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Produits semi-conduurs discrètes (6315)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Technologie Power - Max Structure Saisir Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Vitre Taper fet Courant - Hold (IH) (Max) Condition de test Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Tension - Hors de l'ÉTAT COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max) COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM) Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max) COURANT - À L'ÉTAT (IT (AV)) (Max) Tension - DC inverse (VR) (max) Tension - en Avant (vf) (max) @ si Temps de réménage inversé (TRR) Courant - FUITE INVERSEE @ VR Température de FonctionNement - Jonction Current - Rectifié Moyen (IO) Capacité @ vr, f Nombre de Scr, Diodes Type igbt Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Commutation d'Énergie Charge de Porte TD (On / Off) à 25 ° C COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Thermistance NTC Capacité d'entrée (cies) @ vce
MCO800-14IO1 IXYS MCO800-14IO1 -
RFQ
 ECAD 9204 0,00000000 Ixys - Plateau Obsolète - Soutenir de châssis WC-800 MCO Célibataire - 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.30.0080 1 1,4 kV - 1 SCR
MCC44-08IO8B IXYS MCC44-08IO8B 25.8103
RFQ
 ECAD 2976 0,00000000 Ixys - Boîte Actif -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Soutenir de châssis À 240aa MCC44 Connexion de la Série - Tous Les Scr télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.30.0080 36 200 mA 800 V 80 A 1,5 V 1150a, 1230a 100 mA 51 A 2 SCR
MCC700-20IO1W IXYS MCC700-20IO1W -
RFQ
 ECAD 6958 0,00000000 Ixys - Plateau Obsolète - Soutenir de châssis WC-500 MCC700 Connexion de la Série - Tous Les Scr - 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.30.0080 1 2 kv 1331 A 18200 @ 50MHz 700 A 2 SCR
MCA700-20IO1W IXYS MCA700-20IO1W -
RFQ
 ECAD 6449 0,00000000 Ixys - Plateau Obsolète - Soutenir de châssis WC-500 MCA700 Commune anode - tous les scr - 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.30.0080 1 2 kv 1331 A 18200 @ 50MHz 700 A 2 SCR
IXFH14N60P IXYS IXFH14N60P 6.0900
RFQ
 ECAD 28 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Polaire Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 IXFH14 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247ad (ixfh) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 600 V 14A (TC) 10V 550mohm @ 7a, 10v 5,5 V @ 2,5mA 36 NC @ 10 V ± 30V 2500 pf @ 25 V - 300W (TC)
IXGX120N60B3 IXYS IXGX120N60B3 -
RFQ
 ECAD 9193 0,00000000 Ixys Genx3 ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou Variante à 247-3 Ixgx120 Standard 780 W Plus247 ™ -3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 480V, 100A, 2OHM, 15V Pt 600 V 280 A 600 A 1,8 V @ 15V, 100A 2,9MJ (on), 3,5mj (off) 465 NC 40ns / 227ns
IXYH75N65C3H1 IXYS IXYH75N65C3H1 17.6000
RFQ
 ECAD 24 0,00000000 Ixys GenX3 ™, XPT ™ Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 IXYH75 Standard 750 W À 247 (ixth) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 400V, 60A, 3OHM, 15V 150 ns Pt 650 V 170 A 360 A 2.3V @ 15V, 60A 2,8mj (on), 1mj (off) 123 NC 27NS / 93NS
MUBW10-12A7 IXYS Mubw10-12a7 85.4700
RFQ
 ECAD 7146 0,00000000 Ixys - En gros Actif -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Soutenir de châssis E2 Mubw10 105 W Redredeur de pont en trois phases E2 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 6 ONDULEUR TRIPHASÉ AVEC FREINAGE NPT 1200 V 20 a 2,7 V @ 15V, 10A 600 µA Oui 600 pf @ 25 V
IXYH40N90C3D1 IXYS IXYH40N90C3D1 11.1000
RFQ
 ECAD 306 0,00000000 Ixys GenX3 ™, XPT ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixyh40 Standard 500 W À 247 (ixth) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté Q7763666 EAR99 8541.29.0095 30 450V, 40A, 5OHM, 15V 100 ns - 900 V 90 A 180 A 2,5 V @ 15V, 40A 1,9mj (on), 1mj (off) 74 NC 27NS / 78NS
