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Produits semi-conduurs discrètes (6315)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Technologie	Power - Max	Structure	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Vitre	Taper fet	Courant - Hold (IH) (Max)	Condition de test	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Tension - Hors de l'ÉTAT	COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max)	Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max)	COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM)	Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max)	Tension - À l'ÉTAT (VTM) (Max)	COURANT - À L'ÉTAT (IT (AV)) (Max)	COURANT - OFF L'ÉTAT (MAX)	Type Scr	Tension - DC inverse (VR) (max)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Nombre de Scr, Diodes	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	Capacité d'entrée (cies) @ vce
Dss6-0025bs-trl	-	RFQ	3311	Ixys	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic		Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Dss6		Schottky				À 252aa	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	2 500		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																							25 V	400 mV @ 6 A		6 Ma @ 25 V	-55 ° C ~ 150 ° C	6A	-
MWI30-06A7	-	RFQ	5043	Ixys	-	Boîte	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	E2	MWI30			140 W		Standard	E2	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	6	Onduleur Triphasé																																NPT	600 V	45 A		2,4 V @ 15V, 30A				600 µA	Non	1,6 nf @ 25 V
MCK700-22IO1W	-	RFQ	5328	Ixys	-	Plateau	Obsolète	-	Soutenir de châssis	WC-500	MCK700				Cathode Commune - Tous Les Scr			-		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.30.0080	1																2,2 kV	1331 A		18200 @ 50MHz			700 A										2 SCR
Ixta08n50d2	2.7700	RFQ	7464	Ixys	Épuisement	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Ixta08		MOSFET (Oxyde Métallique)				À 263aa	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n			500 V	800mA (TC)	-	4,6 ohm @ 400mA, 0v	-	12.7 NC @ 5 V	± 20V	312 PF @ 25 V	Mode d'Épuiment	60W (TC)
DSI45-12A	4.6100	RFQ	9433	Ixys	-	Tube	Actif		Par le trou	À 247-2	Dsi45		Standard				À 247ad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	DSI4512A	EAR99	8541.10.0080	30		Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)																							1200 V	1,28 V @ 45 A		20 µA à 1200 V	-40 ° C ~ 175 ° C	45a	18pf @ 400V, 1MHz
VHF15-12IO5	-	RFQ	6826	Ixys	-	Boîte	Obsolète	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	PWS-E1	VHF15				Bridge, monophasé - SCR / Diodes (Disposition 1)			télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.30.0080	10				100 mA												1,2 kV	15 A	1 V	190a, 210a	65 Ma												2 SCR, 2 diodes
IXTH12N150	17.1700	RFQ	27	Ixys	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Ixth12		MOSFET (Oxyde Métallique)				À 247 (ixth)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30			Canal n			1500 V	12A (TC)	10V	2OHM @ 6A, 10V	4,5 V @ 250µA	106 NC @ 10 V	± 30V	3720 PF @ 25 V	-	890W (TC)
MCC500-18IO1	-	RFQ	7031	Ixys	-	Boîte	Obsolète	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	WC-500	MCC500				Connexion de la Série - Tous Les Scr			télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.30.0080	1				1 a												1,8 kV	1294 A	3 V	16500A @ 50hz	300 mA		545 A										2 SCR
MCO100-16IO1	39.9600	RFQ	4566	Ixys	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	MCO100				Célibataire			télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	MCO10016IO1	EAR99	8541.30.0080	10				200 mA												1,6 kV	156 A	1,5 V	1400A, 1500A	100 mA		99 A										1 SCR
Ixfh88n30p	14.8700	RFQ	1809	Ixys	Hiperfet ™, Polaire	Boîte	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	IXFH88		MOSFET (Oxyde Métallique)				À 247ad (ixfh)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30			Canal n			300 V	88A (TC)	10V	40 mohm @ 44a, 10v	5V @ 4mA	180 NC @ 10 V	± 20V	6300 pf @ 25 V	-	600W (TC)
MMO36-12IO1	-	RFQ	9917	Ixys	-	Boîte	Obsolète	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	MMO				Contrôleur 1 phase - tous les scr			télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.30.0080	30				100 mA												1,2 kV	28 A	1 V	360a, 390a	65 Ma		18 a										2 SCR
MWI100-12E8	-	RFQ	5567	Ixys	-	Boîte	Obsolète	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	E3	MWI100			640 W		Standard	E3	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	5	Onduleur Triphasé																																NPT	1200 V	165 A		2,5 V @ 15V, 100A				1,4 mA	Non	7.4 NF @ 25 V
IXFH70N15	-	RFQ	9024	Ixys	HiperFet ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	IXFH70		MOSFET (Oxyde Métallique)				À 247ad (ixfh)	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30			Canal n			150 V	70A (TC)	10V	28MOHM @ 35A, 10V	4V @ 4mA	180 NC @ 10 V	± 20V	3600 pf @ 25 V	-	300W (TC)
IXYH55N120A4	13h0000	RFQ	30	Ixys	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	IXYH55	Standard		650 W			À 247 (ixth)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	238-IXYH55N120A4	EAR99	8541.29.0095	30					600V, 40A, 5OHM, 15V																						35 ns						Pt	1200 V	175 A	350 A	1,8 V @ 15V, 55A	2,3mj (on), 5,3mj (off)	110 NC	23ns / 300ns
