SIC
close

Produits semi-conduurs discrètes (6315)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Technologie Power - Max Structure Saisir Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Vitre Taper fet Courant - Hold (IH) (Max) Condition de test Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Tension - Hors de l'ÉTAT COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max) COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM) Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max) COURANT - À L'ÉTAT (IT (AV)) (Max) Configuration de diode Tension - DC inverse (VR) (max) COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) Tension - en Avant (vf) (max) @ si Temps de réménage inversé (TRR) Courant - FUITE INVERSEE @ VR Température de FonctionNement - Jonction Current - Rectifié Moyen (IO) Capacité @ vr, f Nombre de Scr, Diodes Type igbt Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Commutation d'Énergie Charge de Porte TD (On / Off) à 25 ° C COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Thermistance NTC Capacité d'entrée (cies) @ vce
IXFX180N07 IXYS IXFX180N07 -
RFQ
 ECAD 7995 0,00000000 Ixys HiperFet ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou Variante à 247-3 IXFX180 MOSFET (Oxyde Métallique) Plus247 ™ -3 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 70 V 180a (TC) 10V 6MOHM @ 500mA, 10V 4V @ 8mA 420 NC @ 10 V ± 20V 9400 pf @ 25 V - 568W (TC)
DSA20C150PB IXYS DSA20C150PB 1.8200
RFQ
 ECAD 18 0,00000000 Ixys - Tube Abandonné à sic Par le trou À 220-3 DSA20C150 Schottky À 220-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 1 000 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 150 V 10A 880 MV @ 10 A 300 µA à 150 V -55 ° C ~ 175 ° C
VMO650-01F IXYS VMO650-01F 215.3600
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Ixys HiperFet ™ En gros Obsolète -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis Y3-dcb VMO650 MOSFET (Oxyde Métallique) Y3-dcb télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 Canal n 100 V 690A (TC) 10V 1,8MOHM @ 500mA, 10V 6v @ 130mA 2300 NC @ 10 V ± 20V 59000 pf @ 25 V - 2500W (TC)
IXFP56N30X3 IXYS Ixfp56n30x3 8.6700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Ixys HiperFet ™, Ultra x3 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Ixfp56 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 300 V 56a (TC) 10V 27MOHM @ 28A, 10V 4,5 V @ 1,5 mA 56 NC @ 10 V ± 20V 3750 pf @ 25 V - 320W (TC)
IXFC36N50P IXYS Ixfc36n50p -
RFQ
 ECAD 1655 0,00000000 Ixys HiperFet ™, PolarHT ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou ISOPLUS220 ™ IXFC36N50 MOSFET (Oxyde Métallique) ISOPLUS220 ™ télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 500 V 19A (TC) 10V 190MOHM @ 18A, 10V 5V @ 4mA 93 NC @ 10 V ± 30V 5500 pf @ 25 V - 156W (TC)
VIO130-06P1 IXYS Vio130-06p1 -
RFQ
 ECAD 6230 0,00000000 Ixys - Boîte Obsolète -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis Eco-Pac2 Vio 379 W Standard Eco-Pac2 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 25 Célibataire NPT 600 V 121 A 2,9 V @ 15V, 130A 1,2 mA Non 4.2 NF @ 25 V
IXBH42N170 IXYS IXBH42N170 29.0200
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Ixys Bimosfet ™ En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixbh42 Standard 360 W À 247ad télécharger Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 - 1,32 µs - 1700 V 80 A 300 A 2,8 V @ 15V, 42A - 188 NC -
MDA950-14N1W IXYS MDA950-14N1W -
RFQ
 ECAD 4489 0,00000000 Ixys - Plateau Obsolète Soutenir de châssis Module MDA950 Standard Module télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 1 Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO) 1 paire Commune d'anode 1400 V 950A 880 MV @ 500 A 18 µs 50 ma @ 1400 V -40 ° C ~ 150 ° C