IXFH180N20X3 IXYS IXFH180N20X3 17.3300
RFQ
 ECAD 600 0,00000000 Ixys HiperFet ™, Ultra x3 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 IXFH180 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247 (ixth) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 200 V 180a (TC) 10V 7,5 mohm @ 90a, 10v 4,5 V @ 4mA 154 NC @ 10 V ± 20V 10300 pf @ 25 V - 780W (TC)
IXGP24N120C3 IXYS IXGP24N120C3 6.4216
RFQ
 ECAD 6887 0,00000000 Ixys Genx3 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Ixgp24 Standard 250 W À 220-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 600V, 20A, 5OHM, 15V Pt 1200 V 48 A 96 A 4.2 V @ 15V, 20A 1,16mj (on), 470 µJ (off) 79 NC 16NS / 93NS
IXGH12N60CD1 IXYS IXGH12N60CD1 -
RFQ
 ECAD 6726 0,00000000 Ixys Hiperfast ™, LightSpeed ​​™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 IXGH12 Standard 100 W À 247ad télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 480V, 12A, 18OHM, 15V 35 ns - 600 V 24 A 48 A 2,7 V @ 15V, 12A 90 µJ (off) 32 NC 20ns / 60ns
IXGH40N60B2D1 IXYS IXGH40N60B2D1 -
RFQ
 ECAD 5176 0,00000000 Ixys Hiperfast ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 IXGH40 Standard 300 W À 247ad télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 400V, 30A, 3,3 ohms, 15v 25 ns Pt 600 V 75 A 200 A 1,7 V @ 15V, 30A 400 µJ (off) 100 NC 18NS / 130NS
IXTV03N400S IXYS IXTV03N400S -
RFQ
 ECAD 2884 0,00000000 Ixys - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface Plus-220SMD Ixtv03 MOSFET (Oxyde Métallique) Plus-220SMD télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 4000 V 300mA (TC) 10V 290OHM @ 500mA, 10V 4V @ 250µA 16.3 NC @ 10 V ± 20V 435 PF @ 25 V - 130W (TC)
IXFP14N60P IXYS Ixfp14n60p 3.5284
RFQ
 ECAD 7181 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Polaire Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Ixfp14 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 600 V 14A (TC) 10V 550mohm @ 7a, 10v 5,5 V @ 2,5mA 36 NC @ 10 V ± 30V 2500 pf @ 25 V - 300W (TC)
DSS6-0025BS-TRL IXYS Dss6-0025bs-trl -
RFQ
 ECAD 3311 0,00000000 Ixys - Ruban Adhésif (tr) Abandonné à sic Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Dss6 Schottky À 252aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 2 500 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 25 V 400 mV @ 6 A 6 Ma @ 25 V -55 ° C ~ 150 ° C 6A -
MWI30-06A7 IXYS MWI30-06A7 -
RFQ
 ECAD 5043 0,00000000 Ixys - Boîte Obsolète -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis E2 MWI30 140 W Standard E2 - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 6 Onduleur Triphasé NPT 600 V 45 A 2,4 V @ 15V, 30A 600 µA Non 1,6 nf @ 25 V
IXTA08N50D2 IXYS Ixta08n50d2 2.7700
RFQ
 ECAD 7464 0,00000000 Ixys Épuisement Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixta08 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 500 V 800mA (TC) - 4,6 ohm @ 400mA, 0v - 12.7 NC @ 5 V ± 20V 312 PF @ 25 V Mode d'Épuiment 60W (TC)
DSI45-12A IXYS DSI45-12A 4.6100
RFQ
 ECAD 9433 0,00000000 Ixys - Tube Actif Par le trou À 247-2 Dsi45 Standard À 247ad télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté DSI4512A EAR99 8541.10.0080 30 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 1200 V 1,28 V @ 45 A 20 µA à 1200 V -40 ° C ~ 175 ° C 45a 18pf @ 400V, 1MHz
VHF15-12IO5 IXYS VHF15-12IO5 -
RFQ
 ECAD 6826 0,00000000 Ixys - Boîte Obsolète -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Soutenir de châssis PWS-E1 VHF15 Bridge, monophasé - SCR / Diodes (Disposition 1) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.30.0080 10 100 mA 1,2 kV 15 A 1 V 190a, 210a 65 Ma 2 SCR, 2 diodes
IXTH12N150 IXYS IXTH12N150 17.1700
RFQ
