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Produits semi-conduurs discrètes (5717)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)
IRFBC30APBF-BE3	3.0700	RFQ	7668	Vishay Siliconix	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Irfbc30	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220ab	-		1 (illimité)		742-IRFBC30APBF-BE3	EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n	600 V	3.6A (TC)	10V	2,2 ohm @ 2,2a, 10v	4,5 V @ 250µA	23 NC @ 10 V	± 30V	510 PF @ 25 V	-	74W (TC)
Sira10dp-t1-ge3	1.0400	RFQ	4	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8	Sira10	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SO-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	30 V	60a (TC)	4,5 V, 10V	3,7MOHM @ 10A, 10V	2,2 V @ 250µA	51 NC @ 10 V	+ 20V, -16V	2425 pf @ 15 V	-	5W (TA), 40W (TC)
SQJB02ELP-T1_GE3	1.0900	RFQ	8	Vishay Siliconix	Automobile, AEC-Q101	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8 Dual	SQJB02	MOSFET (Oxyde Métallique)	27W	PowerPak® SO-8 Dual	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000	2 Canaux N (double)		40V	30a (TC)		7,5 mohm @ 6a, 10v	2,2 V @ 250µA	32nc @ 10v		1700pf @ 20v	-
SQ4946AEY-T1_BE3	-	RFQ	7279	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	SQ4946	MOSFET (Oxyde Métallique)	4W (TC)	8-SOIC	-					EAR99	8541.29.0095	2 500	2 Canaux N (double)		60V	7a (TC)		40 mohm @ 4.5a, 10v	2,5 V @ 250µA	18nc @ 10v		750pf @ 25v	-
SI4463CDY-T1-GE3	0,9400	RFQ	97	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	Si4463	MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal p	20 V	13.6A (TA), 49A (TC)	2,5 V, 10V	8MOHM @ 13A, 10V	1,4 V @ 250µA	162 NC @ 10 V	± 12V	4250 pf @ 15 V	-	2.7W (TA), 5W (TC)
Sihw33n60e-ge3	6.6800	RFQ	9981	Vishay Siliconix	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3 EXCHET	Sihw33	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247ad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	480		Canal n	600 V	33A (TC)	10V	99MOHM @ 16,5A, 10V	4V @ 250µA	150 NC @ 10 V	± 30V	3508 PF @ 100 V	-	278W (TC)
Irf634strlpbf	0,7541	RFQ	2731	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	IRF634			D²pak (à 263)	télécharger		1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	800				8.1a (TC)
SIR576DP-T1-RE3	1 4000	RFQ	9870	Vishay Siliconix	TRENCHFET® GEN IV	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8		MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SO-8	télécharger		1 (illimité)		742-SIR576DP-T1-RE3TR	EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	150 V	11.1a (TA), 42.4a (TC)	7,5 V, 10V	16MOHM @ 10A, 10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	± 20V	1870 PF @ 75 V	-	5W (TA), 71,4W (TC)
Sup10250e-ge3	2.8900	RFQ	2400	Vishay Siliconix	Thunderfet®	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Sup10250	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220ab	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	50		Canal n	250 V	63a (TC)	7,5 V, 10V		4V @ 250µA	88 NC @ 10 V	± 20V		-	375W (TC)
SMMB911DK-T1-GE3	-	RFQ	4892	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SC-75-6L Dual	SMMB911	MOSFET (Oxyde Métallique)	3.1W	PowerPak® SC-75-6L Dual	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000	2 Canal P (double)		20V	2.6a		295MOHM @ 1,5A, 4,5 V	1V @ 250µA	4nc @ 8v		115pf @ 10v	-
SUD06N10-225L-GE3	-	RFQ	7381	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Sud06	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252aa	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 000		Canal n	100 V	6.5a (TC)	4,5 V, 10V	200 mohm @ 3a, 10v	3V à 250µA	4 NC @ 5 V	± 20V	240 pf @ 25 V	-	1.25W (TA), 16.7W (TC)
SQJ952EP-T1_GE3	1.4600	RFQ	4707	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8 Dual	SQJ952	MOSFET (Oxyde Métallique)	25W (TC)	PowerPak® SO-8 Dual	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000	2 Canaux N (double)		60V	23A (TC)		20mohm @ 10.3a, 10v	2,5 V @ 250µA	30nc @ 10v		1800pf @ 30v	-
IRFR9214	-	RFQ	9365	Vishay Siliconix	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	IRFR9214	MOSFET (Oxyde Métallique)		D-pak	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	* IRFR9214	EAR99	8541.29.0095	75		Canal p	250 V	2.7A (TC)	10V	3OHM @ 1.7A, 10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	± 20V	220 pf @ 25 V	-	50W (TC)
SI7716ADN-T1-GE3	1.2300	RFQ	16	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® 1212-8	SI7716	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® 1212-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	30 V	16A (TC)	4,5 V, 10V	13,5MOHM @ 10A, 10V	2,5 V @ 250µA	23 NC @ 10 V	± 20V	846 PF @ 15 V	-	3,5W (TA), 27,7W (TC)
SI4835DDY-T1-GE3	1.2300	RFQ	6	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	Si4835	MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal p	30 V	13A (TC)	4,5 V, 10V	18MOHM @ 10A, 10V	3V à 250µA	65 NC @ 10 V	± 25V	1960 PF @ 15 V	-	2.5W (TA), 5.6W (TC)
