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Produits semi-conduurs discrètes (5717)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Irfb20n50kpbf | 5.2300 |  | 39 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Irfb20 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * IRFB20N50KPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 500 V | 20A (TC) | 10V | 250 mohm @ 12a, 10v | 5V @ 250µA | 110 NC @ 10 V | ± 30V | 2870 pf @ 25 V | - | 280W (TC) | ||||
 | Irfr9110trrpbf | 0,6762 | | 9849 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | IRFR9110 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 100 V | 3.1A (TC) | 10V | 1,2 ohm @ 1,9a, 10v | 4V @ 250µA | 8,7 NC @ 10 V | ± 20V | 200 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||
 | SI1050X-T1-E3 | - | | 9227 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-563, SOT-666 | Si1050 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SC-89 (SOT-563F) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 8 V | 1.34A (TA) | 1,5 V, 4,5 V | 86MOHM @ 1,34A, 4,5 V | 900 mV à 250 µA | 11,6 NC @ 5 V | ± 5V | 585 PF @ 4 V | - | 236MW (TA) | ||||
 | 2N7002-E3 | - | | 1985 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 2N7002 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 236 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 000 | Canal n | 60 V | 115mA (TA) | 5v, 10v | 7,5 ohm @ 500mA, 10V | 2,5 V @ 250µA | ± 20V | 50 pf @ 25 V | - | 200MW (TA) | |||||
 | SI7403BDN-T1-E3 | - | | 8362 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8 | Si7403 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 8A (TC) | 2,5 V, 4,5 V | 74MOHM @ 5.1A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 15 NC @ 8 V | ± 8v | 430 pf @ 10 V | - | 3.1W (TA), 9.6W (TC) | ||||
| Irfr9014pbf | 1.1100 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | IRFR9014 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal p | 60 V | 5.1a (TC) | 10V | 500mohm @ 3.1a, 10v | 4V @ 250µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 270 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||
 | SIRS700DP-T1-RE3 | 4.4200 | | 8520 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN IV | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 100 V | 30A (TA), 127A (TC) | 7,5 V, 10V | 3,5 mohm @ 20a, 10v | 4V @ 250µA | 130 NC @ 10 V | ± 20V | 5950 pf @ 50 V | - | 7.4W (TA), 132W (TC) | |||||||
 | IRFU9010 | - | | 5645 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | IRFU9 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 251aa | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRFU9010 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal p | 50 V | 5.3A (TC) | 10V | 500MOHM @ 2,8A, 10V | 4V @ 250µA | 9.1 NC @ 10 V | ± 20V | 240 pf @ 25 V | - | 25W (TC) | |||
 | SI3433BDV-T1-GE3 | - | | 4278 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Si3433 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 4.3A (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 42MOHM @ 5.6A, 4,5 V | 850 mV à 250µA | 18 NC @ 4,5 V | ± 8v | - | 1.1W (TA) | |||||
 | Irf740alpbf | 3.0900 | | 985 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | IRF740 | MOSFET (Oxyde Métallique) | I2pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 400 V | 10A (TC) | 10V | 550mohm @ 6a, 10v | 4V @ 250µA | 36 NC @ 10 V | ± 30V | 1030 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | |||||
 | SI4666DY-T1-GE3 | - | | 7257 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4666 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 25 V | 16,5a (TC) | 2,5 V, 10V | 10MOHM @ 10A, 10V | 1,5 V @ 250µA | 34 NC @ 10 V | ± 12V | 1145 PF @ 10 V | - | 2.5W (TA), 5W (TC) | |||||
| Irfr9110pbf | 1.1700 | | 4 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | IRFR9110 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal p | 100 V | 3.1A (TC) | 10V | 1,2 ohm @ 1,9a, 10v | 4V @ 250µA | 8,7 NC @ 10 V | ± 20V | 200 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||
 | Irfp344 | - | | 2886 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Irfp344 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247AC | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | * Irfp344 | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | Canal n | 450 V | 9.5A (TC) | 10V | 630MOHM @ 5.7A, 10V | 4V @ 250µA | 80 NC @ 10 V | ± 20V | 1400 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | ||||
| IRLR120TR | - | | 6630 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | IRLR120 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 100 V | 7.7a (TC) | 4V, 5V | 270MOHM @ 4.6A, 5V | 2V à 250µA | 12 NC @ 5 V | ± 10V | 490 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
