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Produits semi-conduurs discrètes (5717)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI1025X-T1-E3 | - |  | 4135 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-563, SOT-666 | SI1025 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 250mw | SC-89 (SOT-563F) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | 2 Canal P (double) | 60V | 190m | 4OHM @ 500mA, 10V | 3V à 250µA | 1.7NC @ 15V | 23pf @ 25v | Porte de Niveau Logique | ||||||
 | SIR874DP-T1-GE3 | - | | 1844 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sir874 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 25 V | 20A (TC) | 4,5 V, 10V | 9.4MOHM @ 10A, 10V | 2,2 V @ 250µA | 27 NC @ 10 V | ± 20V | 985 PF @ 15 V | - | 3.9W (TA), 29,8W (TC) | ||||
 | Irf9z24 | - | | 1992 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | IRF9 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRF9Z24 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal p | 60 V | 11a (TC) | 10V | 280MOHM @ 6.6A, 10V | 4V @ 250µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 570 pf @ 25 V | - | 60W (TC) | |||
 | IRl540Strlpbf | 3.0900 | | 500 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRL540 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 100 V | 28a (TC) | 4V, 5V | 77MOHM @ 17A, 5V | 2V à 250µA | 64 NC @ 5 V | ± 10V | 2200 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 150W (TC) | |||||
 | SI1406DH-T1-GE3 | - | | 5870 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1406 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SC-70-6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 20 V | 3.1A (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 65MOHM @ 3,9A, 4,5 V | 1,2 V à 250µA | 7,5 NC @ 4,5 V | ± 8v | - | 1W (ta) | |||||
 | SI3493DV-T1-GE3 | - | | 1209 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Si3493 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 5.3A (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 27MOHM @ 7A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 32 NC @ 4,5 V | ± 8v | - | 1.1W (TA) | |||||
 | Irfp15n60lpbf | - | | 8248 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | IRFP15 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRFP15N60LPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | Canal n | 600 V | 15A (TC) | 10V | 460MOHM @ 9A, 10V | 5V @ 250µA | 100 nc @ 10 V | ± 30V | 2720 pf @ 25 V | - | 280W (TC) | |||
 | SQUN702E-T1_GE3 | 3.6300 | | 1826 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Soutien de la surface, flanc Mouillable | Mourir | SQUN702 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 48W (TC), 60W (TC) | Mourir | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | N et p canal, draine commun | 40v, 200v | 30a (TC), 20A (TC) | 9.2MOHM @ 9.8A, 10V, 60MOHM @ 5A, 10V, 30MOHM @ 6A, 10V | 2,5 V @ 250µA, 3,5 V @ 250µA | 23nc @ 20v, 14nc @ 20v, 30.2nc @ 100v | 1474pf @ 20v, 1450pf @ 20v, 1302pf @ 100v | - | |||||||
 | IRF510L | - | | 1280 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | IRF510 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 262-3 | - | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRF510L | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 100 V | 5.6a (TC) | 540mohm @ 3,4a, 10v | 4V @ 250µA | 8.3 NC @ 10 V | 180 pf @ 25 V | - | - | |||||
 | Irfibe20g | - | | 5236 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | IrFibe20 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * Irfibe20g | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 800 V | 1.4A (TC) | 10V | 6,5 ohm @ 840mA, 10V | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 530 pf @ 25 V | - | 30W (TC) | |||
 | SI8481DB-T1-E1 | 0.1432 | | 8459 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN III | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 4-ufbga | Si8481 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 4-Micro Food® (1,6x1,6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 9.7A (TC) | 1,8 V, 4,5 V | 21MOHM @ 3A, 4,5 V | 900 mV à 250 µA | 47 NC @ 4,5 V | ± 8v | 2500 pf @ 10 V | - | 2.8W (TC) | ||||
 | Irfl110tr | - | | 7659 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 261-4, à 261aa | Irfl110 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-223 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 100 V | 1.5A (TC) | 10V | 540mohm @ 900mA, 10V | 4V @ 250µA | 8.3 NC @ 10 V | ± 20V | 180 pf @ 25 V | - | 2W (TA), 3.1W (TC) | ||||
| Irf840astrl | - | | 4537 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRF840 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 500 V | 8A (TC) | 10V | 850mohm @ 4.8a, 10v | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ± 30V | 1018 PF @ 25 V | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | ||||
 | Sum110n04-2m1p-e3 | - | | 6360 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | SUM110 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263 (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 40 V | 29A (TA), 110A (TC) | 4,5 V, 10V | 2.1MOHM @ 30A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 360 NC @ 10 V | ± 20V | 18800 PF @ 20 V | - | 3.13W (TA), 312W (TC) | |||||
