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Produits semi-conduurs discrètes (6315)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Technologie Power - Max Structure Saisir Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Vitre Taper fet Courant - Hold (IH) (Max) Condition de test Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Tension - Hors de l'ÉTAT COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max) COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM) Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max) Tension - À l'ÉTAT (VTM) (Max) COURANT - À L'ÉTAT (IT (AV)) (Max) COURANT - OFF L'ÉTAT (MAX) Type Scr Configuration de diode Tension - DC inverse (VR) (max) COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) Tension - en Avant (vf) (max) @ si Temps de réménage inversé (TRR) Courant - FUITE INVERSEE @ VR Température de FonctionNement - Jonction Current - Rectifié Moyen (IO) Capacité @ vr, f Nombre de Scr, Diodes Type igbt Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Commutation d'Énergie Charge de Porte TD (On / Off) à 25 ° C Thermistance NTC
CS22-08IO1M IXYS CS22-08IO1M 3.7600
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 ECAD 8657 0,00000000 Ixys - Tube Actif -40 ° C ~ 150 ° C Par le trou To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé CS22 Onglet isolé à 220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté CS2208IO1M EAR99 8541.30.0080 50 60 mA 800 V 25 A 1,3 V 300A, 325A 30 mA 1,3 V 16 A 10 µA Norme de rénovation
W6262ZC240 IXYS W6262ZC240 -
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 ECAD 2596 0,00000000 Ixys - Boîte Abandonné à sic Soutenir de châssis Do00ae W6262 Standard W7 - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 238-W6262ZC240 EAR99 8541.10.0080 12 Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO) 2400 V 1,18 V @ 6800 A 150 mA @ 2400 V -40 ° C ~ 175 ° C 6262A -
HTZ180D35K IXYS HTZ180D35K -
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 ECAD 3721 0,00000000 Ixys HTZ180D Boîte Actif Soutenir de châssis Module HTZ180 Standard Module télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 1 Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO) Connexion de la Séririe 1 paire 35000 V 1.3a 22 V @ 2 A 500 µA à 35000 V
MCD220-14IO1 IXYS MCD220-14IO1 -
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 ECAD 9180 0,00000000 Ixys - Boîte Actif -40 ° C ~ 140 ° C (TJ) Soutenir de châssis Y2-dcb MCD220 Connexion de la Séririe - SCR / Diode télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.30.0080 2 150 mA 1,4 kV 400 A 2 V 8500A, 9000A 150 mA 250 A 1 SCR, 1 Diode
DSEI60-06A IXYS DSEI60-06A 7.7400
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 ECAD 738 0,00000000 Ixys - Tube Actif Par le trou À 247-2 Dsei60 Standard À 247ad télécharger Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté Q2202746A EAR99 8541.10.0080 30 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 600 V 1,8 V @ 70 A 50 ns 200 µA à 600 V -40 ° C ~ 150 ° C 60A -
MIXG240RF1200P-PC IXYS Mixg240rf1200p-pc 81.6979
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 ECAD 2557 0,00000000 Ixys - Boîte Actif - - - Mixg240 - - télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 28 - - -
VWI3X20-06P1 IXYS VWI3X20-06P1 -
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 ECAD 7686 0,00000000 Ixys - Boîte Obsolète - Soutenir de châssis Eco-Pac1 Vwi Standard Eco-Pac1 - 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 25 - - 600 V 20 a - Non
IXFT20N60Q IXYS IXFT20N60Q -
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 ECAD 6230 0,00000000 Ixys HiperFet ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa Ixft20 MOSFET (Oxyde Métallique) À 268aa télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 600 V 20A (TC) 10V 350mohm @ 10a, 10v 4,5 V @ 4mA 90 NC @ 10 V ± 30V 3300 pf @ 25 V - 300W (TC)
DSEP30-04A IXYS DSEP30-04A -
