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Produits semi-conduurs discrètes (6315)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Technologie Power - Max Structure Saisir Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Vitre Taper fet Courant - Hold (IH) (Max) Condition de test Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Tension - Hors de l'ÉTAT COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max) COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM) Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max) COURANT - À L'ÉTAT (IT (AV)) (Max) Configuration de diode Tension - DC inverse (VR) (max) COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) Tension - en Avant (vf) (max) @ si Temps de réménage inversé (TRR) Courant - FUITE INVERSEE @ VR Température de FonctionNement - Jonction Current - Rectifié Moyen (IO) Capacité @ vr, f Nombre de Scr, Diodes Type igbt Tension - Répartition des émettes de collection (max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Commutation d'Énergie Charge de Porte TD (On / Off) à 25 ° C Type de diode Tension - Pic inverse (max) Thermistance NTC
VUO68-16NO7 IXYS VUO68-16NO7 19.8500
RFQ
 ECAD 4570 0,00000000 Ixys - Boîte Actif -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis Eco-Pac1 VUO68 Standard Eco-Pac1 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté -Vuo68-16no7 EAR99 8541.10.0080 25 1,5 V @ 60 A 40 µA à 1600 V 68 A Triphasé 1,6 kV
MCD56-18IO8B IXYS MCD56-18IO8B 30.4722
RFQ
 ECAD 3673 0,00000000 Ixys - Boîte Actif -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Soutenir de châssis À 240aa MCD56 Connexion de la Séririe - SCR / Diode télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.30.0080 36 200 mA 1,8 kV 100 A 1,5 V 1500A, 1600A 100 mA 64 A 1 SCR, 1 Diode
IXTY26P10T IXYS Ixty26p10t 4.1800
RFQ
 ECAD 49 0,00000000 Ixys TRENCHP ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Ixty26 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté -IXTY26P10T EAR99 8541.29.0095 70 Canal p 100 V 26A (TC) 10V 90MOHM @ 13A, 10V 4,5 V @ 250µA 52 NC @ 10 V ± 15V 3820 pf @ 25 V - 150W (TC)
IXTT88N15 IXYS Ixtt88n15 -
RFQ
 ECAD 1994 0,00000000 Ixys - Boîte Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa Ixtt88 MOSFET (Oxyde Métallique) À 268aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 150 V 88A (TC) 10V 22MOHM @ 44A, 10V 4V @ 250µA 170 NC @ 10 V ± 20V 4000 pf @ 25 V - 400W (TC)
IXTP180N055T IXYS Ixtp180n055t -
RFQ
 ECAD 1440 0,00000000 Ixys - Tube Obsolète - Par le trou À 220-3 Ixtp180 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 - 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 55 V 180a (TC) - 4V @ 1MA - -
IXFK44N50P IXYS Ixfk44n50p 12.7700
RFQ
 ECAD 7532 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Polaire Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 264-3, à 264aa Ixfk44 MOSFET (Oxyde Métallique) À 264aa (ixfk) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 612450 EAR99 8541.29.0095 25 Canal n 500 V 44a (TC) 10V 140mohm @ 22a, 10v 5V @ 4mA 98 NC @ 10 V ± 30V 5440 PF @ 25 V - 658W (TC)
MKE38P600TLB IXYS MKE38P600TLB -
RFQ
 ECAD 2226 0,00000000 Ixys - En gros Actif - Support de surface Module 9 MMD MKE38P600 - - Isoplus-smpd ™ .b télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 - 600 V 50A (TC) - - - - -
IXTC180N10T IXYS IXTC180N10T -
RFQ