| Irfbc40lcl | - | | 4227 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | Irfbc40 | MOSFET (Oxyde Métallique) | I2pak | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | * Irfbc40lcl | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 600 V | 6.2a (TC) | 10V | 1,2 ohm @ 3,7a, 10v | 4V @ 250µA | 39 NC @ 10 V | ± 30V | 1100 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||
 | Sihj8n60e-T1-Ge3 | 2.2000 | | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sihj8 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 600 V | 8A (TC) | 10V | 520 mohm @ 4a, 10v | 4V @ 250µA | 44 NC @ 10 V | ± 30V | 754 PF @ 100 V | - | 89W (TC) | |||||
 | SIJ420DP-T1-GE3 | - | | 2145 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sij420 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 20 V | 50A (TC) | 4,5 V, 10V | 2,6MOHM @ 15A, 10V | 2,4 V @ 250µA | 90 NC @ 10 V | ± 20V | 3630 PF @ 10 V | - | 4.8W (TA), 62,5W (TC) | |||||
| SI3483DV-T1-GE3 | - | | 9139 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SI3483 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 30 V | 4.7A (TA) | 4,5 V, 10V | 35MOHM @ 6.2A, 10V | 3V à 250µA | 35 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.14W (TA) | |||||
 | SI5947DU-T1-E3 | - | | 8169 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® Chipfet ™ Dual | SI5947 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 10.4w | PowerPak® Chipfet Dual | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canal P (double) | 20V | 6A | 58MOHM @ 3,6A, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 17nc @ 10v | 480pf @ 10v | Porte de Niveau Logique | ||||||
 | Irfr120pbf | 1.2300 | | 8 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | IRFR120 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * Irfr120pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal n | 100 V | 7.7a (TC) | 10V | 270MOHM @ 4.6A, 10V | 4V @ 250µA | 16 NC @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||
| SI3424BDV-T1-E3 | - | | 4865 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SI3424 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 8A (TC) | 4,5 V, 10V | 28MOHM @ 7A, 10V | 3V à 250µA | 19,6 NC @ 10 V | ± 20V | 735 PF @ 15 V | - | 2.1W (TA), 2 98W (TC) | ||||
 | Siha25n60efl-ge3 | 4.7300 | | 997 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | Emballage complet à 220 | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 600 V | 25a (TC) | 10V | 146MOHM @ 12,5A, 10V | 5V @ 250µA | 75 NC @ 10 V | ± 30V | 2274 PF @ 100 V | - | 39W (TC) | |||||||
| SI1470DH-T1-GE3 | - | | 6216 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1470 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SC-70-6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 5.1a (TC) | 2,5 V, 4,5 V | 66MOHM @ 3,8A, 4,5 V | 1,6 V @ 250µA | 7,5 NC @ 5 V | ± 12V | 510 PF @ 15 V | - | 1.5W (TA), 2,8W (TC) | ||||
 | 2N7002-T1-E3 | 0,6500 | | 404 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 2N7002 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 236 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 60 V | 115mA (TA) | 5v, 10v | 7,5 ohm @ 500mA, 10V | 2,5 V @ 250µA | ± 20V | 50 pf @ 25 V | - | 200MW (TA) | |||||
| Irf720strrpbf | 1.1558 | | 2676 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRF720 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 400 V | 3.3A (TC) | 10V | 1,8 ohm @ 2a, 10v | 4V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ± 20V | 410 PF @ 25 V | - | 3.1W (TA), 50W (TC) | |||||
| Irf9z14spbf | 1.6800 | | 72 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRF9Z14 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * Irf9z14spbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal p | 60 V | 6.7A (TC) | 10V | 500MOHM @ 4A, 10V | 4V @ 250µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 270 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 43W (TC) | ||||
| SI7862ADP-T1-GE3 | 2.2903 | | 2084 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SI7862 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 16 V | 18A (TA) | 2,5 V, 4,5 V | 3MOHM @ 29A, 4,5 V | 2V à 250µA | 80 NC @ 4,5 V | ± 8v | 7340 PF @ 8 V | - | 1.9W (TA) | |||||
 | Irlz14pbf-be3 | 1.1100 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Irlz14 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | 1 (illimité) | 742-irlz14pbf-be3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 60 V | 10A (TC) | 200 mohm @ 6a, 5v | 2V à 250µA | 8,4 NC @ 5 V | ± 10V | 400 pf @ 25 V | - | 43W (TC) | ||||||
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 | SI7962DP-T1-E3 | - | | 4984 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 Dual | SI7962 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1,4 W | PowerPak® SO-8 Dual | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 40V | 7.1a | 17MOHM @ 11.1A, 10V | 4,5 V @ 250µA | 70nc @ 10v | - | - |
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