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 ECAD 9181 0,00000000 Ixys Hiperfred ™ Tube Obsolète Par le trou À 247-2 DSEP30 Standard À 247ad télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 30 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 400 V 1,46 V @ 30 A 30 ns 250 µA @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C 30A -
DSEC60-06B IXYS DSEC60-06B 7.7300
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 ECAD 19 0,00000000 Ixys Hiperfred ™ Tube Actif Par le trou À 247-3 DSEC60 Standard À 247ad télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 30 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 600 V 30A 2,51 V @ 30 A 30 ns 250 µA à 600 V -55 ° C ~ 175 ° C
IXTA4N150HV IXYS Ixta4n150hv 28.3600
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 ECAD 2048 0,00000000 Ixys - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixta4 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 1500 V 4A (TC) 10V 6OHM @ 500mA, 10V 5V @ 250µA 44,5 NC @ 10 V ± 30V 1576 pf @ 25 V - 280W (TC)
IXFR180N085 IXYS IXFR180N085 -
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 ECAD 5950 0,00000000 Ixys HiperFet ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 IXFR180 MOSFET (Oxyde Métallique) Isoplus247 ™ télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 85 V 180a (TC) 10V 7MOHM @ 500mA, 10V 4V @ 8mA 320 NC @ 10 V ± 20V 9100 pf @ 25 V - 400W (TC)
IXTQ140N10P IXYS Ixtq140n10p 8.1083
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 ECAD 3638 0,00000000 Ixys Polaire Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou TO-3P-3, SC-65-3 Ixtq140 MOSFET (Oxyde Métallique) To-3p télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 100 V 140a (TC) 10V 11MOHM @ 70A, 10V 5V @ 250µA 155 NC @ 10 V ± 20V 4700 PF @ 25 V - 600W (TC)
IXFA12N50P IXYS Ixfa12n50p 4.3100
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 ECAD 1 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Polaire Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixfa12 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263aa (ixfa) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté -IXFA12N50P EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 500 V 12A (TC) 10V 500mohm @ 6a, 10v 5,5 V @ 1MA 29 NC @ 10 V ± 30V 1830 pf @ 25 V - 200W (TC)
IXTN90N25L2 IXYS Ixtn90n25l2 51.3300
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 ECAD 590 0,00000000 Ixys L2 ™ Lineaire Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Ixtn90 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-227B télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 10 Canal n 250 V 90a (TC) 10V 33MOHM @ 500mA, 10V 4,5 V @ 3MA 640 NC @ 10 V ± 20V 23000 pf @ 25 V - 735W (TC)
DSB60C60PB IXYS Dsb60c60pb -
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 ECAD 3822 0,00000000 Ixys - Tube Abandonné à sic Par le trou À 220-3 DSB60C60 Schottky À 220-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 50 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 60 V 30A 780 MV @ 30 A 20 mA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C
IXTF02N450 IXYS Ixtf02n450 45.3300
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 ECAD 771 0,00000000 Ixys - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou I4-Pac ™ -5 (3 leads) Ixtf02 MOSFET (Oxyde Métallique) ISOPLUS I4-PAC ™ télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 25 Canal n 4500 V 200mA (TC) 10V 750OHM @ 10mA, 10V 6,5 V @ 250µA 10.4 NC @ 10 V ± 20V 256 pf @ 25 V - 78W (TC)
IXFR80N15Q IXYS IXFR80N15Q -
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 ECAD 7226 0,00000000 Ixys HiperFet ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixfr80 MOSFET (Oxyde Métallique) Isoplus247 ™ télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 150 V 75A (TC) 10V 22,5MOHM @ 40A, 10V 4V @ 4mA 180 NC @ 10 V ± 20V 4600 pf @ 25 V - 310W (TC)
IXTQ102N25T IXYS Ixtq102n25t -
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 ECAD 7258 0,00000000 Ixys Tranché Tube Actif - Par le trou TO-3P-3, SC-65-3 Ixtq102 MOSFET (Oxyde Métallique) To-3p - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 250 V 102A (TC) - - - -
IXFV22N60P IXYS Ixfv22n60p -