SIS590DN-T1-GE3	0,9800	RFQ	27	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® 1212-8 Dual	Sis590	MOSFET (Oxyde Métallique)	2.5W (TA), 17.9W (TC), 2,6W (TA), 23.1W (TC)	PowerPak® 1212-8 Dual	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000	Canal n et p		100V	2.7A (TA), 4A (TC), 2.3A (TA), 4A (TC)		167MOHM @ 1,5A, 10V, 251MOHM @ 2,3A, 10V	2,5 V @ 250µA	-		-	-
Irf9z14strr	-	RFQ	7722	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	IRF9Z14	MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	800		Canal p	60 V	6.7A (TC)	10V	500MOHM @ 4A, 10V	4V @ 250µA	12 NC @ 10 V	± 20V	270 pf @ 25 V	-	3.7W (TA), 43W (TC)
SI7856ADP-T1-GE3	-	RFQ	3041	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8	SI7856	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SO-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	30 V	15A (TA)	4,5 V, 10V	3,7MOHM @ 25A, 10V	3V à 250µA	55 NC @ 4,5 V	± 20V		-	1.9W (TA)
Irfr310trr	-	RFQ	9513	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	IRFR310	MOSFET (Oxyde Métallique)		D-pak	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	400 V	1.7A (TC)	10V	3,6 ohm @ 1a, 10v	4V @ 250µA	12 NC @ 10 V	± 20V	170 pf @ 25 V	-	2.5W (TA), 25W (TC)
Irfb20n50kpbf	5.2300	RFQ	39	Vishay Siliconix	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Irfb20	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220ab	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		* IRFB20N50KPBF	EAR99	8541.29.0095	50		Canal n	500 V	20A (TC)	10V	250 mohm @ 12a, 10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	± 30V	2870 pf @ 25 V	-	280W (TC)
Irfr9110trrpbf	0,6762	RFQ	9849	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	IRFR9110	MOSFET (Oxyde Métallique)		D-pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p	100 V	3.1A (TC)	10V	1,2 ohm @ 1,9a, 10v	4V @ 250µA	8,7 NC @ 10 V	± 20V	200 pf @ 25 V	-	2.5W (TA), 25W (TC)
SI1050X-T1-E3	-	RFQ	9227	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-563, SOT-666	Si1050	MOSFET (Oxyde Métallique)		SC-89 (SOT-563F)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000		Canal n	8 V	1.34A (TA)	1,5 V, 4,5 V	86MOHM @ 1,34A, 4,5 V	900 mV à 250 µA	11,6 NC @ 5 V	± 5V	585 PF @ 4 V	-	236MW (TA)
2N7002-E3	-	RFQ	1985	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	2N7002	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 236	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1 000		Canal n	60 V	115mA (TA)	5v, 10v	7,5 ohm @ 500mA, 10V	2,5 V @ 250µA		± 20V	50 pf @ 25 V	-	200MW (TA)
SI7403BDN-T1-E3	-	RFQ	8362	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® 1212-8	Si7403	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® 1212-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p	20 V	8A (TC)	2,5 V, 4,5 V	74MOHM @ 5.1A, 4,5 V	1V @ 250µA	15 NC @ 8 V	± 8v	430 pf @ 10 V	-	3.1W (TA), 9.6W (TC)
SIRS700DP-T1-RE3	4.4200	RFQ	8520	Vishay Siliconix	TRENCHFET® GEN IV	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8		MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SO-8	télécharger		1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	100 V	30A (TA), 127A (TC)	7,5 V, 10V	3,5 mohm @ 20a, 10v	4V @ 250µA	130 NC @ 10 V	± 20V	5950 pf @ 50 V	-	7.4W (TA), 132W (TC)
IRFU9010	-	RFQ	5645	Vishay Siliconix	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa	IRFU9	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 251aa	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	* IRFU9010	EAR99	8541.29.0095	75		Canal p	50 V	5.3A (TC)	10V	500MOHM @ 2,8A, 10V	4V @ 250µA	9.1 NC @ 10 V	± 20V	240 pf @ 25 V	-	25W (TC)
SI3433BDV-T1-GE3	-	RFQ	4278	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Si3433	MOSFET (Oxyde Métallique)		6 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p	20 V	4.3A (TA)	1,8 V, 4,5 V	42MOHM @ 5.6A, 4,5 V	850 mV à 250µA	18 NC @ 4,5 V	± 8v		-	1.1W (TA)
Irf740alpbf	3.0900	RFQ	985	Vishay Siliconix	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa	IRF740	MOSFET (Oxyde Métallique)		I2pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	50		Canal n	400 V	10A (TC)	10V	550mohm @ 6a, 10v	4V @ 250µA	36 NC @ 10 V	± 30V	1030 pf @ 25 V	-	3.1W (TA), 125W (TC)
SI4666DY-T1-GE3	-	RFQ	7257	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	SI4666	MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n	25 V	16,5a (TC)	2,5 V, 10V	10MOHM @ 10A, 10V	1,5 V @ 250µA	34 NC @ 10 V	± 12V	1145 PF @ 10 V	-	2.5W (TA), 5W (TC)
Irfr9110pbf	1.1700	RFQ	4	Vishay Siliconix	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	IRFR9110	MOSFET (Oxyde Métallique)		D-pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	75		Canal p	100 V	3.1A (TC)	10V	1,2 ohm @ 1,9a, 10v	4V @ 250µA	8,7 NC @ 10 V	± 20V	200 pf @ 25 V	-	2.5W (TA), 25W (TC)