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Produits semi-conduurs discrètes (5717)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)
IRFR9120	-	RFQ	7644	Vishay Siliconix	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	IRFR9120	MOSFET (Oxyde Métallique)		D-pak	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	* IRFR9120	EAR99	8541.29.0095	75		Canal p	100 V	5.6a (TC)	10V	600 mOhm @ 3,4a, 10v	4V @ 250µA	18 NC @ 10 V	± 20V	390 pf @ 25 V	-	2.5W (TA), 42W (TC)
SI9926CDY-T1-GE3	1.0700	RFQ	2	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	SI9926	MOSFET (Oxyde Métallique)	3.1W	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	2 500	2 Canaux N (double)		20V	8a		18MOHM @ 8.3A, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	33nc @ 10v		1200pf @ 10v	Porte de Niveau Logique
SI2308BDS-T1-GE3	0,5500	RFQ	65	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	Si2308	MOSFET (Oxyde Métallique)		SOT-23-3 (à 236)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	60 V	2.3A (TC)	4,5 V, 10V	156MOHM @ 1.9A, 10V	3V à 250µA	6,8 NC @ 10 V	± 20V	190 pf @ 30 V	-	1.09W (TA), 1 66W (TC)
Siz710dt-t1-ge3	1.4900	RFQ	17	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	6-PowerPair ™	Siz710	MOSFET (Oxyde Métallique)	27W, 48W	6-PowerPair ™	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000	2 N-Canal (Demi-pont)		20V	16a, 35a		6,8MOHM @ 19A, 10V	2,2 V @ 250µA	18nc @ 10v		820pf @ 10v	Porte de Niveau Logique
IRF740	-	RFQ	7243	Vishay Siliconix	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	IRF740	MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	* IRF740	EAR99	8541.29.0095	50		Canal n	400 V	10A (TC)	10V	550mohm @ 6a, 10v	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	± 20V	1400 pf @ 25 V	-	3.1W (TA), 125W (TC)
SI1031X-T1-E3	-	RFQ	8733	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SC-75, SOT-416	SI1031	MOSFET (Oxyde Métallique)		SC-75A	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000		Canal p	20 V	155mA (TA)	1,5 V, 4,5 V	8OHM @ 150mA, 4,5 V	1,2 V à 250µA	1,5 NC @ 4,5 V	± 6V		-	300mw (TA)
SIR876DP-T1-GE3	-	RFQ	1737	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8	Sir876	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SO-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	100 V	40A (TC)	4,5 V, 10V	10.8MOHM @ 20A, 10V	2,8 V @ 250µA	48 NC @ 10 V	± 20V	1640 PF @ 50 V	-	5W (TA), 62,5W (TC)
SI4501ADY-T1-E3	-	RFQ	9260	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	SI4501	MOSFET (Oxyde Métallique)	1.3W	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500	N et p canal, draine commun		30v, 8v	6.3a, 4.1a		18MOHM @ 8.8A, 10V	1,8 V à 250µA	20nc @ 5v		-	Porte de Niveau Logique
SiDR626LDP-T1-RE3	3.0400	RFQ	18	Vishay Siliconix	TRENCHFET® GEN IV	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8	Sidr626	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SO-8DC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		742-SIDR626LDP-T1-RE3TR	EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	60 V	45.6a (TA), 2.4A (TC)	4,5 V, 10V	1,5 mohm @ 20a, 10v	2,5 V @ 250µA	135 NC @ 10 V	± 20V	5900 pf @ 30 V	-	6.25W (TA), 125W (TC)
Irfz44rstrr	-	RFQ	7617	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Irfz44	MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	800		Canal n	60 V	50A (TC)	10V	28MOHM @ 31A, 10V	4V @ 250µA	67 NC @ 10 V	± 20V	1900 pf @ 25 V	-	150W (TC)
SI4836DY-T1-GE3	-	RFQ	2498	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	SI4836	MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n	12 V	17a (ta)	1,8 V, 4,5 V	3MOHM @ 25A, 4,5 V	400 mV à 250 µA (min)	75 NC @ 4,5 V	± 8v		-	1.6W (TA)
SI4425BDY-T1-E3	1.2900	RFQ	133	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	SI4425	MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal p	30 V	8.8A (TA)	4,5 V, 10V	12MOHM @ 11.4A, 10V	3V à 250µA	100 nc @ 10 V	± 20V		-	1.5W (TA)
Irfbf30strl	-	RFQ	5843	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Irfbf30	MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	800		Canal n	900 V	3.6A (TC)	10V	3,7 ohm @ 2,2a, 10v	4V @ 250µA	78 NC @ 10 V	± 20V	1200 pf @ 25 V	-	125W (TC)
SI2343DS-T1-GE3	0,6300	RFQ	1	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	SI2343	MOSFET (Oxyde Métallique)		SOT-23-3 (à 236)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000		Canal p	30 V	3.1A (TA)	10V	53MOHM @ 4A, 10V	3V à 250µA	21 NC @ 10 V	± 20V	540 pf @ 15 V	-	750MW (TA)
Irfi630gpbf	2.9500	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé	Irfi630	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		* Irfi630gpbf	EAR99	8541.29.0095	50		Canal n	200 V	5.9a (TC)	10V	400MOHM @ 3,5A, 10V	4V @ 250µA	43 NC @ 10 V	± 20V	800 pf @ 25 V	-	35W (TC)