 ECAD 27 0,00000000 Ixys - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixth12 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247 (ixth) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 1500 V 12A (TC) 10V 2OHM @ 6A, 10V 4,5 V @ 250µA 106 NC @ 10 V ± 30V 3720 PF @ 25 V - 890W (TC)
MCC500-18IO1 IXYS MCC500-18IO1 -
RFQ
 ECAD 7031 0,00000000 Ixys - Boîte Obsolète -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Soutenir de châssis WC-500 MCC500 Connexion de la Série - Tous Les Scr télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.30.0080 1 1 a 1,8 kV 1294 A 3 V 16500A @ 50hz 300 mA 545 A 2 SCR
MCO100-16IO1 IXYS MCO100-16IO1 39.9600
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 ECAD 4566 0,00000000 Ixys - Tube Actif -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc MCO100 Célibataire télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté MCO10016IO1 EAR99 8541.30.0080 10 200 mA 1,6 kV 156 A 1,5 V 1400A, 1500A 100 mA 99 A 1 SCR
IXFH88N30P IXYS Ixfh88n30p 14.8700
RFQ
 ECAD 1809 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Polaire Boîte Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 IXFH88 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247ad (ixfh) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 300 V 88A (TC) 10V 40 mohm @ 44a, 10v 5V @ 4mA 180 NC @ 10 V ± 20V 6300 pf @ 25 V - 600W (TC)
MMO36-12IO1 IXYS MMO36-12IO1 -
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 ECAD 9917 0,00000000 Ixys - Boîte Obsolète -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Soutenir de châssis Module MMO Contrôleur 1 phase - tous les scr télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.30.0080 30 100 mA 1,2 kV 28 A 1 V 360a, 390a 65 Ma 18 a 2 SCR
MWI100-12E8 IXYS MWI100-12E8 -
RFQ
 ECAD 5567 0,00000000 Ixys - Boîte Obsolète -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Soutenir de châssis E3 MWI100 640 W Standard E3 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 5 Onduleur Triphasé NPT 1200 V 165 A 2,5 V @ 15V, 100A 1,4 mA Non 7.4 NF @ 25 V
IXFH70N15 IXYS IXFH70N15 -
RFQ
 ECAD 9024 0,00000000 Ixys HiperFet ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 IXFH70 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247ad (ixfh) télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 150 V 70A (TC) 10V 28MOHM @ 35A, 10V 4V @ 4mA 180 NC @ 10 V ± 20V 3600 pf @ 25 V - 300W (TC)
IXYH55N120A4 IXYS IXYH55N120A4 13h0000
RFQ
 ECAD 30 0,00000000 Ixys - Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 IXYH55 Standard 650 W À 247 (ixth) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 238-IXYH55N120A4 EAR99 8541.29.0095 30 600V, 40A, 5OHM, 15V 35 ns Pt 1200 V 175 A 350 A 1,8 V @ 15V, 55A 2,3mj (on), 5,3mj (off) 110 NC 23ns / 300ns
IXA20PG1200DHG-TUB IXYS Ixa20pg1200dhg-tub 19.6670
RFQ
 ECAD 7887 0,00000000 Ixys - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface Module 9 MMD Ixa20 130 W Standard Isoplus-smpd ™ .b télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 20 Demi-pont Pt 1200 V 32 A 2.1V @ 15V, 15A 125 µA Non
DSEP30-12CR IXYS Dsep30-12cr 11.9800
RFQ
 ECAD 30 0,00000000 Ixys Hiperdynfred ™ Tube Actif Par le trou Isoplus247 ™ DSEP30 Standard ISOPLUS247 ™ (BR) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté Dsep3012cr EAR99 8541.10.0080 30 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1200 V 4,98 V @ 30 A 15 ns 250 µA à 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 30A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

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    2800+

    Fabricants mondiaux

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    15 000 m2

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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