IXFP30N25X3 IXYS IXFP30N25X3 6.7000
RFQ
 ECAD 197 0,00000000 Ixys HiperFet ™, Ultra x3 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Ixfp30 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 250 V 30a (TC) 10V 60 mohm @ 15a, 10v 4,5 V @ 500µA 21 NC @ 10 V ± 20V 1450 pf @ 25 V - 176W (TC)
IXFX250N10P IXYS Ixfx250n10p 21.3943
RFQ
 ECAD 9128 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Polaire Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou Variante à 247-3 Ixfx250 MOSFET (Oxyde Métallique) Plus247 ™ -3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 100 V 250a (TC) 10V 6,5 mohm @ 50a, 10v 5V @ 1MA 205 NC @ 10 V ± 20V 16000 pf @ 25 V - 1250W (TC)
FMM150-0075X2F IXYS FMM150-0075X2F 23.7500
RFQ
 ECAD 25 0,00000000 Ixys HiperFet ™, Trencht2 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou Isoplusi5-pak ™ FMM150 MOSFET (Oxyde Métallique) 170W ISOPLUS I4-PAC ™ télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 25 2 canal n (double) asymétrique 75V 120a 5,8MOHM @ 100A, 10V 4V @ 250µA 178nc @ 10v 10500pf @ 25v -
IXFH120N15P IXYS IXFH120N15P 10.0100
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Polaire Boîte Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 IXFH120 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247ad (ixfh) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 150 V 120A (TC) 10V 16MOHM @ 500mA, 10V 5V @ 4mA 150 NC @ 10 V ± 20V 4900 pf @ 25 V - 600W (TC)
IXFX90N20Q IXYS IXFX90N20Q -
RFQ
 ECAD 1643 0,00000000 Ixys HiperFet ™, Q CLASSE Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou Variante à 247-3 Ixfx90 MOSFET (Oxyde Métallique) Plus247 ™ -3 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté Ixfx90n20q-ndr EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 200 V 90a (TC) 10V 22MOHM @ 45A, 10V 4V @ 4mA 190 NC @ 10 V ± 20V 6800 pf @ 25 V - 500W (TC)
IXSA20N60B2D1 IXYS IXSA20N60B2D1 -
RFQ
 ECAD 9986 0,00000000 Ixys - Boîte Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab IXSA20 Standard 190 W À 263aa télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté IXSA20N60B2D1-NDR EAR99 8541.29.0095 50 480v, 16a, 10 ohms, 15v 30 ns Pt 600 V 35 A 60 a 2,5 V @ 15V, 16A 380 µJ (off) 33 NC 30ns / 116ns
IXFK55N50 IXYS IXFK55N50 -
RFQ
 ECAD 9094 0,00000000 Ixys HiperFet ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 264-3, à 264aa Ixfk55 MOSFET (Oxyde Métallique) À 264aa (ixfk) - Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté IXFK55N50-NDR EAR99 8541.29.0095 25 Canal n 500 V 55A (TC) 10V 90MOHM @ 27,5A, 10V 4,5 V @ 8mA 330 NC @ 10 V ± 20V 9400 pf @ 25 V - 625W (TC)
IXFH80N20Q IXYS IXFH80N20Q -
RFQ
 ECAD 7018 0,00000000 Ixys HiperFet ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 IXFH80 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247ad (ixfh) télécharger Non applicable IXFH80N20Q-NDR EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 200 V 80A (TC) 10V 28MOHM @ 500mA, 10V 4V @ 4mA 180 NC @ 10 V ± 20V 4600 pf @ 25 V - 360W (TC)
IXFH18N65X3 IXYS IXFH18N65X3 5.4460
RFQ
 ECAD 1038 0,00000000 Ixys - Tube Actif IXFH18 - 238-IXFH18N65X3 30
IXFH26N65X2 IXYS Ixfh26n65x2 11.8200
RFQ
 ECAD 180 0,00000000 Ixys HiperFet ™, Ultra x2 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixfh26 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247 (ixfh) - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 238-IXFH26N65X2 EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 650 V 26A (TC) 10V 130 MOHM @ 500mA, 10V 5V @ 2,5mA 45 NC @ 10 V ± 30V 2450 pf @ 25 V - 460W (TC)
W3708MC320 IXYS W3708MC320 -
RFQ
 ECAD 9833 0,00000000 Ixys - Boîte Abandonné à sic De serrer DO-200AC, K-PUK W3708 Standard W54 - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 238-W3708MC320 EAR99 8541.10.0080 12 Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO) 3200 V 1,27 V @ 3000 A 37 µs 100 mA @ 3200 V -40 ° C ~ 160 ° C 3753A -