 ECAD 7732 0,00000000 Ixys - Tube Obsolète - Par le trou ISOPLUS220 ™ Ixtc180 MOSFET (Oxyde Métallique) ISOPLUS220 ™ télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 100 V 90a (TC) - - - 150W (TC)
IXA90IF650NA IXYS Ixa90if650na -
RFQ
 ECAD 9831 0,00000000 Ixys - Tube Actif - - - IXA90IF650 - - télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 10 - - - Non
DPG60C400QB IXYS Dpg60c400qb 6.5400
RFQ
 ECAD 29 0,00000000 Ixys Hiperfred² ™ Tube Actif Par le trou TO-3P-3, SC-65-3 Dpg60c400 Standard To-3p télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 30 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 400 V 30A 1,41 V @ 30 A 45 ns 1 µA @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C
IXFA180N10T2 IXYS IXFA180N10T2 6.7000
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 Ixys HiperFet ™, Trencht2 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab IXFA180 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263aa (ixfa) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 100 V 180a (TC) 10V 6MOHM @ 50A, 10V 4V @ 250µA 185 NC @ 10 V ± 20V 10500 pf @ 25 V - 480W (TC)
IXFC24N50 IXYS IXFC24N50 -
RFQ
 ECAD 2811 0,00000000 Ixys HiperFet ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou ISOPLUS220 ™ IXFC24N50 MOSFET (Oxyde Métallique) ISOPLUS220 ™ télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 500 V 21A (TC) 10V 230MOHM @ 12A, 10V 4V @ 4mA 135 NC @ 10 V ± 20V 4200 PF @ 25 V - 230W (TC)
IXFT24N80P IXYS Ixft24n80p 11.5687
RFQ
 ECAD 4269 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Polaire Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa Ixft24 MOSFET (Oxyde Métallique) À 268aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 800 V 24a (TC) 10V 400mohm @ 12a, 10v 5V @ 4mA 105 NC @ 10 V ± 30V 7200 pf @ 25 V - 650W (TC)
MDD950-14N1W IXYS MDD950-14N1W -
RFQ
 ECAD 8536 0,00000000 Ixys - Plateau Obsolète Soutenir de châssis Module MDD950 Standard Module télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 1 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) Connexion de la Séririe 1 paire 1400 V 950A 880 MV @ 500 A 18 µs 50 ma @ 1400 V -40 ° C ~ 150 ° C
MDD220-14N1 IXYS MDD220-14N1 -
RFQ
 ECAD 6287 0,00000000 Ixys - Boîte Actif Soutenir de châssis Y2-dcb MDD220 Standard Y2-dcb télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 2 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) Connexion de la Séririe 1 paire 1400 V 270A 1,4 V @ 600 A 40 mA @ 1400 V -40 ° C ~ 150 ° C
IXFA20N50P3 IXYS IXFA20N50P3 3.4707
RFQ
 ECAD 7997 0,00000000 Ixys HiperFet ™, Polar3 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixfa20 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263aa (ixfa) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 500 V 20A (TC) 10V 300mohm @ 10a, 10v 5V @ 1,5mA 36 NC @ 10 V ± 30V 1800 pf @ 25 V - 380W (TC)
IXTY2N80P IXYS Ixty2n80p -
RFQ
 ECAD 6180 0,00000000 Ixys PolarHV ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Ixty2 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252aa télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 70 Canal n 800 V 2A (TC) 10V 6OHM @ 1A, 10V 5,5 V @ 50µA 10.6 NC @ 10 V ± 30V 440 PF @ 25 V - 70W (TC)
HTZ280H32K IXYS HTZ280H32K -
RFQ
 ECAD 8509 0,00000000 Ixys HTZ280H Boîte Actif Soutenir de châssis Module HTZ280 Standard Module télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 1 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) Connexion de la Séririe 1 paire 32000 V 4.7a 23 V @ 12 A 500 µA à 32000 V
IXFH150N25X3HV IXYS IXFH150N25X3HV -
RFQ
