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Produits semi-conduurs discrètes (5717)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)
IRF840LCL	-	RFQ	8613	Vishay Siliconix	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa	IRF840	MOSFET (Oxyde Métallique)		I2pak	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	* IRF840LCL	EAR99	8541.29.0095	50		Canal n	500 V	8A (TC)	10V	850mohm @ 4.8a, 10v	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	± 30V	1100 pf @ 25 V	-	3.1W (TA), 125W (TC)
SIS782DN-T1-GE3	0,6400	RFQ	6553	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® 1212-8	Sis782	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® 1212-8	télécharger		1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	30 V	16A (TC)	4,5 V, 10V	9.5MOHM @ 10A, 10V	2,3 V @ 250µA	30,5 NC @ 10 V	± 20V	1025 PF @ 15 V	Diode Schottky (Corps)	41W (TC)
SI4940DY-T1-GE3	-	RFQ	5190	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	Si4940	MOSFET (Oxyde Métallique)	1.1W	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500	2 Canaux N (double)		40V	4.2a		36MOHM @ 5.7A, 10V	1V @ 250µA (min)	14nc @ 10v		-	Porte de Niveau Logique
SI7601DN-T1-E3	-	RFQ	1203	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® 1212-8	SI7601	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® 1212-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p	20 V	16A (TC)	2,5 V, 4,5 V	19.2MOHM @ 11A, 4,5 V	1,6 V @ 250µA	27 NC @ 5 V	± 12V	1870 PF @ 10 V	-	3.8W (TA), 52W (TC)
SI4463BDY-T1-GE3	1,6000	RFQ	2	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	Si4463	MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal p	20 V	9.8A (TA)	2,5 V, 10V	11MOHM @ 13.7A, 10V	1,4 V @ 250µA	56 NC @ 4,5 V	± 12V		-	1.5W (TA)
SUM70040E-GE3	3.0600	RFQ	1615	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Sum70040	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 263 (d²pak)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	800		Canal n	100 V	120A (TC)	7,5 V, 10V	4MOHM @ 20A, 10V	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	± 20V	5100 pf @ 50 V	-	375W (TC)
SI3805DV-T1-E3	-	RFQ	3285	Vishay Siliconix	Little Foot®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	SI3805	MOSFET (Oxyde Métallique)		6 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p	20 V	3.3A (TC)	2,5 V, 10V	84MOHM @ 3A, 10V	1,5 V @ 250µA	12 NC @ 10 V	± 12V	330 pf @ 10 V	Diode Schottky (isolé)	1.1W (TA), 1.4W (TC)
SI5504BDC-T1-GE3	1 0000	RFQ	48	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8 mm, plomb plat	SI5504	MOSFET (Oxyde Métallique)	3.12W, 3.1W	1206-8 Chipfet ™	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000	Canal n et p		30V	4a, 3.7a		65MOHM @ 3.1A, 10V	3V à 250µA	7nc @ 10v		220pf @ 15v	Porte de Niveau Logique
SI7450DP-T1-E3	2.9000	RFQ	475	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8	Si7450	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SO-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	200 V	3.2a (TA)	6v, 10v	80MOHM @ 4A, 10V	4,5 V @ 250µA	42 NC @ 10 V	± 20V		-	1.9W (TA)
Irfbe20pbf	1.5700	RFQ	771	Vishay Siliconix	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Irfbe20	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220ab	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		* Irfbe20pbf	EAR99	8541.29.0095	50		Canal n	800 V	1.8A (TC)	10V	6,5 ohm @ 1.1a, 10v	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	± 20V	530 pf @ 25 V	-	54W (TC)
SQ3442EV-T1-GE3	-	RFQ	8047	Vishay Siliconix	-	Ruban de Coupé (CT)	Obsolète		Support de surface	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	SQ3442	MOSFET (Oxyde Métallique)		6 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000		Canal n	20 V	4.3A (TC)		55MOHM @ 4A, 4,5 V	1,6 V @ 250µA	5,5 NC @ 4,5 V		405 PF @ 10 V	-
Sihg065n60e-ge3	7.3900	RFQ	639	Vishay Siliconix	E	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Sihg065	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247AC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	25		Canal n	600 V	40A (TC)	10V	65MOHM @ 16A, 10V	5V @ 250µA	74 NC @ 10 V	± 30V	2700 pf @ 100 V	-	250W (TC)
Irfz20	-	RFQ	4538	Vishay Siliconix	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Irfz20	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220ab	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	* Irfz20	EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n	50 V	15A (TC)	10V	100MOHM @ 10A, 10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	± 20V	850 pf @ 25 V	-	40W (TC)
Irfbc40strr	-	RFQ	5613	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Irfbc40	MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	800		Canal n	600 V	6.2a (TC)	10V	1,2 ohm @ 3,7a, 10v	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	± 20V	1300 pf @ 25 V	-	3.1W (TA), 130W (TC)
SISH617DN-T1-GE3	0,9600	RFQ	11	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® 1212-8SH	Sish617	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® 1212-8SH	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p	30 V	13.9A (TA), 35A (TC)	4,5 V, 10V	12.3MOHM @ 13.9A, 10V	2,5 V @ 250µA	59 NC @ 10 V	± 25V	1800 pf @ 15 V	-	3.7W (TA), 52W (TC)
