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Produits semi-conduurs discrètes (6315)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Technologie Power - Max Structure Saisir Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Vitre Taper fet Courant - Hold (IH) (Max) Condition de test Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Tension - Hors de l'ÉTAT COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max) COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM) Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max) COURANT - À L'ÉTAT (IT (AV)) (Max) Configuration de diode Tension - DC inverse (VR) (max) COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) Tension - en Avant (vf) (max) @ si Temps de réménage inversé (TRR) Courant - FUITE INVERSEE @ VR Température de FonctionNement - Jonction Current - Rectifié Moyen (IO) Capacité @ vr, f Nombre de Scr, Diodes Type igbt Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Commutation d'Énergie Charge de Porte TD (On / Off) à 25 ° C Type de diode Tension - Pic inverse (max) COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Thermistance NTC Capacité d'entrée (cies) @ vce
IXFN80N50Q2 IXYS IXFN80N50Q2 -
RFQ
 ECAD 2749 0,00000000 Ixys HiperFet ™, CLASSE Q2 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Ixfn80 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-227B télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 10 Canal n 500 V 72A (TC) 10V 60 Mohm @ 500mA, 10V 4,5 V @ 8mA 250 NC @ 10 V ± 30V 12800 pf @ 25 V - 890W (TC)
IXTH30N25L2 IXYS IXTH30N25L2 19.6670
RFQ
 ECAD 8977 0,00000000 Ixys L2 ™ Lineaire Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixth30 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247 (ixth) télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXTH30N25L2 EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 250 V 30a (TC) 10V 140mohm @ 15a, 10v 4,5 V @ 250µA 130 NC @ 10 V ± 20V 3200 pf @ 25 V - 355W (TC)
VBE60-06A IXYS VBE60-06A 34.5700
RFQ
 ECAD 695 0,00000000 Ixys - Tube Actif -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc VBE60 Standard SOT-227B télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté VBE6006A EAR99 8541.10.0080 10 1,26 V @ 30 A 150 µA à 600 V 60 A Monophasé 600 V
IXGH24N60AU1 IXYS IXGH24N60AU1 -
RFQ
 ECAD 8644 0,00000000 Ixys Hiperfast ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 IXGH24 Standard 150 W À 247ad télécharger Non applicable Atteindre non affecté IXGH24N60AU1-NDR EAR99 8541.29.0095 30 480v, 24a, 10 ohms, 15v 50 ns - 600 V 48 A 96 A 2,7 V @ 15V, 24A 600 µJ (ON), 1,5MJ (OFF) 90 NC 25ns / 150ns
VCK105-18IO7 IXYS VCK105-18IO7 -
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 ECAD 5070 0,00000000 Ixys - Boîte Obsolète -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Soutenir de châssis Eco-Pac2 Vck105 Cathode Commune - Tous Les Scr télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.30.0080 25 200 mA 1,8 kV 180 A 1,5 V 2250A, 2400A 150 mA 105 A 2 SCR
IXTQ28N15P IXYS Ixtq28n15p -
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 ECAD 6432 0,00000000 Ixys Polaire Tube Actif - Par le trou TO-3P-3, SC-65-3 Ixtq28 MOSFET (Oxyde Métallique) To-3p télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n - - - - -
DSEI25-06AS-TRL IXYS Dsei25-06as-trl 2.5090
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 ECAD 4554 0,00000000 Ixys - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Dsei25 Standard À 263 (d2pak) - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-DSEI25-06AS-TLTR EAR99 8541.10.0080 800 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 600 V 1,31 V @ 25 A 50 ns 100 µA @ 600 V -40 ° C ~ 150 ° C 25A 20pf @ 400v, 1MHz
MCC95-08IO1B IXYS MCC95-08IO1B 38.2300
