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Produits semi-conduurs discrètes (5717)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)
SI3424BDV-T1-E3	-	RFQ	4865	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	SI3424	MOSFET (Oxyde Métallique)		6 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	30 V	8A (TC)	4,5 V, 10V	28MOHM @ 7A, 10V	3V à 250µA	19,6 NC @ 10 V	± 20V	735 PF @ 15 V	-	2.1W (TA), 2 98W (TC)
Irfi734gpbf	-	RFQ	4180	Vishay Siliconix	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé	Irfi734	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	* Irfi734gpbf	EAR99	8541.29.0095	50		Canal n	450 V	3.4A (TC)	10V	1,2 ohm @ 2a, 10v	4V @ 250µA	45 NC @ 10 V	± 20V	680 pf @ 25 V	-	35W (TC)
IRFU014	-	RFQ	4937	Vishay Siliconix	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa	Irfu	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 251aa	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	* IRFU014	EAR99	8541.29.0095	75		Canal n	60 V	7.7a (TC)	10V	200 mohm @ 4.6a, 10v	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	± 20V	300 pf @ 25 V	-	2.5W (TA), 25W (TC)
Sihw47n60ef-ge3	6.4775	RFQ	9219	Vishay Siliconix	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Sihw47	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247ad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	480		Canal n	600 V	47a (TC)	10V	65MOHM @ 24A, 10V	4V @ 250µA	225 NC @ 10 V	± 30V	4854 PF @ 100 V	-	379W (TC)
Sira84dp-t1-ge3	0,5700	RFQ	5	Vishay Siliconix	TRENCHFET® GEN IV	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8	Sira84	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SO-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	30 V	60a (TC)	4,5 V, 10V	4,6MOHM @ 15A, 10V	2,4 V @ 250µA	38 NC @ 10 V	+ 20V, -16V	1535 pf @ 15 V	-	34,7w (TC)
SI4948BEY-T1-E3	1.3200	RFQ	289	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	Si4948	MOSFET (Oxyde Métallique)	1,4 W	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500	2 Canal P (double)		60V	2.4a		120 MOHM @ 3.1A, 10V	3V à 250µA	22nc @ 10v		-	Porte de Niveau Logique
IRF510L	-	RFQ	1280	Vishay Siliconix	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa	IRF510	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 262-3	-	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	* IRF510L	EAR99	8541.29.0095	50		Canal n	100 V	5.6a (TC)		540mohm @ 3,4a, 10v	4V @ 250µA	8.3 NC @ 10 V		180 pf @ 25 V	-	-
Irfibe20g	-	RFQ	5236	Vishay Siliconix	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé	IrFibe20	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	* Irfibe20g	EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n	800 V	1.4A (TC)	10V	6,5 ohm @ 840mA, 10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	± 20V	530 pf @ 25 V	-	30W (TC)
IRF9610L	-	RFQ	1325	Vishay Siliconix	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa	IRF9610	MOSFET (Oxyde Métallique)		I2pak	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)		* IRF9610L	EAR99	8541.29.0095	50		Canal p	200 V	1.8A (TC)	10V	3OHM @ 900mA, 10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	± 20V	170 pf @ 25 V	-	-
Irfbc40lcstrr	-	RFQ	1371	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Irfbc40	MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	-	Rohs non conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	800		Canal n	600 V	6.2a (TC)	10V	1,2 ohm @ 3,7a, 10v	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	± 30V	1100 pf @ 25 V	-	125W (TC)
Irfl110tr	-	RFQ	7659	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 261-4, à 261aa	Irfl110	MOSFET (Oxyde Métallique)		SOT-223	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n	100 V	1.5A (TC)	10V	540mohm @ 900mA, 10V	4V @ 250µA	8.3 NC @ 10 V	± 20V	180 pf @ 25 V	-	2W (TA), 3.1W (TC)
Sihj8n60e-T1-Ge3	2.2000	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8	Sihj8	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SO-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	600 V	8A (TC)	10V	520 mohm @ 4a, 10v	4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	± 30V	754 PF @ 100 V	-	89W (TC)
Irfr010trl	-	RFQ	7602	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Irfr010	MOSFET (Oxyde Métallique)		D-pak	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	50 V	8.2a (TC)	10V	200 mohm @ 4.6a, 10v	4V @ 250µA	10 NC @ 10 V	± 20V	250 pf @ 25 V	-	25W (TC)
Irfr9014trl	-	RFQ	1030	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	IRFR9014	MOSFET (Oxyde Métallique)		D-pak	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p	60 V	5.1a (TC)	10V	500mohm @ 3.1a, 10v	4V @ 250µA	12 NC @ 10 V	± 20V	270 pf @ 25 V	-	2.5W (TA), 25W (TC)