Irfpe30	-	RFQ	9379	Vishay Siliconix	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Irfpe30	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247AC	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	* IRFPE30	EAR99	8541.29.0095	500		Canal n	800 V	4.1a (TC)	10V	3OHM @ 2,5A, 10V	4V @ 250µA	78 NC @ 10 V	± 20V	1300 pf @ 25 V	-	125W (TC)
Sir606bdp-t1-re3	1.4600	RFQ	13	Vishay Siliconix	TRENCHFET® GEN IV	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8	Sir606	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SO-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	100 V	10.9a (TA), 38,7a (TC)	7,5 V, 10V	17.4MOHM @ 10A, 10V	4V @ 250µA	30 NC @ 10 V	± 20V	1470 pf @ 50 V	-	5W (TA), 62,5W (TC)
SQS850EN-T1_BE3	1.0300	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® 1212-8		MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® 1212-8	télécharger		1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	60 V	12A (TC)	4,5 V, 10V	21,5 mohm @ 6.1a, 10v	2,5 V @ 250µA	41 NC @ 10 V	± 20V	2021 PF @ 30 V	-	33W (TC)
SI4483edy-T1-Ge3	-	RFQ	4074	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	Si4483	MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal p	30 V	10A (TA)	4,5 V, 10V	8,5MOHM @ 14A, 10V	3V à 250µA		± 25V		-	1.5W (TA)
VP0300B-E3	-	RFQ	2220	Vishay Siliconix	-	Tube	Obsolète	-		-	VP0300	MOSFET (Oxyde Métallique)			-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	100		Canal p	30 V	320mA (TA)		2,5 ohm @ 1a, 12v	4,5 V @ 1MA			150 pf @ 15 V	-	-
SI2302DDS-T1-BE3	0.4400	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		SOT-23-3 (à 236)	télécharger		1 (illimité)		742-SI2302DDS-T1-BE3TR	EAR99	8541.21.0095	3 000		Canal n	20 V	2.6A (TA)	2,5 V, 4,5 V	57MOHM @ 3,6A, 4,5 V	850 mV à 250µA	5,5 NC @ 4,5 V	± 8v		-	710mw (TA)
Sira02dp-t1-ge3	1.7700	RFQ	2	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8	Sira02	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SO-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	30 V	50A (TC)	4,5 V, 10V	2MOHM @ 15A, 10V	2,2 V @ 250µA	117 NC @ 10 V	+ 20V, -16V	6150 pf @ 15 V	-	5W (TA), 71,4W (TC)
SI2333CDS-T1-BE3	0,6200	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		SOT-23-3 (à 236)	télécharger		1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p	12 V	5.1a (TA), 7.1a (TC)	1,8 V, 4,5 V	35MOHM @ 5.1A, 4,5 V	1V @ 250µA	25 NC @ 4,5 V	± 8v	1225 pf @ 6 V	-	1,25W (TA), 2,5W (TC)
SI5511DC-T1-GE3	-	RFQ	3247	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8 mm, plomb plat	SI5511	MOSFET (Oxyde Métallique)	3.1W, 2.6W	1206-8 Chipfet ™	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000	Canal n et p		30V	4a, 3.6a		55MOHM @ 4.8A, 4,5 V	2V à 250µA	7.1nc @ 5v		435pf @ 15v	Porte de Niveau Logique
SI4462DY-T1-GE3	-	RFQ	2403	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	SI4462	MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n	200 V	1.15A (TA)	6v, 10v	480MOHM @ 1,5A, 10V	4V @ 250µA	9 NC @ 10 V	± 20V		-	1.3W (TA)
Sija58adp-t1-ge3	0,9800	RFQ	6	Vishay Siliconix	TRENCHFET® GEN IV	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8	Sija58	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SO-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	40 V	32.3a (TA), 109A (TC)	4,5 V, 10V	2 65 mohm @ 15a, 10v	2,4 V @ 250µA	61 NC @ 10 V	+ 20V, -16V	3030 PF @ 20 V	-	5W (TA), 56,8W (TC)
IRF820A	-	RFQ	2120	Vishay Siliconix	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	IRF820	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220ab	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	* IRF820A	EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n	500 V	2.5a (TC)	10V	3OHM @ 1,5A, 10V	4,5 V @ 250µA	17 NC @ 10 V	± 30V	340 pf @ 25 V	-	50W (TC)
SQJQ100EL-T1_GE3	3.0300	RFQ	2552	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® 8 x 8	SQJQ100	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® 8 x 8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	2 000		Canal n	40 V	200A (TC)	4,5 V, 10V	1,2 mohm @ 20a, 10v	2,5 V @ 250µA	220 NC @ 10 V	± 20V	14500 pf @ 25 V	-	150W (TC)
Sihg47n60ef-ge3	9.9500	RFQ	492	Vishay Siliconix	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Sihg47	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247AC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	500		Canal n	600 V	47a (TC)	10V	67MOHM @ 24A, 10V	4V @ 250µA	225 NC @ 10 V	± 30V	4854 PF @ 100 V	-	379W (TC)
SQ4431EY-T1_GE3	1.0300	RFQ	2	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	SQ4431	MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal p	30 V	10.8a (TC)	10V	30MOHM @ 6A, 10V	2,5 V @ 250µA	25 NC @ 10 V	± 20V	1265 pf @ 15 V	-	6W (TC)