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Produits semi-conduurs discrètes (5717)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SUD19N20-90-E3 | 3.0700 |  | 9031 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Sud19 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252aa | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 200 V | 19A (TC) | 6v, 10v | 90MOHM @ 5A, 10V | 4V @ 250µA | 51 NC @ 10 V | ± 20V | 1800 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 136W (TC) | |||||
 | Irfbg20l | - | | 1799 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | - | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | Irfbg20 | MOSFET (Oxyde Métallique) | I2pak | - | Rohs non conforme | 1 (illimité) | * Irfbg20l | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 1000 V | 1.4A (TA) | 10V | 11OHM @ 840mA, 10V | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 500 pf @ 25 V | - | - | ||||
 | Irfr120trr | - | | 5398 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | IRFR120 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 100 V | 7.7a (TC) | 10V | 270MOHM @ 4.6A, 10V | 4V @ 250µA | 16 NC @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||
 | Irfi620gpbf | 1.7500 | | 896 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | Irfi620 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * Irfi620gpbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 200 V | 4.1a (TC) | 10V | 800MOHM @ 2,5A, 10V | 4V @ 250µA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 260 pf @ 25 V | - | 30W (TC) | ||||
 | Irfu1n60apbf | 1.5600 | | 7934 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | IRFU1 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 251aa | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal n | 600 V | 1.4A (TC) | 10V | 7OHM @ 840mA, 10V | 4V @ 250µA | 14 NC @ 10 V | ± 30V | 229 PF @ 25 V | - | 36W (TC) | |||||
 | Sir662dp-T1-Ge3 | 2.0100 | | 4505 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sir662 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 60 V | 60a (TC) | 4,5 V, 10V | 2,7MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 96 NC @ 10 V | ± 20V | 4365 PF @ 30 V | - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
 | IRL510S | - | | 7784 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRL510 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRL510S | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 100 V | 5.6a (TC) | 4V, 5V | 540 mOhm @ 3,4a, 5v | 2V à 250µA | 6.1 NC @ 5 V | ± 10V | 250 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 43W (TC) | |||
 | SI3495DV-T1-E3 | - | | 5223 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Si3495 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 5.3A (TA) | 1,5 V, 4,5 V | 24MOHM @ 7A, 4,5 V | 750 mV à 250µA | 38 NC @ 4,5 V | ± 5V | - | 1.1W (TA) | |||||
 | SI5902BDC-T1-E3 | 1.3300 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 mm, plomb plat | SI5902 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3.12W | 1206-8 Chipfet ™ | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 30V | 4A (TC) | 65MOHM @ 3.1A, 10V | 3V à 250µA | 7nc @ 10v | 220pf @ 15v | Porte de Niveau Logique | ||||||
 | IRFP240 | - | | 4518 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | IRFP240 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247AC | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRFP240 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal n | 200 V | 20A (TC) | 10V | 180mohm @ 12a, 10v | 4V @ 250µA | 70 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | |||
| Irfi634gpbf | 2.3300 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | Irfi634 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * Irfi634gpbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 250 V | 5.6a (TC) | 10V | 450 mohm @ 3,4a, 10v | 4V @ 250µA | 41 NC @ 10 V | ± 20V | 770 pf @ 25 V | - | 35W (TC) | ||||
 | SUM40010EL-GE3 | 2.8900 | | 8952 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Sum40010 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 40 V | 120A (TC) | 4,5 V, 10V | 1,6 mohm @ 30a, 10v | 2,5 V @ 250µA | 230 NC @ 10 V | ± 20V | 11155 PF @ 30 V | - | 375W (TC) | |||||
 | Siz328dt-t1-ge3 | 0,9400 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-POWERWDFN | Siz328 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2.9W (TA), 15W (TC), 3,6W (TA), 16.2W (TC) | 8-Power33 (3x3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 25V | 11.1A (TA), 25.3A (TC), 15A (TA), 30A (TC) | 15MOHM @ 5A, 10V, 10MOHM @ 5A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 6.9nc @ 10v, 11.3nc @ 10v | 325pf @ 10v, 600pf @ 10v | - | |||||||
| SI3456DDV-T1-E3 | 0,4300 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SI3456 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 6.3A (TC) | 4,5 V, 10V | 40 mohm @ 5a, 10v | 3V à 250µA | 9 NC @ 10 V | ± 20V | 325 pf @ 15 V | - | 1.7W (TA), 2,7W (TC) | |||||
| IRL530L | - | | 1143 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | IRL530 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 262-3 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | * IRL530L | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 100 V | 15A (TC) | 4V, 5V | 160MOHM @ 9A, 5V | 2V à 250µA | 28 NC @ 5 V | ± 10V | 930 pf @ 25 V | - | - | ||||
