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Produits semi-conduurs discrètes (5717)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)
SI3477DV-T1-GE3	0,7500	RFQ	9052	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	SI3477	MOSFET (Oxyde Métallique)		6 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p	12 V	8A (TC)	1,8 V, 4,5 V	17,5 mohm @ 9a, 4,5 V	1V @ 250µA	90 NC @ 10 V	± 10V	2600 pf @ 6 V	-	2W (TA), 4.2W (TC)
SIR120DP-T1-RE3	1.7100	RFQ	579	Vishay Siliconix	TRENCHFET® GEN IV	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8	Sir120	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SO-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	80 V	24.7A (TA), 106A (TC)	7,5 V, 10V	3 55 mohm @ 15a, 10v	3,5 V @ 250µA	94 NC @ 10 V	± 20V	4150 pf @ 40 V	-	5.4W (TA), 100W (TC)
Irfz14strr	-	RFQ	7497	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Irfz14	MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	800		Canal n	60 V	10A (TC)	10V	200 mohm @ 6a, 10v	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	± 20V	300 pf @ 25 V	-	3.7W (TA), 43W (TC)
SI4500BDY-T1-E3	-	RFQ	7254	Vishay Siliconix	-	Ruban de Coupé (CT)	Obsolète		Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	Si4500	MOSFET (Oxyde Métallique)	1.3W	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500	N et p canal, draine commun		20V	6.6a, 3.8a		20MOHM @ 9.1A, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	17nc @ 4,5 V		-	Porte de Niveau Logique
Sud19p06-60l-e3	1.3200	RFQ	6	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Sud19	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252aa	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	2 000		Canal p	60 V	19A (TC)	4,5 V, 10V	60mohm @ 10a, 10v	3V à 250µA	40 NC @ 10 V	± 20V	1710 PF @ 25 V	-	2.7W (TA), 46W (TC)
SQJ570EP-T1_GE3	1.2100	RFQ	5611	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8 Dual	SQJ570	MOSFET (Oxyde Métallique)	27W	PowerPak® SO-8 Dual	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000	Canal n et p		100V	15A (TC), 9,5A (TC)		45MOHM @ 6A, 10V, 146MOHM @ 6A, 10V	2,5 V @ 250µA	20nc @ 10v, 15nc @ 10v		650pf @ 25v, 600pf @ 25V	-
SI1402DH-T1-GE3	-	RFQ	5669	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SI1402	MOSFET (Oxyde Métallique)		SC-70-6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000		Canal n	30 V	2.7A (TA)	2,5 V, 4,5 V	77MOHM @ 3A, 4,5 V	1,6 V @ 250µA	4,5 NC @ 4,5 V	± 12V		-	950MW (TA)
SIR872ADP-T1-RE3	2.4100	RFQ	2	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8	Sir872	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SO-8	télécharger		1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	150 V	53,7A (TC)	7,5 V, 10V	18MOHM @ 20A, 10V	4,5 V @ 250µA	47 NC @ 10 V	± 20V	1286 PF @ 75 V	-	104W (TC)
SI3456DDV-T1-BE3	0,3900	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6		MOSFET (Oxyde Métallique)		6 TSOP	télécharger		1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	30 V	5A (TA), 6.3A (TC)	4,5 V, 10V	40 mohm @ 5a, 10v	3V à 250µA	9 NC @ 10 V	± 20V	325 pf @ 15 V	-	1.7W (TA), 2,7W (TC)
SI7633DP-T1-GE3	1.6700	RFQ	4392	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8	SI7633	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SO-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p	20 V	60a (TC)	4,5 V, 10V	3,3MOHM @ 20A, 10V	3V à 250µA	260 NC @ 10 V	± 20V	9500 pf @ 10 V	-	6.25W (TA), 104W (TC)
SI4831BDY-T1-GE3	-	RFQ	2412	Vishay Siliconix	Little Foot®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	Si4831	MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal p	30 V	6.6a (TC)	4,5 V, 10V	42MOHM @ 5A, 10V	3V à 250µA	26 NC @ 10 V	± 20V	625 PF @ 15 V	Diode Schottky (isolé)	2W (TA), 3,3W (TC)
SI4834CDY-T1-GE3	-	RFQ	5791	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	SI4834	MOSFET (Oxyde Métallique)	2.9W	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	2 500	2 Canaux N (double)		30V	8a		20 mohm @ 8a, 10v	3V @ 1MA	25nc @ 10v		950pf @ 15v	-
Irfbe30strlpbf	3 5800	RFQ	7632	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Irfbe30	MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	800		Canal n	800 V	4.1a (TC)	10V	3OHM @ 2,5A, 10V	4V @ 250µA	78 NC @ 10 V	± 20V	1300 pf @ 25 V	-	125W (TC)
SIE862DF-T1-GE3	-	RFQ	1481	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	10-Polarpak® (U)	Sie862	MOSFET (Oxyde Métallique)		10-Polarpak® (U)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	30 V	50A (TC)	10V	3,2MOHM @ 20A, 10V	2,2 V @ 250µA	75 NC @ 10 V	± 20V	3100 pf @ 15 V	-	5.2W (TA), 104W (TC)
SI6562CDQ-T1-BE3	1.0200	RFQ	2	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur)	SI6562	MOSFET (Oxyde Métallique)	1.1W (TA), 1,6W (TC), 1,2W (TA), 1,7W (TC)	8-TSSOP	télécharger		1 (illimité)		742-SI6562CDQ-T1-BE3TR	EAR99	8541.29.0095	3 000	Canal n et p		20V	5.7A (TA), 6.7A (TC), 5.1A (TA), 6.1A (TC)		22MOHM @ 5.7A, 4,5 V, 30MOHM @ 5.1A, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	23nc @ 10v, 51nc @ 10v		850pf @ 10v, 1200pf @ 10v	-