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 ECAD 9664 0,00000000 Ixys - Boîte Actif -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Soutenir de châssis À 240aa MCC95 Connexion de la Série - Tous Les Scr télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.30.0080 36 200 mA 800 V 180 A 2,5 V 2250A, 2400A 150 mA 116 A 2 SCR
IXTQ160N085T IXYS IXTQ160N085T -
RFQ
 ECAD 7202 0,00000000 Ixys - Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou TO-3P-3, SC-65-3 Ixtq160 MOSFET (Oxyde Métallique) To-3p télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 85 V 160a (TC) 10V 6MOHM @ 50A, 10V 4V @ 1MA 164 NC @ 10 V ± 20V 6400 PF @ 25 V - 360W (TC)
MIO600-65E11 IXYS MIO600-65E11 -
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 ECAD 3468 0,00000000 Ixys - Plateau Obsolète -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Soutenir de châssis E11 Mio Standard E11 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Commaileur unique NPT 6500 V 600 A 4.2 V @ 15V, 600A 120 mA Non 150 nf @ 25 V
IXFE24N100 IXYS IXFE24N100 -
RFQ
 ECAD 5115 0,00000000 Ixys HiperFet ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Ixfe24 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-227B télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 10 Canal n 1000 V 22A (TC) 10V 390MOHM @ 12A, 10V 5V @ 8mA 250 NC @ 10 V ± 20V 7000 pf @ 25 V - 500W (TC)
DSA120C150QB IXYS DSA120C150QB 6.9500
RFQ
 ECAD 30 0,00000000 Ixys - Tube Abandonné à sic Par le trou TO-3P-3, SC-65-3 DSA120 Schottky To-3p télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 300 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 150 V 60A 930 MV @ 60 A 1,8 Ma @ 150 V -55 ° C ~ 175 ° C
DMA50P1200HB IXYS Dma50p1200hb 5.6887
RFQ
 ECAD 9910 0,00000000 Ixys - Tube Actif Par le trou À 247-3 DMA50 Standard À 247 (ixth) télécharger Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté 238-DMA50P1200HB EAR99 8541.10.0080 30 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 1200 V 1,3 V @ 50 A 40 µA à 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 50A 19pf @ 400v, 1MHz
IXYN30N170CV1 IXYS Ixyn30n170cv1 44.2500
RFQ
 ECAD 442 0,00000000 Ixys Xpt ™ Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Ixyn30 Standard 680 W SOT-227B télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 10 850V, 30A, 2,7 ohms, 15v 160 ns - 1700 V 88 A 275 A 3,7 V @ 15V, 30A 5,9mj (on), 3,3mj (off) 140 NC 28NS / 150NS
IXFH32N50Q IXYS IXFH32N50Q -
RFQ
 ECAD 9597 0,00000000 Ixys HiperFet ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixfh32 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247ad (ixfh) télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 500 V 32A (TC) 10V 160MOHM @ 16A, 10V 4,5 V @ 4mA 190 NC @ 10 V ± 20V 4925 PF @ 25 V - 360W (TC)
IXFR15N100Q3 IXYS IXFR15N100Q3 21.2400
RFQ
 ECAD 7270 0,00000000 Ixys HiperFet ™, CLASSE Q3 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixfr15 MOSFET (Oxyde Métallique) Isoplus247 ™ télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté -IXFR15N100Q3 EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 1000 V 10A (TC) 10V 1,2 ohm @ 7,5a, 10v 6,5 V @ 4mA 64 NC @ 10 V ± 30V 3250 pf @ 25 V - 400W (TC)
IXTA20N65X2 IXYS Ixta20n65x2 4.5552
RFQ
 ECAD 2573 0,00000000 Ixys Ultra x2 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixta20 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263 (d2pak) télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXTA20N65X2 EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 650 V 20A (TC) 10V 185MOHM @ 10A, 10V 4,5 V @ 250µA 27 NC @ 10 V ± 30V 1450 pf @ 25 V - 290W (TC)
IXGH12N120A2D1 IXYS IXGH12N120A2D1 -
RFQ
 ECAD 6367 0,00000000 Ixys - Tube Actif - Par le trou À 247-3 IXGH12 Standard À 247ad - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 - - 1200 V 12 A - - -
VBO130-08NO7 IXYS VBO130-08NO7 65.7500
RFQ
 ECAD 3112 0,00000000 Ixys - En gros Actif -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis PWS-E VBO130 Standard PWS-E télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 5 1,1 V @ 120 A 200 µA à 800 V 122 A Monophasé 800 V