| Irfu9220pbf | 2.2900 | | 5894 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | IRFU9220 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 251aa | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * IRFU9220PBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal p | 200 V | 3.6A (TC) | 10V | 1,5 ohm @ 2,2a, 10v | 4V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ± 20V | 340 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||
| Irf820strlpbf | 1.8600 | | 8744 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRF820 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 500 V | 2.5a (TC) | 10V | 3OHM @ 1,5A, 10V | 4V @ 250µA | 24 NC @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 50W (TC) | |||||
 | SQJ910AEP-T1_BE3 | 1.2800 | | 1843 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 Dual | SQJ910 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 48W (TC) | PowerPak® SO-8 Dual | télécharger | 1 (illimité) | 742-SQJ910AEP-T1_BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 30V | 30a (TC) | 7MOHM @ 12A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 39nc @ 10v | 1869pf @ 15v | - | |||||||
 | SI7328DN-T1-GE3 | 0,9923 | | 7802 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8 | SI7328 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 35A (TC) | 4,5 V, 10V | 6,6mohm @ 18,9a, 10v | 1,5 V @ 250µA | 31,5 NC @ 4,5 V | ± 12V | 2610 PF @ 15 V | - | 3,78W (TA), 52W (TC) | |||||
| SI7664DP-T1-E3 | - | | 3562 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SI7664 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 40A (TC) | 4,5 V, 10V | 3,1MOHM @ 20A, 10V | 1,8 V à 250µA | 125 NC @ 10 V | ± 12V | 7770 PF @ 15 V | - | 5.4W (TA), 83W (TC) | ||||
 | SIHF10N40D-E3 | 1,7000 | | 638 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | Sihf10 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Emballage complet à 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Sihf10n40de3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 400 V | 10A (TC) | 10V | 600mohm @ 5a, 10v | 5V @ 250µA | 30 NC @ 10 V | ± 30V | 526 pf @ 100 V | - | 33W (TC) | ||||
 | SI8467DB-T2-E1 | - | | 8463 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 4-XFBGA, CSPBGA | Si8467 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 4 Microfoot | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 2.5a (TA) | 2,5 V, 4,5 V | 73MOHM @ 1A, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 21 NC @ 10 V | ± 12V | 475 PF @ 10 V | - | 780mw (TA), 1,8W (TC) | ||||
| Irf9510strl | - | | 3181 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRF9510 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal p | 100 V | 4A (TC) | 10V | 1,2 ohm @ 2,4a, 10v | 4V @ 250µA | 8,7 NC @ 10 V | ± 20V | 200 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 43W (TC) | ||||
 | Irfbf20 | - | | 8071 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Irfbf20 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * Irfbf20 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 900 V | 1.7A (TC) | 10V | 8OHM @ 1A, 10V | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 490 pf @ 25 V | - | 54W (TC) | |||
 | Irfl014 | - | | 9780 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 261-4, à 261aa | Irfl014 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-223 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * Irfl014 | EAR99 | 8541.29.0095 | 80 | Canal n | 60 V | 2.7A (TC) | 10V | 200 mohm @ 1,6a, 10v | 4V @ 250µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 300 pf @ 25 V | - | 2W (TA), 3.1W (TC) | |||
 | SI2371EDS-T1-BE3 | 0,4300 | | 2886 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23-3 (à 236) | télécharger | 1 (illimité) | 742-SI2371EDS-T1-BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 30 V | 3.7A (TA), 4.8A (TC) | 2,5 V, 10V | 45MOHM @ 3,7A, 10V | 1,5 V @ 250µA | 35 NC @ 10 V | ± 12V | - | 1W (TA), 1,7W (TC) | |||||||
 | SI1473DH-T1-E3 | - | | 1172 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1473 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SC-70-6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 30 V | 2.7A (TC) | 4,5 V, 10V | 100MOHM @ 2A, 10V | 3V à 250µA | 6,2 NC @ 4,5 V | ± 20V | 365 PF @ 15 V | - | 1,5W (TA), 2,78W (TC) | ||||
 | Irf7822trl | - | | 2499 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | IRF7822 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 4 000 | Canal n | 30 V | 18A (TA) | 4,5 V | 6,5 mohm @ 15a, 4,5 V | 1V @ 250µA | 60 NC @ 5 V | ± 12V | 5500 pf @ 16 V | - | 3.1W (TA) | ||||
 | SI6967DQ-T1-E3 | - | | 9745 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | Si6967 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1.1W | 8-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canal P (double) | 8v | - | 30MOHM @ 5A, 4,5 V | 450 mV à 250 µA (min) | 40NC @ 4,5 V | - | Porte de Niveau Logique | ||||||
 | SI7945DP-T1-GE3 | - | | 7821 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 Dual | Si7945 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1,4 W | PowerPak® SO-8 Dual | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canal P (double) | 30V | 7a | 20mohm @ 10.9a, 10v | 3V à 250µA | 74nc @ 10v | - | Porte de Niveau Logique |
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