SI4228DY-T1-E3	-	RFQ	3738	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	Si4228	MOSFET (Oxyde Métallique)	3.1W	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	2 500	2 Canaux N (double)		25V	8a		18MOHM @ 7A, 10V	1,4 V @ 250µA	25nc @ 10v		790pf @ 12,5v	Porte de Niveau Logique
SI3983DV-T1-GE3	-	RFQ	7633	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	SI3983	MOSFET (Oxyde Métallique)	830mw	6 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000	2 Canal P (double)		20V	2.1a		110MOHM @ 2,5A, 4,5 V	1,1 V @ 250µA	7.5nc @ 4,5 V		-	Porte de Niveau Logique
Sup53p06-20-e3	2.9100	RFQ	3	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Sup53	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220ab	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		Sup53p0620e3	EAR99	8541.29.0095	50		Canal p	60 V	9.2A (TA), 53A (TC)	4,5 V, 10V	19,5 mohm @ 30a, 10v	3V à 250µA	115 NC @ 10 V	± 20V	3500 pf @ 25 V	-	3.1W (TA), 104,2w (TC)
SI4493DY-T1-GE3	-	RFQ	4801	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	SI4493	MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal p	20 V	10A (TA)	2,5 V, 4,5 V	7,75 mohm @ 14a, 4,5 V	1,4 V @ 250µA	110 NC @ 4,5 V	± 12V		-	1.5W (TA)
Sihw30n60e-ge3	6.4000	RFQ	159	Vishay Siliconix	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3 EXCHET	Sihw30	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247ad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	500		Canal n	600 V	29A (TC)	10V	125MOHM @ 15A, 10V	4V @ 250µA	130 NC @ 10 V	± 20V	2600 pf @ 100 V	-	250W (TC)
Sira18dp-t1-ge3	0,6300	RFQ	911	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8	Sira18	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SO-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	30 V	33A (TC)	4,5 V, 10V	7,5 mohm @ 10a, 10v	2,4 V @ 250µA	21,5 NC @ 10 V	+ 20V, -16V	1000 pf @ 15 V	-	3.3W (TA), 14.7W (TC)
Irll110tr	-	RFQ	4799	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 261-4, à 261aa	Irll110	MOSFET (Oxyde Métallique)		SOT-223	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n	100 V	1.5A (TC)	4V, 5V	540MOHM @ 900mA, 5V	2V à 250µA	6.1 NC @ 5 V	± 10V	250 pf @ 25 V	-	2W (TA), 3.1W (TC)
SI8489EDB-T2-E1	0 4700	RFQ	135	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	4-ufbga	Si8489	MOSFET (Oxyde Métallique)		4 Microfoot	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p	20 V	3.06A (TA)	2,5 V, 10V	44MOHM @ 1,5A, 10V	1,2 V à 250µA	27 NC @ 10 V	± 12V	765 PF @ 10 V	-	780mw (TA), 1,8W (TC)
SQJ138ELP-T1_GE3	1 5500	RFQ	9657	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8		MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SO-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		742-SQJ138ELP-T1_GE3TR	EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	40 V	315A (TC)	4,5 V, 10V	1,5 mohm @ 15a, 10v	2,2 V @ 250µA	117 NC @ 10 V	± 20V	6685 pf @ 25 V	-	500W (TC)
SI4434DY-T1-GE3	3 0000	RFQ	7	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	SI4434	MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n	250 V	2.1A (TA)	6v, 10v	155MOHM @ 3A, 10V	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	± 20V		-	1 56W (TA)
Irfp254npbf	-	RFQ	1219	Vishay Siliconix	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	IRFP254	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247AC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	* Irfp254npbf	EAR99	8541.29.0095	25		Canal n	250 V	23A (TC)	10V	125MOHM @ 14A, 10V	4V @ 250µA	100 nc @ 10 V	± 20V	2040 PF @ 25 V	-	220W (TC)
SQJB46ELP-T1_GE3	1.2200	RFQ	3	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8 Dual	SQJB46	MOSFET (Oxyde Métallique)	34W (TC)	PowerPak® SO-8 Dual	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)					3 000	2 N-Canal		40V	30a (TC)		8MOHM @ 8A, 10V	2,2 V @ 250µA	40nc @ 10v		2100pf @ 25v	Standard
SIHA17N80AEF-GE3	2.9800	RFQ	3994	Vishay Siliconix	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET		MOSFET (Oxyde Métallique)		Emballage complet à 220	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)		742-SIHA17N80AEF-GE3	EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n	800 V	6.5a (TC)	10V	305MOHM @ 8,5A, 10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	± 30V	1300 pf @ 100 V	-	34W (TC)
Sup85n10-10-e3	6.6200	RFQ	463	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Sup85	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220ab	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	50		Canal n	100 V	85a (TC)	4,5 V, 10V	10,5 mohm @ 30a, 10v	3V à 250µA	160 NC @ 10 V	± 20V	6550 pf @ 25 V	-	3,75W (TA), 250W (TC)
SiHG23N60E-GE3	4.6700	RFQ	1770	Vishay Siliconix	E	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TA)	Par le trou	À 247-3	Sihg23	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247AC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	500		Canal n	600 V	23A (TC)	10V	158MOHM @ 12A, 10V	4V @ 250µA	95 NC @ 10 V	± 30V	2418 PF @ 100 V	-	227W (TC)