Ixa20pg1200dhg-tub	19.6670	RFQ	7887	Ixys	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	Module 9 MMD	Ixa20			130 W		Standard	Isoplus-smpd ™ .b	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	20	Demi-pont																																Pt	1200 V	32 A		2.1V @ 15V, 15A				125 µA	Non
Dsep30-12cr	11.9800	RFQ	30	Ixys	Hiperdynfred ™	Tube	Actif		Par le trou	Isoplus247 ™	DSEP30		Standard				ISOPLUS247 ™ (BR)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	Dsep3012cr	EAR99	8541.10.0080	30		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																							1200 V	4,98 V @ 30 A	15 ns	250 µA à 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	30A	-
MCC95-18IO8B	40,7000	RFQ	7678	Ixys	-	Boîte	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	À 240aa	MCC95				Connexion de la Série - Tous Les Scr			télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.30.0080	36				200 mA												1,8 kV	180 A	2,5 V	2250A, 2400A	150 mA		116 A										2 SCR
VDI25-06P1	-	RFQ	5858	Ixys	-	Boîte	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Eco-Pac2	Vdi			82 W		Standard	Eco-Pac2	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	25	Célibataire																																NPT	600 V	24.5 A		2,9 V @ 15V, 25A				600 µA	Oui	8 nf @ 25 V
N0530YN220	-	RFQ	6948	Ixys	-	Boîte	Abandonné à sic	-60 ° C ~ 125 ° C	Soutenir de châssis	À 200ab, b-puk	N0530						W91	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	238-N0530YN220	EAR99	8541.30.0080	24				300 mA												2,2 kV	1040 A	2,5 V	7000A @ 50hz	250 mA	3,5 V	530 A	70 mA	Norme de rénovation
Dsi30-08as-tub	2.9700	RFQ	8779	Ixys	-	Tube	Actif		Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Dsi30		Standard				À 263aa	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	50		Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)																							800 V	1,29 V @ 30 A		40 µA @ 800 V	-40 ° C ~ 175 ° C	30A	10pf @ 400v, 1MHz
Ixsn35n120au1	-	RFQ	2224	Ixys	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	Ixsn35			300 W		Standard	SOT-227B	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	10	Célibataire																																Pt	1200 V	70 A		4V @ 15V, 35A				750 µA	Non	3,9 nf @ 25 V
Ixta4n65x2	3.0400	RFQ	35	Ixys	Ultra x2	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Ixta4		MOSFET (Oxyde Métallique)				À 263	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n			650 V	4A (TC)	10V	850MOHM @ 2A, 10V	5V @ 250µA	8.3 NC @ 10 V	± 30V	455 PF @ 25 V	-	80W (TC)
Ixtp12n50p	3.8900	RFQ	175	Ixys	Polaire	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Ixtp12		MOSFET (Oxyde Métallique)				À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n			500 V	12A (TC)	10V	500mohm @ 6a, 10v	5,5 V @ 250µA	29 NC @ 10 V	± 30V	1830 pf @ 25 V	-	200W (TC)
VHF125-16IO7	-	RFQ	1171	Ixys	-	Boîte	Obsolète	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	PWS-E1					Bridge, monophasé - SCR / Diodes (Disposition 1)			télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.30.0080	5				200 mA												1,6 kV	89 A	1,5 V	1500A, 1600A	100 mA												2 SCR, 2 diodes
DSA1-16D	5.4600	RFQ	9643	Ixys	-	Boîte	Actif		Par le trou	Radial	DSA1		Avalanche				-	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	100		Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)																							1600 V	1,34 V @ 7 A		700 µA à 1600 V	-40 ° C ~ 150 ° C	2.3a	-
IXXP12N65B4D1	2.8766	RFQ	4939	Ixys	XPT ™, GenX4 ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Ixxp12	Standard		160 W			À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50					400V, 12A, 20OHM, 15V																						43 NS						-	650 V	38 A	70 A	1,95 V @ 15V, 12A	440µJ (ON), 220µJ (OFF)	34 NC	13ns / 158ns
DSI30-12AC	-	RFQ	7749	Ixys	-	Tube	Actif		Par le trou	ISOPLUS220 ™	Dsi30		Standard				ISOPLUS220 ™	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	50		Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)																							1200 V	1 45 V @ 45 A		50 µA à 1200 V	-55 ° C ~ 150 ° C	30A	-
FMM110-015X2F	-	RFQ	7604	Ixys	Gigamos ™, HiperFet ™, Trencht2 ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	I4-Pac ™ -5	FMM110		MOSFET (Oxyde Métallique)	180w			ISOPLUS I4-PAC ™	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	25	2 Canaux N (double)					150V	53a		20 mohm @ 55a, 10v	4,5 V @ 250µA	150nc @ 10v		8600pf @ 25v	-
IXTH300N04T2	6.8267	RFQ	9117	Ixys	Trencht2 ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Ixth300		MOSFET (Oxyde Métallique)				À 247 (ixth)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30			Canal n			40 V	300A (TC)	10V	2,5 mohm @ 50a, 10v	4V @ 250µA	145 NC @ 10 V	± 20V	10700 pf @ 25 V	-	480W (TC)
IXFH58N20	-	RFQ	4808	Ixys	HiperFet ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	IXFH58		MOSFET (Oxyde Métallique)				À 247ad (ixfh)	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté	IXFH58N20-NDR	EAR99	8541.29.0095	30			Canal n			200 V	58A (TC)	10V	40 mohm @ 29a, 10v	4V @ 4mA	220 NC @ 10 V	± 20V	4400 pf @ 25 V	-	300W (TC)