DPG30C300PC-TRL IXYS Dpg30c300pc-trl 2.6119
RFQ
 ECAD 3620 0,00000000 Ixys Hiperfred² ™ Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab DPG30C300 Standard À 263aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 800 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 300 V 15A 1,26 V @ 15 A 35 ns 1 µA @ 300 V -55 ° C ~ 175 ° C
IXA70I1200NA IXYS Ixa70i1200na 35.2800
RFQ
 ECAD 6657 0,00000000 Ixys - Tube Actif -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Châssis, montage SOT-227-4, minibloc IXA70I1200 350 W Standard SOT-227B télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 10 Célibataire Pt 1200 V 100 A 2.1V @ 15V, 50A 100 µA Non
IXTQ36P15P IXYS Ixtq36p15p 7.5500
RFQ
 ECAD 9984 0,00000000 Ixys Polarp ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou TO-3P-3, SC-65-3 Ixtq36 MOSFET (Oxyde Métallique) To-3p télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal p 150 V 36a (TC) 10V 110MOHM @ 18A, 10V 4,5 V @ 250µA 55 NC @ 10 V ± 20V 3100 pf @ 25 V - 300W (TC)
IXGT32N120A3 IXYS Ixgt32n120a3 11.4300
RFQ
 ECAD 7039 0,00000000 Ixys Genx3 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa Ixgt32 Standard 300 W À 268aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 - Pt 1200 V 75 A 230 A 2,35 V @ 15V, 32A - 89 NC -
DHG100X650NA IXYS Dhg100x650na 52.9360
RFQ
 ECAD 1377 0,00000000 Ixys Dfe250x600na Tube Actif Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc DHG100 Standard SOT-227B - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-DHG100X650NA EAR99 8541.10.0080 10 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 2 indépendant 600 V 125a 1,26 V @ 125 A 80 ns 3 ma @ 600 V -40 ° C ~ 150 ° C
DPG30C200PC-TRL IXYS Dpg30c200pc-trl 2.5327
RFQ
 ECAD 7927 0,00000000 Ixys Hiperfred ™ Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Dpg30c200 Standard À 263aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 800 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 200 V 15A 1,26 V @ 15 A 35 ns 1 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C
IXRH40N120 IXYS Ixrh40n120 -
RFQ
 ECAD 6226 0,00000000 Ixys - En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixrh40 Standard 300 W À 247ad télécharger Non applicable Atteindre non affecté Q3364795 EAR99 8541.29.0095 30 600V, 35A, 15OHM, 15V 2,1 µs NPT 1200 V 55 A 2,7 V @ 15V, 30A 3MJ (ON), 700µJ (OFF) 90 NC -
MCNA120UI2200PED IXYS MCNA120UI2200 126.2811
RFQ
 ECAD 8327 0,00000000 Ixys - Boîte Actif -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis E2 MCNA120 Pont, 3 phases - SCR / Diodes - Diode IGBT AVEC - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-MCNA120UI2200 EAR99 8541.30.0080 28 100 mA 2,2 kV 40 A 1,4 V 500A, 540A 70 mA 75 A 3 SCR, 3 Diodes
MCMA240UI1600PED IXYS MCMA240UI1600 101.4068
RFQ
 ECAD 5700 0,00000000 Ixys - Boîte Actif -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis E2 MCMA240 Pont, 3 phases - SCR / Diodes - Diode IGBT AVEC - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-MCMA240UI1600 EAR99 8541.30.0080 28 200 mA 1,6 kV 200 A 1,5 V 1500a, 1620a 95 Ma 88 A 3 SCR, 3 Diodes
MCC500-22IO1 IXYS MCC500-22IO1 -
RFQ
 ECAD 4496 0,00000000 Ixys - Plateau Obsolète -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Soutenir de châssis WC-500 MCC500 Connexion de la Série - Tous Les Scr télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.30.0080 1 1 a 2,2 kV 1294 A 3 V 16500A @ 50hz 300 mA 545 A 2 SCR
IXXX200N60B3 IXYS Ixxx200n60b3 25.6400
RFQ
 ECAD 2502 0,00000000 Ixys XPT ™, GenX3 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou Variante à 247-3 Ixxx200 Standard 1630 W Plus247 ™ -3 télécharger Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 360V, 100A, 1OHM, 15V 100 ns - 600 V 380 A 900 A 1,7 V @ 15V, 100A 2 85MJ (ON), 4,4MJ (off) 315 NC 48ns / 160ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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