 ECAD 4108 0,00000000 Ixys HiperFet ™, Ultra x3 Tube Actif - - - IXFH150 - - télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 - - - - - ± 20V - -
FMD15-06KC5 IXYS FMD15-06KC5 19.0600
RFQ
 ECAD 25 0,00000000 Ixys CoolMos ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou Isoplusi5-pak ™ FMD15 MOSFET (Oxyde Métallique) ISOPLUS I4-PAC ™ télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 25 Canal n 600 V 15A (TC) 10V 165MOHM @ 12A, 10V 3,5 V @ 790µA 52 NC @ 10 V ± 20V 2000 pf @ 100 V - -
IXFD26N50Q-72 IXYS IXFD26N50Q-72 -
RFQ
 ECAD 8396 0,00000000 Ixys HiperFet ™ En gros Obsolète - - Mourir IXFD26N50Q MOSFET (Oxyde Métallique) Mourir - 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 500 V - - - - - - -
IXTP120N075T2 IXYS IXTP120N075T2 4.0400
RFQ
 ECAD 53 0,00000000 Ixys Trencht2 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Ixtp120 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 75 V 120A (TC) 10V 7,7MOHM @ 60A, 10V 4V @ 250µA 78 NC @ 10 V ± 20V 4740 PF @ 25 V - 250W (TC)
IXFA16N60P3 IXYS IXFA16N60P3 5.7673
RFQ
 ECAD 6300 0,00000000 Ixys HiperFet ™, Polar3 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixfa16 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263aa (ixfa) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 600 V 16A (TC) 10V 440MOHM @ 8A, 10V 5V @ 1,5mA 36 NC @ 10 V ± 30V 1830 pf @ 25 V - 347W (TC)
IXFH26N65X3 IXYS Ixfh26n65x3 6.5773
RFQ
 ECAD 5635 0,00000000 Ixys - Tube Actif Ixfh26 - 238-IXFH26N65X3 30
IXFH22N55 IXYS IXFH22N55 -
RFQ
 ECAD 1291 0,00000000 Ixys HiperFet ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixfh22 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247ad (ixfh) télécharger Non applicable Atteindre non affecté IXFH22N55-NDR EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 550 V 22A (TC) 10V 270MOHM @ 11A, 10V 4,5 V @ 4mA 170 NC @ 10 V ± 20V 4200 PF @ 25 V - 300W (TC)
IXGT6N170AHV IXYS Ixgt6n170ahv 14.5227
RFQ
 ECAD 4663 0,00000000 Ixys - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa Ixgt6n170 Standard 75 W À 268HV (ixgt) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 850V, 6A, 33OHM, 15V - 1700 V 6 A 14 A 7V @ 15V, 3A 590 µJ (ON), 180µJ (OFF) 18,5 NC 46ns / 220ns
IXFH1799 IXYS IXFH1799 -
RFQ
 ECAD 1983 0,00000000 Ixys - Tube Obsolète IXFH17 - 1 (illimité) OBSOLÈTE 0000.00.0000 30 -
M0437WC140 IXYS M0437WC140 -
RFQ
 ECAD 6479 0,00000000 Ixys - Boîte Abandonné à sic De serrer DO-200AB, A-PUK M0437 Standard W1 - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 238-M0437WC140 EAR99 8541.10.0080 24 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 1400 V 1 47 V @ 635 A 20 mA @ 1400 V -40 ° C ~ 125 ° C 437a -
IXGH28N140B3H1 IXYS IXGH28N140B3H1 -
RFQ
 ECAD 4579 0,00000000 Ixys Genx3 ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 IXGH28 Standard 300 W À 247ad télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 960V, 28A, 5OHM, 15V 350 ns - 1400 V 60 a 150 A 3.6V @ 15V, 28A 3,6mj (on), 3,9mj (off) 88 NC 16NS / 190NS
DSP8-08A IXYS DSP8-08A 2.9000
RFQ
 ECAD 930 0,00000000 Ixys - Tube Actif Par le trou À 220-3 Dsp8 Standard À 220-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté DSP808A EAR99 8541.10.0080 50 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) Connexion de la Séririe 1 paire 800 V 11A 1,15 V @ 7 A 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 175 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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