IXFN120N60X3 IXYS IXFN120N60X3 34.4890
RFQ
 ECAD 2389 0,00000000 Ixys - Tube Actif Ixfn120 - 238-IXFN120N60X3 10
VIO50-06P1 IXYS Vio50-06p1 -
RFQ
 ECAD 2499 0,00000000 Ixys - Boîte Obsolète -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis Eco-Pac2 Vio 130 W Standard Eco-Pac2 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 25 Célibataire NPT 600 V 42,5 A 2,9 V @ 15V, 50A 600 µA Non 16 nf @ 25 V
MCD250-14IO1 IXYS MCD250-14IO1 -
RFQ
 ECAD 9806 0,00000000 Ixys - Boîte Actif -40 ° C ~ 140 ° C (TJ) Soutenir de châssis Y2-dcb MCD250 Connexion de la Séririe - SCR / Diode télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.30.0080 2 150 mA 1,4 kV 450 A 2 V 9000A, 9600A 150 mA 287 A 1 SCR, 1 Diode
IXGH30N60B2 IXYS IXGH30N60B2 -
RFQ
 ECAD 5227 0,00000000 Ixys Hiperfast ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 IXGH30 Standard 190 W À 247ad télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 400V, 24A, 5OHM, 15V Pt 600 V 70 A 150 A 1,8 V @ 15V, 24A 320µJ (off) 66 NC 13ns / 110ns
IXTT30N60P IXYS Ixtt30n60p -
RFQ
 ECAD 4846 0,00000000 Ixys Polaire Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa Ixtt30 MOSFET (Oxyde Métallique) À 268aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 600 V 30a (TC) 10V 240mohm @ 15a, 10v 5V @ 250µA 82 NC @ 10 V ± 30V 5050 PF @ 25 V - 540W (TC)
IXGR50N60C2 IXYS IXGR50N60C2 -
RFQ
 ECAD 2044 0,00000000 Ixys Hiperfast ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixgr50 Standard 200 W Isoplus247 ™ télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 480v, 40a, 2ohm, 15v Pt 600 V 75 A 300 A 2,7 V @ 15V, 40A 380 µJ (off) 138 NC 18NS / 115NS
IXFH32N48Q IXYS IXFH32N48Q -
RFQ
 ECAD 4215 0,00000000 Ixys HiperFet ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixfh32 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247ad (ixfh) - 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 480 V 32A (TC) 10V 130 mohm @ 15a, 10v 4V @ 4mA 300 NC @ 10 V ± 20V 5200 pf @ 25 V - 360W (TC)
M1022LC160 IXYS M1022LC160 -
RFQ
 ECAD 1417 0,00000000 Ixys - Boîte Abandonné à sic De serrer DO-200AB, B-PUK M1022 Standard W4 - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 238-M1022LC160 EAR99 8541.10.0080 6 Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO) 1600 V 1,85 V @ 2050 A 3 µs 100 mA @ 1600 V -40 ° C ~ 125 ° C 1022a -
IXGP24N60C IXYS Ixgp24n60c -
RFQ
 ECAD 9158 0,00000000 Ixys Hiperfast ™, LightSpeed ​​™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Ixgp24 Standard 150 W À 220-3 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 480v, 24a, 10 ohms, 15v - 600 V 48 A 96 A 2,5 V @ 15V, 24A 240 µJ (off) 55 NC 15NS / 75NS
DSSK30-0045B IXYS DSSK30-0045B -
RFQ
 ECAD 5008 0,00000000 Ixys - Tube Actif Par le trou À 247-3 DSSK30 Schottky À 247ad télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 30 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 45 V 15A 470 MV @ 15 A 10 ma @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C
MUBW100-06A8 IXYS MUBW100-06A8 -
RFQ
 ECAD 6367 0,00000000 Ixys - Boîte Obsolète -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Soutenir de châssis E3 Mousser 410 W Redredeur de pont en trois phases E3 - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 5 ONDULEUR TRIPHASÉ AVEC FREINAGE NPT 600 V 125 A 2,5 V @ 15V, 100A 1,4 mA Oui 4.3 NF @ 25 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock

Liste RFQ (0 éléments)
Liste des paniers (0 articles)
WishlistWishList (0 éléments)
SIC
AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

Quantité: 1

Comparez la liste (0 éléments)
Appuyez sur Entrée pour rechercher ou ESC pour fermer