Actif -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou Onglet isolé à 220-3 ITO-220AB - 3 (168 Heures) 238-qv6012lh5tp EAR99 8541.30.0080 1 000 Célibataire 50 mA Logique - Porte sensible 600 V 12 A 1,2 V 140a, 153a 50 mA
MDI550-12A4 IXYS MDI550-12A4 -
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 ECAD 8737 0,00000000 Ixys - Boîte Actif 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis Y3-dcb MDI550 2750 W Standard Y3-dcb télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 Célibataire NPT 1200 V 670 A 2,8 V @ 15V, 400A 21 MA Non 26 NF @ 25 V
IXFQ60N50P3 IXYS IXFQ60N50P3 10.5200
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 ECAD 24 0,00000000 Ixys HiperFet ™, Polar3 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou TO-3P-3, SC-65-3 Ixfq60 MOSFET (Oxyde Métallique) To-3p télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 500 V 60a (TC) 10V 100MOHM @ 30A, 10V 5V @ 4mA 96 NC @ 10 V ± 30V 6250 pf @ 25 V - 1040W (TC)
N3597ML060 IXYS N3597ml060 -
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 ECAD 6303 0,00000000 Ixys - Boîte Abandonné à sic -40 ° C ~ 140 ° C De serrer À 200ac, k-puk N3597 WP5 - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 238-N3597ML060 EAR99 8541.30.0080 12 1 a 600 V 7030 A 3 V 50000A @ 50hz 300 mA 1,53 V 3597 A 100 mA Norme de rénovation
DSEP2X91-03A IXYS DSEP2X91-03A 42.1600
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 ECAD 10 0,00000000 Ixys Hiperfred ™ Tube Actif Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Dsep2x91 Standard SOT-227B télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté Dsep2x9103a EAR99 8541.10.0080 10 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 2 indépendant 300 V 90a 1,54 V @ 90 A 40 ns 1 ma @ 300 V -40 ° C ~ 150 ° C
DSA1I100SA IXYS DSA1I100SA -
RFQ
 ECAD 7476 0,00000000 Ixys - Ruban Adhésif (tr) Abandonné à sic Support de surface DO-214AC, SMA DSA1I100 Schottky DO-214AC (SMA) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 7 500 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 100 V 790 MV @ 1 A 10 µA à 100 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A -
DCG20C1200HR IXYS Dcg20c1200hr -
RFQ
 ECAD 8149 0,00000000 Ixys - Tube Actif Par le trou À 247-3 Dcg20 Schottky ISO247 - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-DCG20C1200HR EAR99 8541.10.0080 30 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1200 V 1,8 V @ 10 A 250 µA à 1200 V -40 ° C ~ 150 ° C 12.5A 755pf @ 0v, 1MHz
IXGP12N120A3 IXYS IXGP12N120A3 4.3200
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 ECAD 4916 0,00000000 Ixys Genx3 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Ixgp12 Standard 100 W À 220-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 - Pt 1200 V 22 A 60 A 3V @ 15V, 12A - 20,4 NC -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

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    15 000 m2

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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