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Produits semi-conduurs discrètes (5717)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Irfz44strrpbf | - |  | 4326 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Irfz44 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 60 V | 50A (TC) | 10V | 28MOHM @ 31A, 10V | 4V @ 250µA | 67 NC @ 10 V | ± 20V | 1900 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 150W (TC) | ||||
 | SI7940DP-T1-E3 | - | | 9697 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 Dual | Si7940 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1,4 W | PowerPak® SO-8 Dual | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 12V | 7.6a | 17MOHM @ 11.8A, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 17nc @ 4,5 V | - | Porte de Niveau Logique | ||||||
 | SI4946BEY-T1-GE3 | 1.4800 | | 23 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Si4946 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3.7W | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 2 Canaux N (double) | 60V | 6.5a | 41MOHM @ 5.3A, 10V | 3V à 250µA | 25nc @ 10v | 840pf @ 30v | Porte de Niveau Logique | |||||||
 | Sud50p04-15-e3 | - | | 9391 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Sud50 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252aa | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal p | 40 V | 50A (TC) | 4,5 V, 10V | 15MOHM @ 30A, 10V | 1V @ 250µA (min) | 130 NC @ 10 V | ± 20V | 5400 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 100W (TC) | |||||
 | SQJA94EP-T1_GE3 | 1.2100 | | 3505 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SQJA94 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 80 V | 46A (TC) | 10V | 13,5MOHM @ 10A, 10V | 3,5 V @ 250µA | 35 NC @ 10 V | ± 20V | 2000 pf @ 25 V | - | 55W (TC) | |||||
 | Si6955Adq-T1-GE3 | - | | 4080 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | Si6955 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 830mw | 8-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | 2 Canal P (double) | 30V | 2.5a | 80MOHM @ 2,9A, 10V | 1V @ 250µA (min) | 8nc @ 5v | - | Porte de Niveau Logique | ||||||
 | Irfl014tr | - | | 6279 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 261-4, à 261aa | Irfl014 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-223 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 60 V | 2.7A (TC) | 10V | 200 mohm @ 1,6a, 10v | 4V @ 250µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 300 pf @ 25 V | - | 2W (TA), 3.1W (TC) | ||||
 | Irfd120pbf | 1.3900 | | 8 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | IRFD120 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 4 HVMDIP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * Irfd120pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 100 V | 1.3A (TA) | 10V | 270MOHM @ 780mA, 10V | 4V @ 250µA | 16 NC @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 1.3W (TA) | ||||
 | Irfb11n50a | - | | 4577 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Irfb11 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRFB11N50A | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 500 V | 11a (TC) | 10V | 520 MOHM @ 6.6A, 10V | 4V @ 250µA | 52 NC @ 10 V | ± 30V | 1423 PF @ 25 V | - | 170W (TC) | |||
 | SI4401FDY-T1-GE3 | 0,8800 | | 7 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN III | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Si4401 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-so | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 40 V | 9.9A (TA), 14A (TC) | 4,5 V, 10V | 14.2MOHM @ 10A, 10V | 2,3 V @ 250µA | 100 nc @ 10 V | ± 20V | 4000 pf @ 20 V | - | 2.5W (TA), 5W (TC) | |||||
 | SIR890DP-T1-GE3 | - | | 2659 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sir890 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 20 V | 50A (TC) | 4,5 V, 10V | 2,9MOHM @ 10A, 10V | 2,6 V @ 250µA | 60 NC @ 10 V | ± 20V | 2747 PF @ 10 V | - | 5W (TA), 50W (TC) | |||||
 | SI2328DS-T1-GE3 | 0,8600 | | 5940 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2328 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23-3 (à 236) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 100 V | 1.15A (TA) | 10V | 250 mohm @ 1,5a, 10v | 4V @ 250µA | 5 NC @ 10 V | ± 20V | - | 730mw (TA) | |||||
| SI2302ADS-T1-GE3 | - | | 2961 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2302 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23-3 (à 236) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 20 V | 2.1A (TA) | 2,5 V, 4,5 V | 60 mohm @ 3,6a, 4,5 V | 1,2 V @ 50µA | 10 NC @ 4,5 V | ± 8v | 300 pf @ 10 V | - | 700MW (TA) | ||||
 | SI6562DQ-T1-GE3 | - | | 3826 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban de Coupé (CT) | Obsolète | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | SI6562 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1W | 8-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n et p | 20V | - | 30 mohm @ 4.5a, 4,5 V | 600 mV à 250 µA (min) | 25nc @ 4,5 V | - | Porte de Niveau Logique | |||||||
 | VP0808B-E3 | - | | 2661 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | To-205ad, to-39-3 Métal peut | VP0808 | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-39 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | Canal p | 80 V | 880mA (TA) | 10V | 5OHM @ 1A, 10V | 4,5 V @ 1MA | ± 20V | 150 pf @ 25 V | - | 6.25W (TA) | |||||
