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Produits semi-conduurs discrètes (5717)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)
SIJ4108DP-T1-GE3	1.7200	RFQ	3275	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8	Sij4108	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SO-8	télécharger		1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	100 V	15.2a (TA), 56,7a (TC)	7,5 V, 10V	52MOHM @ 10A, 10V	4V @ 250µA	52 NC @ 10 V	± 20V	2440 pf @ 50 V	-	5W (TA), 69,4W (TC)
SQ2364EES-T1_BE3	0,6700	RFQ	2	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		SOT-23-3 (à 236)	télécharger		1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	60 V	2A (TC)	1,5 V, 4,5 V	240 mohm @ 2a, 4,5 V	1V @ 250µA	2,5 NC @ 4,5 V	± 8v	330 pf @ 25 V	-	3W (TC)
SI7852DP-T1-E3	2 5000	RFQ	7609	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8	SI7852	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SO-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	80 V	7.6a (TA)	6v, 10v	16,5MOHM @ 10A, 10V	2V @ 250µA (min)	41 NC @ 10 V	± 20V		-	1.9W (TA)
Siss02DN-T1-GE3	1.5200	RFQ	6	Vishay Siliconix	TRENCHFET® GEN IV	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® 1212-8S	Siss02	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® 1212-8S	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	25 V	51A (TA), 80A (TC)	4,5 V, 10V	1,2 mohm @ 15a, 10v	2,2 V @ 250µA	83 NC @ 10 V	+ 16v, -12v	4450 PF @ 10 V	-	5W (TA), 65,7W (TC)
SI7101DN-T1-GE3	1.2500	RFQ	15	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® 1212-8	SI7101	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® 1212-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p	30 V	35A (TC)	4,5 V, 10V	7,2MOHM @ 15A, 10V	2,5 V @ 250µA	102 NC @ 10 V	± 25V	3595 PF @ 15 V	-	3.7W (TA), 52W (TC)
SI3433CDV-T1-E3	0,5100	RFQ	7915	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Si3433	MOSFET (Oxyde Métallique)		6 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p	20 V	6A (TC)	1,8 V, 4,5 V	38MOHM @ 5.2A, 4,5 V	1V @ 250µA	45 NC @ 8 V	± 8v	1300 pf @ 10 V	-	3.3W (TC)
SI7886ADP-T1-E3	-	RFQ	4383	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8	SI7886	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SO-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	30 V	15A (TA)	4,5 V, 10V	4MOHM @ 25A, 10V	1,5 V @ 250µA	60 NC @ 4,5 V	± 12V	6450 pf @ 15 V	-	1.9W (TA)
Sijh800e-T1-Ge3	4.8400	RFQ	2	Vishay Siliconix	TRENCHFET® GEN IV	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® 8 x 8		MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® 8 x 8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	2 000		Canal n	80 V	29A (TA), 299A (TC)	7,5 V, 10V	1 55 mohm @ 20a, 10v	4V @ 250µA	210 NC @ 10 V	± 20V	10230 pf @ 40 V	-	3.3W (TA), 333W (TC)
SI4808DY-T1-GE3	-	RFQ	4666	Vishay Siliconix	Little Foot®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	SI4808	MOSFET (Oxyde Métallique)	1.1W	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	2 500	2 Canaux N (double)		30V	5.7A		22MOHM @ 7.5A, 10V	800 mV à 250µa (min)	20nc @ 10v		-	Porte de Niveau Logique
SQJ409EP-T1_BE3	1.4900	RFQ	1565	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8		MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SO-8	télécharger		1 (illimité)		742-SQJ409EP-T1_BE3TR	EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p	40 V	60a (TC)	4,5 V, 10V	7MOHM @ 10A, 10V	2,5 V @ 250µA	260 NC @ 10 V	± 20V	11000 pf @ 25 V	-	68W (TC)
Irfbe30spbf	3.2000	RFQ	6859	Vishay Siliconix	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Irfbe30	MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		* Irfbe30spbf	EAR99	8541.29.0095	50		Canal n	800 V	4.1a (TC)	10V	3OHM @ 2,5A, 10V	4V @ 250µA	78 NC @ 10 V	± 20V	1300 pf @ 25 V	-	125W (TC)
SI3473DV-T1-E3	-	RFQ	1770	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	SI3473	MOSFET (Oxyde Métallique)		6 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p	12 V	5.9A (TA)	1,8 V, 4,5 V	23MOHM @ 7.9A, 4,5 V	1V @ 250µA	33 NC @ 4,5 V	± 8v		-	1.1W (TA)
SI6924AEDQ-T1-GE3	-	RFQ	9759	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur)	SI6924	MOSFET (Oxyde Métallique)	1W	8-TSSOP	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000	2 Canaux N (double) draine commun		28v	4.1a		33MOHM @ 4.6A, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	10nc @ 4,5 V		-	Porte de Niveau Logique
SQ3410EV-T1_GE3	0 7600	RFQ	1	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	SQ3410	MOSFET (Oxyde Métallique)		6 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	30 V	8A (TC)	4,5 V, 10V	17,5 mohm @ 5a, 10v	2,5 V @ 250µA	21 NC @ 10 V	± 20V	1005 pf @ 15 V	-	5W (TC)
IRF9540PBF-BE3	2.1500	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	IRF9540	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220ab	télécharger		1 (illimité)		742-IRF9540PBF-BE3	EAR99	8541.29.0095	50		Canal p	100 V	19A (TC)		200 mohm @ 11a, 10v	4V @ 250µA	61 NC @ 10 V	± 20V	1400 pf @ 25 V	-	150W (TC)
