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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SI5933CDC-T1-E3 | - | ![]() | 4767 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 mm, plomb plat | SI5933 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2,8 W | 1206-8 Chipfet ™ | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canal P (double) | 20V | 3.7a | 144MOHM @ 2,5A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 6.8nc @ 5v | 276pf @ 10v | - | ||||||
![]() | Irf3314strl | - | ![]() | 2715 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | - | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRF3314 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | - | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 150 V | - | 10V | - | - | ± 20V | - | - | ||||||
![]() | SI4462DY-T1-GE3 | - | ![]() | 2403 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4462 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 200 V | 1.15A (TA) | 6v, 10v | 480MOHM @ 1,5A, 10V | 4V @ 250µA | 9 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.3W (TA) | |||||
![]() | Sija58adp-t1-ge3 | 0,9800 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sija58 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 40 V | 32.3a (TA), 109A (TC) | 4,5 V, 10V | 2 65 mohm @ 15a, 10v | 2,4 V @ 250µA | 61 NC @ 10 V | + 20V, -16V | 3030 PF @ 20 V | - | 5W (TA), 56,8W (TC) | |||||
![]() | SI5511DC-T1-GE3 | - | ![]() | 3247 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 mm, plomb plat | SI5511 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3.1W, 2.6W | 1206-8 Chipfet ™ | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n et p | 30V | 4a, 3.6a | 55MOHM @ 4.8A, 4,5 V | 2V à 250µA | 7.1nc @ 5v | 435pf @ 15v | Porte de Niveau Logique | ||||||
![]() | SQJQ100EL-T1_GE3 | 3.0300 | ![]() | 2552 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 8 x 8 | SQJQ100 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 8 x 8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 40 V | 200A (TC) | 4,5 V, 10V | 1,2 mohm @ 20a, 10v | 2,5 V @ 250µA | 220 NC @ 10 V | ± 20V | 14500 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | |||||
![]() | SQ4431EY-T1_GE3 | 1.0300 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SQ4431 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 30 V | 10.8a (TC) | 10V | 30MOHM @ 6A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 1265 pf @ 15 V | - | 6W (TC) | |||||
![]() | 2N6661JTXV02 | - | ![]() | 3690 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | To-205ad, to-39-3 Métal peut | 2N6661 | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-39 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 20 | Canal n | 90 V | 860mA (TC) | 5v, 10v | 4OHM @ 1A, 10V | 2v @ 1MA | ± 20V | 50 pf @ 25 V | - | 725MW (TA), 6,25W (TC) | |||||
![]() | SiHG068N60EF-GE3 | 6.0600 | ![]() | 17 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Ef | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Sihg068 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247AC | télécharger | 1 (illimité) | 742-SIHG068N60EF-GE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal n | 600 V | 41A (TC) | 10V | 68MOHM @ 16A, 10V | 5V @ 250µA | 77 NC @ 10 V | ± 30V | 2628 PF @ 100 V | - | 250W (TC) | |||||
![]() | SIR888DP-T1-GE3 | - | ![]() | 6224 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sir888 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 25 V | 40A (TC) | 4,5 V, 10V | 3,25 mohm @ 15a, 10v | 2,2 V @ 250µA | 120 NC @ 10 V | ± 16V | 5065 PF @ 15 V | - | 5W (TA), 48W (TC) | ||||
![]() | Sihs90n65e-ge3 | 20.6200 | ![]() | 233 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 274aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | Super-247 ™ (à 274aa) | télécharger | Rohs3 conforme | Non applicable | 742-SIHS90N65E-GE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal n | 650 V | 87a (TC) | 10V | 29MOHM @ 45A, 10V | 4V @ 250µA | 591 NC @ 10 V | ± 30V | 11826 PF @ 100 V | - | 625W (TC) | |||||
![]() | SI5435BDC-T1-E3 | - | ![]() | 3502 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 mm, plomb plat | SI5435 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1206-8 Chipfet ™ | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 30 V | 4.3A (TA) | 4,5 V, 10V | 45MOHM @ 4.3A, 10V | 3V à 250µA | 24 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.3W (TA) | |||||
![]() | Siz988dt-t1-GE3 | 1.2800 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-POWERWDFN | Siz988 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 20.2W, 40W | 8-PowerPair® | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 30V | 40a (TC), 60a (TC) | 7,5MOHM @ 10A, 10V, 4,1MOHM @ 19A, 10V | 2,4 V @ 250µA, 2,2 V @ 250µA | 10.5nc @ 4.5v, 23.1nc @ 4.5 V | 1000pf @ 15v, 2425pf @ 15v | - | ||||||||
![]() | SIHH14N65EF-T1-GE3 | 5.4100 | ![]() | 3783 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | Sihh14 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 8 x 8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 650 V | 15A (TC) | 10V | 271MOHM @ 7A, 10V | 4V @ 250µA | 98 NC @ 10 V | ± 30V | 1749 PF @ 100 V | - | 156W (TC) | |||||