| SI6459BDQ-T1-E3 | - | | 9009 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | Si6459 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 60 V | 2.2a (TA) | 4,5 V, 10V | 115MOHM @ 2,7A, 10V | 3V à 250µA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1W (ta) | |||||
| IRF730A | - | | 9673 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | IRF730 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRF730A | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 400 V | 5.5A (TC) | 10V | 1OHM @ 3,3A, 10V | 4,5 V @ 250µA | 22 NC @ 10 V | ± 30V | 600 pf @ 25 V | - | 74W (TC) | |||
| SIHB12N65E-GE3 | 2.9300 | | 729 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Sihb12 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 650 V | 12A (TC) | 10V | 380MOHM @ 6A, 10V | 4V @ 250µA | 70 NC @ 10 V | ± 30V | 1224 PF @ 100 V | - | 156W (TC) | |||||
 | SIHG17N80E-GE3 | 5.4100 | | 9174 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Sihg17 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247AC | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 800 V | 15A (TC) | 10V | 290MOHM @ 8.5A, 10V | 4V @ 250µA | 122 NC @ 10 V | ± 30V | 2408 PF @ 100 V | - | 208W (TC) | ||||||
| Irf740aspbf | 2.6000 | | 4674 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRF740 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * Irf740aspbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 400 V | 10A (TC) | 10V | 550mohm @ 6a, 10v | 4V @ 250µA | 36 NC @ 10 V | ± 30V | 1030 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | ||||
| Irfbc20 | - | | 3243 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Irfbc20 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRFBC20S | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 600 V | 2.2a (TC) | 10V | 4.4OHM @ 1.3A, 10V | 4V @ 250µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 50W (TC) | |||
| SIR476DP-T1-GE3 | - | | 8203 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sir476 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 25 V | 60a (TC) | 4,5 V, 10V | 1,7MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 135 NC @ 10 V | ± 20V | 6150 pf @ 10 V | - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
| Sihd4n80e-ge3 | 1.7600 | | 8331 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Sihd4 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252aa | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 800 V | 4.3A (TC) | 10V | 1.27OHM @ 2A, 10V | 4V @ 250µA | 32 NC @ 10 V | ± 30V | 622 PF @ 100 V | - | 69W (TC) | |||||
 | SQM50N04-4M0L_GE3 | 1.5475 | | 2748 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | SQM50 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263 (d²pak) | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 40 V | 50A (TC) | 4,5 V, 10V | 4MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 130 NC @ 10 V | ± 20V | 6100 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | ||||||
 | Irfi840glcpbf | 2.9600 | | 725 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | Irfi840 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * Irfi840glcpbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 500 V | 4.5a (TC) | 10V | 850mohm @ 2,7a, 10v | 4V @ 250µA | 39 NC @ 10 V | ± 30V | 1100 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | ||||
| Irfi9634g | - | | 6326 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | Irfi9634 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * Irfi9634g | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal p | 250 V | 4.1a (TC) | 10V | 1OHM @ 2,5A, 10V | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 680 pf @ 25 V | - | 35W (TC) | |||
 | Siha18n60e-e3 | 1.6758 | | 4998 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | Siha18 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Emballage complet à 220 | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 600 V | 18A (TC) | 10V | 202MOHM @ 9A, 10V | 4V @ 250µA | 92 NC @ 10 V | ± 30V | 1640 PF @ 100 V | - | 34W (TC) | ||||||
| Sup60n06-12p-e3 | - | | 1117 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Sup60 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | Sup60n0612pe3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal n | 60 V | 60a (TC) | 10V | 12MOHM @ 30A, 10V | 4,5 V @ 250µA | 55 NC @ 10 V | ± 20V | 1970 PF @ 30 V | - | 3.25W (TA), 100W (TC) | |||
 | IRlr120trpbf | 1.6500 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | IRLR120 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 100 V | 7.7a (TC) | 4V, 5V | 270MOHM @ 4.6A, 5V | 2V à 250µA | 12 NC @ 5 V | ± 10V | 490 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
| Sihs36n50d-e3 | - | | 6634 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 274aa | Sihs36 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Super-247 ™ (à 274aa) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Sihs36n50de3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal n | 500 V | 36a (TC) | 10V | 130MOHM @ 18A, 10V | 5V @ 250µA | 125 NC @ 10 V | ± 30V | 3233 PF @ 100 V | - | 446W (TC) |
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Unité de produit standard
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