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 ECAD 5354 0,00000000 Ixys HiperFet ™, PolarHT ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3, Court de l'onglet Ixfv22 MOSFET (Oxyde Métallique) Plus220 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 600 V 22A (TC) 10V 350mohm @ 11a, 10v 5,5 V @ 4mA 58 NC @ 10 V ± 30V 3600 pf @ 25 V - 400W (TC)
M2325HA450 IXYS M2325ha450 -
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 ECAD 2280 0,00000000 Ixys - Boîte Abandonné à sic Soutenir de châssis Do-200ad M2325 Standard W121 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 238-M2325HA450 EAR99 8541.10.0080 1 Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO) 4500 V 2,6 V @ 2500 A 5,4 µs 150 mA @ 4500 V -40 ° C ~ 150 ° C 2325a -
IXGT20N60B IXYS Ixgt20n60b -
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 ECAD 1227 0,00000000 Ixys Hiperfast ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa Ixgt20 Standard 150 W À 268aa télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 480v, 20a, 10 ohms, 15v - 600 V 40 A 80 A 2V @ 15V, 20A 150 µJ (ON), 700 µJ (OFF) 90 NC 15NS / 150NS
IXKT70N60C5-TUB IXYS Ixkt70n60c5-tub 22.7233
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 ECAD 9457 0,00000000 Ixys - Tube Actif - Support de surface À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa Ixkt70 MOSFET (Oxyde Métallique) À 268aa - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 600 V 68A (TC) - - - -
IXTK80N25 IXYS Ixtk80n25 -
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 ECAD 5931 0,00000000 Ixys Mégamos ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 264-3, à 264aa Ixtk80 MOSFET (Oxyde Métallique) À 264 (ixtk) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 25 Canal n 250 V 80A (TC) 10V 33MOHM @ 500mA, 10V 4V @ 250µA 240 NC @ 10 V ± 20V 6000 pf @ 25 V - 540W (TC)
K0500LC650 IXYS K0500LC650 -
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 ECAD 2577 0,00000000 Ixys - Boîte Abandonné à sic -40 ° C ~ 125 ° C Soutenir de châssis À 200ab, b-puk K0500 W10 - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 238-K0500LC650 EAR99 8541.30.0080 6 1 a 6,5 kV 975 A 3 V 7000A @ 50hz 300 mA 2,7 V 500 A 150 mA Norme de rénovation
IXFP5N50P3 IXYS IXFP5N50P3 -
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 ECAD 2054 0,00000000 Ixys HiperFet ™, Polar3 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Ixfp5n50 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté -IXFP5N50P3 EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 500 V 5A (TC) 10V 1,65 ohm @ 2,5a, 10v 5V @ 1MA 6,9 NC @ 10 V ± 30V 370 pf @ 25 V - 114W (TC)
DSS10-01AS-TUB IXYS Dss10-01as-tub -
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 ECAD 6755 0,00000000 Ixys - Tube Abandonné à sic Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Dss10 Schottky À 263aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 50 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 100 V 840 MV @ 10 A 300 µA à 100 V -55 ° C ~ 175 ° C 10A -
IXFR25N90 IXYS IXFR25N90 -
RFQ
 ECAD 9912 0,00000000 Ixys - Tube Obsolète - Par le trou À 247-3 Ixfr25 MOSFET (Oxyde Métallique) Isoplus247 ™ - 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 900 V 25a (TC) - - - -
IXFC20N80P IXYS IXFC20N80P -
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 ECAD 7213 0,00000000 Ixys HiperFet ™, PolarHT ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou ISOPLUS220 ™ IXFC20N80 MOSFET (Oxyde Métallique) ISOPLUS220 ™ télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 800 V 11a (TC) 10V 500 MOHM @ 10A, 10V 5V @ 4mA 85 NC @ 10 V ± 30V 4680 pf @ 25 V - 166W (TC)
N6012ZD040 IXYS N6012ZD040 -
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 ECAD 3051 0,00000000 Ixys - Boîte Abandonné à sic -40 ° C ~ 140 ° C Soutenir de châssis À 200f N6012 W46 - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 238-N6012ZD040 EAR99 8541.30.0080 6 1 a 400 V 11795 A 3 V 71500A @ 50hz 300 mA 1 45 V 6012 A 100 mA Norme de rénovation
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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