SQM40022EM_GE3	2.2300	RFQ	5202	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-7, d²pak (6 leads + onglet)	SQM40022	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 263-7	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	800		Canal n	40 V	150a (TC)	10V	1 63MOHM @ 35A, 10V	3,5 V @ 250µA	160 NC @ 10 V	± 20V	9200 pf @ 25 V	-	150W (TC)
SQ4080EY-T1_GE3	1.3300	RFQ	23	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	SQ4080	MOSFET (Oxyde Métallique)		8-so	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n	150 V	18A (TC)	10V	85MOHM @ 10A, 10V	4V @ 250µA	33 NC @ 10 V	± 20V	1590 pf @ 75 V	-	7.1w (TC)
Irfz24strr	-	RFQ	4910	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Irfz24	MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	800		Canal n	60 V	17A (TC)	10V	100MOHM @ 10A, 10V	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	± 20V	640 PF @ 25 V	-	3.7W (TA), 60W (TC)
Irfibc30g	-	RFQ	9790	Vishay Siliconix	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé	Irfibc30	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	* IRFIBC30G	EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n	600 V	2.5a (TC)	10V	2,2 ohm @ 1,5a, 10v	4V @ 250µA	31 NC @ 10 V	± 20V	660 pf @ 25 V	-	35W (TC)
SIHD6N65ET5-GE3	0,7371	RFQ	8030	Vishay Siliconix	E	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Sihd6	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252aa	télécharger		1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	650 V	7a (TC)	10V	600mohm @ 3a, 10v	4V @ 250µA	48 NC @ 10 V	± 30V	820 pf @ 100 V	-	78W (TC)
Irfibg20g	-	RFQ	1680	Vishay Siliconix	-	Tube	Actif	-	Par le trou	To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé	Irfibg20	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	-	Rohs non conforme	1 (illimité)		* Irfibg20g	EAR99	8541.29.0095	50		Canal n	1000 V	-		-	-				-	-
SI2303CDS-T1-GE3	0 4500	RFQ	115	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	SI2303	MOSFET (Oxyde Métallique)		SOT-23-3 (à 236)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p	30 V	2.7A (TC)	4,5 V, 10V	190mohm @ 1,9a, 10v	3V à 250µA	8 NC @ 10 V	± 20V	155 pf @ 15 V	-	1W (TA), 2,3W (TC)
Irfr110pbf	1 0000	RFQ	2439	Vishay Siliconix	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	IRFR110	MOSFET (Oxyde Métallique)		D-pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	75		Canal n	100 V	4.3A (TC)	10V	540 mOhm @ 2,6a, 10v	4V @ 250µA	8.3 NC @ 10 V	± 20V	180 pf @ 25 V	-	2.5W (TA), 25W (TC)
SI4403DDY-T1-GE3	0,4800	RFQ	1630	Vishay Siliconix	TRENCHFET® GEN III	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	Si4403	MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal p	20 V	15.4A (TC)	1,8 V, 4,5 V	14MOHM @ 9A, 4,5 V	1V @ 250µA	99 NC @ 8 V	± 8v	3250 pf @ 10 V	-	5W (TC)
Irf624spbf	2.1100	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	IRF624	MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		* Irf624spbf	EAR99	8541.29.0095	50		Canal n	250 V	4.4a (TC)	10V	1,1 ohm @ 2,6a, 10v	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	± 20V	260 pf @ 25 V	-	3.1W (TA), 50W (TC)
SI3499DV-T1-E3	-	RFQ	3019	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Si3499	MOSFET (Oxyde Métallique)		6 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p	8 V	5.3A (TA)	1,5 V, 4,5 V	23MOHM @ 7A, 4,5 V	750 mV à 250µA	42 NC @ 4,5 V	± 5V		-	1.1W (TA)
SiHF520STRL-GE3	0,5608	RFQ	3677	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Sihf520	MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		742-SIHF520STRL-GE3TR	EAR99	8541.29.0095	800		Canal n	100 V	9.2a (TC)	10V	270MOHM @ 5.5A, 10V	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	± 20V	360 pf @ 25 V	-	3.7W (TA), 60W (TC)
Sihfr430atrl-ge3	0,4263	RFQ	5203	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Sihfr430	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252aa	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		742-SIHFR430ATRL-GE3TR	EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	500 V	5A (TC)	10V	1,7 ohm @ 3a, 10v	4,5 V @ 250µA	24 NC @ 10 V	± 30V	490 pf @ 25 V	-	110W (TC)
SI1025X-T1-GE3	0,5100	RFQ	61	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-563, SOT-666	SI1025	MOSFET (Oxyde Métallique)	250mw	SC-89 (SOT-563F)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000	2 Canal P (double)		60V	190m		4OHM @ 500mA, 10V	3V à 250µA	1.7NC @ 15V		23pf @ 25v	Porte de Niveau Logique
Irfr9120trpbf	1 4000	RFQ	11	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	IRFR9120	MOSFET (Oxyde Métallique)		D-pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	2 000		Canal p	100 V	5.6a (TC)	10V	600 mOhm @ 3,4a, 10v	4V @ 250µA	18 NC @ 10 V	± 20V	390 pf @ 25 V	-	2.5W (TA), 42W (TC)