IRF634S	-	RFQ	5391	Vishay Siliconix	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	IRF634	MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	* IRF634S	EAR99	8541.29.0095	50		Canal n	250 V	8.1a (TC)	10V	450mohm @ 5.1a, 10v	4V @ 250µA	41 NC @ 10 V	± 20V	770 pf @ 25 V	-	3.1W (TA), 74W (TC)
Sud70090e-Ge3	1.5800	RFQ	7571	Vishay Siliconix	Thunderfet®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Sud70090	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252aa	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	2 000		Canal n	100 V	50A (TC)	7,5 V, 10V	8,9MOHM @ 20A, 10V	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	± 20V	1950 PF @ 50 V	-	125W (TC)
TN2404K-T1-GE3	0,9100	RFQ	6237	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	TN2404	MOSFET (Oxyde Métallique)		SOT-23-3 (à 236)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000		Canal n	240 V	200mA (TA)	2,5 V, 10V	4OHM @ 300mA, 10V	2V à 250µA	8 NC @ 10 V	± 20V		-	360MW (TA)
SI4226DY-T1-GE3	-	RFQ	4490	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	SI4226	MOSFET (Oxyde Métallique)	3.2W	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500	2 Canaux N (double)		25V	8a		19,5 mohm @ 7a, 4,5 V	2V à 250µA	36nc @ 10v		1255pf @ 15v	-
SIHB120N60E-T1-GE3	5.2400	RFQ	760	Vishay Siliconix	E	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger		1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	800		Canal n	600 V	25a (TC)	10V	120 MOHM @ 12A, 10V	5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	± 30V	1562 pf @ 100 V	-	179W (TC)
SI7170DP-T1-GE3	-	RFQ	6699	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8	SI7170	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SO-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	30 V	40A (TC)	4,5 V, 10V	3,4MOHM @ 15A, 10V	2,6 V @ 250µA	100 nc @ 10 V	± 20V	4355 pf @ 15 V	-	5W (TA), 48W (TC)
SIB412DK-T1-GE3	-	RFQ	1362	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SC-75-6	SIB412	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SC-75-6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	20 V	9A (TC)	1,8 V, 4,5 V	34MOHM @ 6.6A, 4,5 V	1V @ 250µA	10.16 NC @ 5 V	± 8v	535 pf @ 10 V	-	2.4W (TA), 13W (TC)
SI1967DH-T1-GE3	0,4100	RFQ	18	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SI1967	MOSFET (Oxyde Métallique)	1.25W	SC-70-6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000	2 Canal P (double)		20V	1.3a		490MOHM @ 910mA, 4,5 V	1V @ 250µA	4nc @ 8v		110pf @ 10v	Porte de Niveau Logique
Siz916dt-t1-ge3	-	RFQ	6283	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-POWERWDFN	Siz916	MOSFET (Oxyde Métallique)	22,7W, 100W	8-PowerPair® (6x5)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000	2 N-Canal (Demi-pont)		30V	16a, 40a		6,4MOHM @ 19A, 10V	2,4 V @ 250µA	26nc @ 10v		1208pf @ 15v	-
Sia817edj-T1-Ge3	0,5100	RFQ	6957	Vishay Siliconix	Little Foot®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SC-70-6 Double	SIA817	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SC-70-6 Double	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p	30 V	4.5a (TC)	2,5 V, 10V	65MOHM @ 3A, 10V	1,3 V à 250µA	23 NC @ 10 V	± 12V	600 pf @ 15 V	Diode Schottky (isolé)	1.9W (TA), 6,5W (TC)
SI7431DP-T1-GE3	4.0900	RFQ	1015	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8	Si7431	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SO-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p	200 V	2.2a (TA)	6v, 10v	174MOHM @ 3,8A, 10V	4V @ 250µA	135 NC @ 10 V	± 20V		-	1.9W (TA)
Sihp16n50c-e3	5.8400	RFQ	963	Vishay Siliconix	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Sihp16	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220ab	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	50		Canal n	500 V	16A (TC)	10V	380MOHM @ 8A, 10V	5V @ 250µA	68 NC @ 10 V	± 30V	1900 pf @ 25 V	-	250W (TC)
SI5913DC-T1-E3	-	RFQ	1184	Vishay Siliconix	Little Foot®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8 mm, plomb plat	SI5913	MOSFET (Oxyde Métallique)		1206-8 Chipfet ™	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p	20 V	4A (TC)	2,5 V, 10V	84MOHM @ 3,7A, 10V	1,5 V @ 250µA	12 NC @ 10 V	± 12V	330 pf @ 10 V	Diode Schottky (isolé)	1.7W (TA), 3.1W (TC)
SI2306BDS-T1-BE3	0,5500	RFQ	4754	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		SOT-23-3 (à 236)	télécharger		1 (illimité)		742-SI2306BDS-T1-BE3TR	EAR99	8541.21.0095	3 000		Canal n	30 V	3.16A (TA)	4,5 V, 10V	47MOHM @ 3,5A, 10V	3V à 250µA	4,5 NC @ 5 V	± 20V	305 PF @ 15 V	-	750MW (TA)
SQW44N65EF-GE3	7.6600	RFQ	509	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, E	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247ad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		742-SQW44N65EF-GE3	EAR99	8541.29.0095	480		Canal n	650 V	47a (TC)	10V	73MOHM @ 22A, 10V	4V @ 250µA	266 NC @ 10 V	± 30V	5858 PF @ 100 V	-	500W (TC)