![]() | SI7840BDP-T1-E3 | - | ![]() | 4615 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SI7840 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 11a (ta) | 4,5 V, 10V | 8,5 mohm @ 16,5a, 10v | 3V à 250µA | 21 NC @ 4,5 V | ± 20V | - | 1.8W (TA) | |||||
![]() | SI2392ADS-T1-BE3 | 0,5400 | ![]() | 2716 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23-3 (à 236) | télécharger | 1 (illimité) | 742-SI2392ADS-T1-BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 100 V | 2.2A (TA), 3.1A (TC) | 4,5 V, 10V | 126MOHM @ 2A, 10V | 3V à 250µA | 10.4 NC @ 10 V | ± 20V | 196 pf @ 50 V | - | 1,25W (TA), 2,5W (TC) | ||||||
![]() | SI9433BDY-T1-E3 | 0,8900 | ![]() | 17 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI9433 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 20 V | 4.5a (TA) | 2,7 V, 4,5 V | 40 mohm @ 6.2a, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 14 NC @ 4,5 V | ± 12V | - | 1.3W (TA) | ||||||
![]() | Sijh5800e-T1-Ge3 | 6.5400 | ![]() | 8664 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 8 x 8 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 8 x 8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 80 V | 30A (TA), 302A (TC) | 7,5 V, 10V | 1 35 mohm @ 20a, 10v | 4V @ 250µA | 155 NC @ 10 V | ± 20V | 7730 PF @ 40 V | - | 3.3W (TA), 333W (TC) | ||||||
![]() | SI4774DY-T1-GE3 | 0,3900 | ![]() | 65 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Skyfet®, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4774 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 16A (TC) | 4,5 V, 10V | 9.5MOHM @ 10A, 10V | 2.3V @ 1mA | 14.3 NC @ 4,5 V | ± 20V | 1025 PF @ 15 V | Diode Schottky (Corps) | 5W (TC) | |||||
![]() | SI4554DY-T1-GE3 | 0,7900 | ![]() | 2207 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4554 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3.1W, 3.2W | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n et p | 40V | 8a | 24MOHM @ 6.8A, 10V | 2,2 V @ 250µA | 20nc @ 10v | 690pf @ 20v | Porte de Niveau Logique | |||||||
![]() | TN0201K-T1-E3 | - | ![]() | 8938 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | TN0201 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23-3 (à 236) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 20 V | 420mA (TA) | 4,5 V, 10V | 1OHM @ 300mA, 10V | 3V à 250µA | 1,5 NC @ 10 V | ± 20V | - | 350MW (TA) | |||||
![]() | Sihf9540pbf | - | ![]() | 7246 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | * | Tube | Actif | Sihf9540 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | |||||||||||||||||||||
Sup85n10-10p-ge3 | - | ![]() | 6079 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Sup85 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal n | 100 V | 85a (TC) | 10V | 10MOHM @ 20A, 10V | 4,5 V @ 250µA | 120 NC @ 10 V | ± 20V | 4660 pf @ 50 V | - | 3,75W (TA), 227W (TC) | |||||
![]() | SQJA70EP-T1_BE3 | 0,7500 | ![]() | 1477 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | 1 (illimité) | 742-SQJA70EP-T1_BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 100 V | 14.7A (TC) | 10V | 95MOHM @ 4A, 10V | 3,5 V @ 250µA | 7 NC @ 10 V | ± 20V | 220 pf @ 25 V | - | 27W (TC) | ||||||
![]() | SIHB22N60E-GE3 | 4.1200 | ![]() | 1632 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Sihb22 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Sihb22n60ege3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 600 V | 21A (TC) | 10V | 180MOHM @ 11A, 10V | 4V @ 250µA | 86 NC @ 10 V | ± 30V | 1920 pf @ 100 V | - | 227W (TC) | ||||
![]() | Irf820strr | - | ![]() | 2066 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRF820 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 500 V | 2.5a (TC) | 10V | 3OHM @ 1,5A, 10V | 4V @ 250µA | 24 NC @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 50W (TC) | ||||
![]() | SIE854DF-T1-E3 | - | ![]() | 4705 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 10-Polarpak® (L) | Sie854 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 10-Polarpak® (L) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 100 V | 60a (TC) | 10V | 14.2MOHM @ 13.2A, 10V | 4,4 V @ 250µA | 75 NC @ 10 V | ± 20V | 3100 pf @ 50 V | - | 5.2W (TA), 125W (TC) | ||||
![]() | SQA440CEJW-T1_GE3 | 0,5700 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Soutien de la surface, flanc Mouillable | 6 powervdfn | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak®c-70W-6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 40 V | 9A (TC) | 4,5 V, 10V | 14.4MOHM @ 5A, 10V | 2,2 V @ 250µA | 17,5 NC @ 10 V | ± 20V | 880 pf @ 25 V | - | 13.6W (TC) | ||||||
![]() | Irfi9634g | - | ![]() | 6326 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | Irfi9634 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * Irfi9634g | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal p | 250 V | 4.1a (TC) | 10V | 1OHM @ 2,5A, 10V | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 680 pf @ 25 V | - | 35W (TC) | |||
![]() | SI4896DY-T1-E3 | 1.9500 | ![]() | 1853 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4896 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 80 V | 6.7A (TA) | 6v, 10v | 16,5MOHM @ 10A, 10V | 2V @ 250µA (min) | 41 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1 56W (TA) |
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