Irfbc40lcl	-	RFQ	4227	Vishay Siliconix	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa	Irfbc40	MOSFET (Oxyde Métallique)		I2pak	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)		* Irfbc40lcl	EAR99	8541.29.0095	50		Canal n	600 V	6.2a (TC)	10V	1,2 ohm @ 3,7a, 10v	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	± 30V	1100 pf @ 25 V	-	125W (TC)
SIJ420DP-T1-GE3	-	RFQ	2145	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8	Sij420	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SO-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	20 V	50A (TC)	4,5 V, 10V	2,6MOHM @ 15A, 10V	2,4 V @ 250µA	90 NC @ 10 V	± 20V	3630 PF @ 10 V	-	4.8W (TA), 62,5W (TC)
SI8481DB-T1-E1	0.1432	RFQ	8459	Vishay Siliconix	TRENCHFET® GEN III	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	4-ufbga	Si8481	MOSFET (Oxyde Métallique)		4-Micro Food® (1,6x1,6)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p	20 V	9.7A (TC)	1,8 V, 4,5 V	21MOHM @ 3A, 4,5 V	900 mV à 250 µA	47 NC @ 4,5 V	± 8v	2500 pf @ 10 V	-	2.8W (TC)
SIHH21N60EF-T1-GE3	5.6900	RFQ	26	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN	Sihh21	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® 8 x 8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	600 V	19A (TC)	10V	185MOHM @ 11A, 10V	4V @ 250µA	86 NC @ 10 V	± 30V	2035 PF @ 100 V	-	174W (TC)
Irfz24strrpbf	1.4700	RFQ	2949	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Irfz24	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 263 (d²pak)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	800		Canal n	60 V	17A (TC)	10V	100MOHM @ 10A, 10V	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	± 20V	640 PF @ 25 V	-	3.7W (TA), 60W (TC)
SI3483DV-T1-GE3	-	RFQ	9139	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	SI3483	MOSFET (Oxyde Métallique)		6 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p	30 V	4.7A (TA)	4,5 V, 10V	35MOHM @ 6.2A, 10V	3V à 250µA	35 NC @ 10 V	± 20V		-	1.14W (TA)
SI1330EDL-T1-E3	0,5300	RFQ	38	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SC-70, SOT-323	Si1330	MOSFET (Oxyde Métallique)		SC-70-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000		Canal n	60 V	240mA (TA)	3V, 10V	2,5 ohm @ 250mA, 10V	2,5 V @ 250µA	0,6 NC @ 4,5 V	± 20V		-	280mw (TA)
SI1470DH-T1-GE3	-	RFQ	6216	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SI1470	MOSFET (Oxyde Métallique)		SC-70-6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	30 V	5.1a (TC)	2,5 V, 4,5 V	66MOHM @ 3,8A, 4,5 V	1,6 V @ 250µA	7,5 NC @ 5 V	± 12V	510 PF @ 15 V	-	1.5W (TA), 2,8W (TC)
VP0808B-2	-	RFQ	2354	Vishay Siliconix	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut	VP0808	MOSFET (Oxyde Métallique)		To-39	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	20		Canal p	80 V	880mA (TA)	10V	5OHM @ 1A, 10V	4,5 V @ 1MA		± 20V	150 pf @ 25 V	-	6.25W (TA)
IRL540STRR	-	RFQ	8780	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	IRL540	MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	800		Canal n	100 V	28a (TC)	4V, 5V	77MOHM @ 17A, 5V	2V à 250µA	64 NC @ 5 V	± 10V	2200 pf @ 25 V	-	3.7W (TA), 150W (TC)
Irfs9n60atrlpbf	3.6100	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	IRFS9	MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	800		Canal n	600 V	9.2a (TC)	10V	750mohm @ 5.5a, 10v	4V @ 250µA	49 NC @ 10 V	± 30V	1400 pf @ 25 V	-	170W (TC)
Irf840astrl	-	RFQ	4537	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	IRF840	MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	800		Canal n	500 V	8A (TC)	10V	850mohm @ 4.8a, 10v	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	± 30V	1018 PF @ 25 V	-	3.1W (TA), 125W (TC)
SIHB12N50E-GE3	2.3900	RFQ	5146	Vishay Siliconix	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Sihb12	MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n	500 V	10.5a (TC)	10V	380MOHM @ 6A, 10V	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	± 30V	886 pf @ 100 V	-	114W (TC)
SI9945AEY-T1	-	RFQ	4187	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	SI9945	MOSFET (Oxyde Métallique)	2,4 W	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	Q4552539A	EAR99	8541.29.0095	500	2 Canaux N (double)		60V	3.7a		80MOHM @ 3,7A, 10V	3V à 250µA	20nc @ 10v		-	Porte de Niveau Logique
SI5947DU-T1-E3	-	RFQ	8169	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® Chipfet ™ Dual	SI5947	MOSFET (Oxyde Métallique)	10.4w	PowerPak® Chipfet Dual	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000	2 Canal P (double)		20V	6A		58MOHM @ 3,6A, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	17nc @ 10v		480pf @ 10v	Porte de Niveau Logique
Sum110n04-2m1p-e3	-	RFQ	6360	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	SUM110	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 263 (d²pak)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	800		Canal n	40 V	29A (TA), 110A (TC)	4,5 V, 10V	2.1MOHM @ 30A, 10V	2,5 V @ 250µA	360 NC @ 10 V	± 20V	18800 PF @ 20 V	-	3.13W (TA), 312W (TC)