 | Irfr9024trpbf-be3 | 1.2900 | | 9 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | IRFR9024 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252aa | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal p | 60 V | 8.8A (TC) | 10V | 280mohm @ 5.3a, 10v | 4V @ 250µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 570 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||||
 | SI6435ADQ-T1-GE3 | - | | 6063 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban de Coupé (CT) | Obsolète | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | Si6435 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 30 V | 4.7A (TA) | 30 mohm @ 5.5a, 10v | 1V @ 250µA (min) | 20 nc @ 5 V | - | |||||||||
| Irfbc40 | - | | 2536 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Irfbc40 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * Irfbc40 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 600 V | 6.2a (TC) | 10V | 1,2 ohm @ 3,7a, 10v | 4V @ 250µA | 60 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | |||
 | SIHP074N65E-GE3 | 7.6800 | | 9332 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 650 V | 35A (TC) | 10V | 79MOHM @ 15A, 10V | 5V @ 250µA | 80 NC @ 10 V | ± 30V | 2904 PF @ 100 V | - | 250W (TC) | ||||||
| IRF634 | - | | 5475 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | IRF634 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 250 V | 8.1a (TC) | 10V | 450mohm @ 5.1a, 10v | 4V @ 250µA | 41 NC @ 10 V | ± 20V | 770 pf @ 25 V | - | 74W (TC) | ||||
 | SIJ4106DP-T1-GE3 | 1.6900 | | 1999 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 100 V | 15.8A (TA), 59A (TC) | 7,5 V, 10V | 8,3MOHM @ 15A, 10V | 3,8 V @ 250µA | 64 NC @ 10 V | ± 20V | 3610 PF @ 50 V | - | 5W (TA), 69,4W (TC) | ||||||
 | SIE876DF-T1-GE3 | - | | 1238 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 10-Polarpak® (L) | Sie876 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 10-Polarpak® (L) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 60 V | 60a (TC) | 10V | 6.1MOHM @ 20A, 10V | 4,4 V @ 250µA | 77 NC @ 10 V | ± 20V | 3100 pf @ 30 V | - | 5.2W (TA), 125W (TC) | ||||
 | SI7139DP-T1-GE3 | 1 5500 | | 1614 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SI7139 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 30 V | 40A (TC) | 4,5 V, 10V | 5,5 mohm @ 15a, 10v | 2,5 V @ 250µA | 146 NC @ 10 V | ± 20V | 4230 pf @ 15 V | - | 5W (TA), 48W (TC) | |||||
 | Siz700dt-t1-ge3 | - | | 6812 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6-PowerPair ™ | Siz700 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2,36W, 2,8W | 6-PowerPair ™ | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 N-Canal (Demi-pont) | 20V | 16A | 8,6MOHM @ 15A, 10V | 2,2 V @ 250µA | 35nc @ 10v | 1300pf @ 10v | - | |||||||
 | Irfbf30spbf | - | | 5195 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Irfbf30 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * Irfbf30spbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 900 V | 3.6A (TC) | 10V | 3,7 ohm @ 2,2a, 10v | 4V @ 250µA | 78 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | |||
| Irf644nstrr | - | | 2263 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRF644 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 250 V | 14A (TC) | 10V | 240mohm @ 8,4a, 10v | 4V @ 250µA | 54 NC @ 10 V | ± 20V | 1060 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | ||||
| IRL530S | - | | 3872 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRL530 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRL530S | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 100 V | 15A (TC) | 4V, 5V | 160MOHM @ 9A, 5V | 2V à 250µA | 28 NC @ 5 V | ± 10V | 930 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 88W (TC) | |||
| Irfr9214trr | - | | 8239 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | IRFR9214 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 250 V | 2.7A (TC) | 10V | 3OHM @ 1.7A, 10V | 4V @ 250µA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 220 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | |||||
 | SUM110N03-03P-E3 | - | | 2087 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | SUM110 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263 (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 30 V | 110a (TC) | 4,5 V, 10V | 2,6MOHM @ 30A, 10V | 3V à 250µA | 250 NC @ 10 V | ± 20V | 12100 pf @ 25 V | - | 3 75W (TA), 375W (TC) | ||||
| Irfs9n60atrr | - | | 1341 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRFS9 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 600 V | 9.2a (TC) | 10V | 750mohm @ 5.5a, 10v | 4V @ 250µA | 49 NC @ 10 V | ± 30V | 1400 pf @ 25 V | - | 170W (TC) | ||||
| SI4947ADY-T1-E3 | - | | 9209 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4947 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1.2W | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 2 Canal P (double) | 30V | 3A | 80MOHM @ 3,9A, 10V | 1V @ 250µA (min) | 8nc @ 5v | - | Porte de Niveau Logique |
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