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Produits semi-conduurs discrètes (5717)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)
Irfr310trlpbf	1.5300	RFQ	6733	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	IRFR310	MOSFET (Oxyde Métallique)		D-pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	400 V	1.7A (TC)	10V	3,6 ohm @ 1a, 10v	4V @ 250µA	12 NC @ 10 V	± 20V	170 pf @ 25 V	-	2.5W (TA), 25W (TC)
SI7356ADP-T1-GE3	-	RFQ	6539	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8	SI7356	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SO-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	30 V	40A (TC)	4,5 V, 10V	3MOHM @ 20A, 10V	3V à 250µA	145 NC @ 10 V	± 20V	6215 PF @ 15 V	-	5.4W (TA), 83W (TC)
IRFI744G	-	RFQ	3309	Vishay Siliconix	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé	Irfi744	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	* Irfi744g	EAR99	8541.29.0095	50		Canal n	450 V	4.9a (TC)	10V	630MOHM @ 2,9A, 10V	4V @ 250µA	80 NC @ 10 V	± 20V	1400 pf @ 25 V	-	40W (TC)
3N163-2	-	RFQ	5994	Vishay Siliconix	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	To-206af, to-72-4 Metal Can	3N163	MOSFET (Oxyde Métallique)		To-72	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	20		Canal p	40 V	50mA (TA)	20V	250 ohm à 100 µA, 20V	5V @ 10µA		± 30V	3,5 pf @ 15 V	-	375mw (TA)
SQJ570EP-T1_GE3	1.2100	RFQ	5611	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8 Dual	SQJ570	MOSFET (Oxyde Métallique)	27W	PowerPak® SO-8 Dual	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000	Canal n et p		100V	15A (TC), 9,5A (TC)		45MOHM @ 6A, 10V, 146MOHM @ 6A, 10V	2,5 V @ 250µA	20nc @ 10v, 15nc @ 10v		650pf @ 25v, 600pf @ 25V	-
SI3477DV-T1-GE3	0,7500	RFQ	9052	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	SI3477	MOSFET (Oxyde Métallique)		6 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p	12 V	8A (TC)	1,8 V, 4,5 V	17,5 mohm @ 9a, 4,5 V	1V @ 250µA	90 NC @ 10 V	± 10V	2600 pf @ 6 V	-	2W (TA), 4.2W (TC)
SI4500BDY-T1-E3	-	RFQ	7254	Vishay Siliconix	-	Ruban de Coupé (CT)	Obsolète		Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	Si4500	MOSFET (Oxyde Métallique)	1.3W	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500	N et p canal, draine commun		20V	6.6a, 3.8a		20MOHM @ 9.1A, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	17nc @ 4,5 V		-	Porte de Niveau Logique
SQM40022EM_GE3	2.2300	RFQ	5202	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-7, d²pak (6 leads + onglet)	SQM40022	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 263-7	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	800		Canal n	40 V	150a (TC)	10V	1 63MOHM @ 35A, 10V	3,5 V @ 250µA	160 NC @ 10 V	± 20V	9200 pf @ 25 V	-	150W (TC)
SQJ504EP-T1_GE3	1.6100	RFQ	9961	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8 Dual	SQJ504	MOSFET (Oxyde Métallique)	34W (TC)	PowerPak® SO-8 Dual	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000	Canal n et p		40V	30a (TC)		7,5MOHM @ 8A, 10V, 17MOHM @ 8A, 10V	2,5 V @ 250µA	30nc @ 10v, 85nc @ 10v		1900pf @ 25v, 4600pf @ 25V	-
Irfrc20trpbf	1.2900	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Irfrc20	MOSFET (Oxyde Métallique)		D-pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	2 000		Canal n	600 V	2A (TC)	10V	4.4OHM @ 1.2A, 10V	4V @ 250µA	18 NC @ 10 V	± 20V	350 pf @ 25 V	-	2.5W (TA), 42W (TC)
SIE832DF-T1-GE3	-	RFQ	5622	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	10-Polarpak® (s)	Sie832	MOSFET (Oxyde Métallique)		10-Polarpak® (s)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	40 V	50A (TC)	4,5 V, 10V	5,5 mohm @ 14a, 10v	3V à 250µA	77 NC @ 10 V	± 20V	3800 PF @ 20 V	-	5.2W (TA), 104W (TC)
Irlz14strl	-	RFQ	6846	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Irlz14	MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	800		Canal n	60 V	10A (TC)	4V, 5V	200 mohm @ 6a, 5v	2V à 250µA	8,4 NC @ 5 V	± 10V	400 pf @ 25 V	-	3.7W (TA), 43W (TC)
SI6562CDQ-T1-BE3	1.0200	RFQ	2	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur)	SI6562	MOSFET (Oxyde Métallique)	1.1W (TA), 1,6W (TC), 1,2W (TA), 1,7W (TC)	8-TSSOP	télécharger		1 (illimité)		742-SI6562CDQ-T1-BE3TR	EAR99	8541.29.0095	3 000	Canal n et p		20V	5.7A (TA), 6.7A (TC), 5.1A (TA), 6.1A (TC)		22MOHM @ 5.7A, 4,5 V, 30MOHM @ 5.1A, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	23nc @ 10v, 51nc @ 10v		850pf @ 10v, 1200pf @ 10v	-
Irfz14strr	-	RFQ	7497	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Irfz14	MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	800		Canal n	60 V	10A (TC)	10V	200 mohm @ 6a, 10v	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	± 20V	300 pf @ 25 V	-	3.7W (TA), 43W (TC)
SI4442DY-T1-GE3	1.5780	RFQ	6018	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	Si4442	MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n	30 V	15A (TA)	2,5 V, 10V	4,5 mohm @ 22a, 10v	1,5 V @ 250µA	50 NC @ 4,5 V	± 12V		-	1.6W (TA)
SI6993DQ-T1-GE3	-	RFQ	8483	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur)	Si6993	MOSFET (Oxyde Métallique)	830mw	8-TSSOP	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000	2 Canal P (double)		30V	3.6a		31MOHM @ 4.7A, 10V	3V à 250µA	20nc @ 4,5 V		-	Porte de Niveau Logique
SI8472DB-T2-E1	0,5600	RFQ	18	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	4-ufbga	Si8472	MOSFET (Oxyde Métallique)		4-Micro Food® (1x1)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000		Canal n	20 V	3.3A (TA)	1,5 V, 4,5 V	44MOHM @ 1,5A, 4,5 V	900 mV à 250 µA	18 NC @ 8 V	± 8v	630 pf @ 10 V	-	780mw (TA)
SIA517DJ-T1-GE3	0,6400	RFQ	26	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SC-70-6 Double	SIA517	MOSFET (Oxyde Métallique)	6,5 W	PowerPak® SC-70-6 Double	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000	Canal n et p		12V	4.5a		29MOHM @ 5A, 4,5 V	1V @ 250µA	15nc @ 8v		500pf @ 6v	Porte de Niveau Logique
SIHD11N80AE-T4-GE3	1 8000	RFQ	9661	Vishay Siliconix	E	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63		MOSFET (Oxyde Métallique)		D-pak	télécharger		1 (illimité)		742-SIHD11n80AE-T4-GE3TR	EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	800 V	8A (TC)	10V	450mohm @ 5.5a, 10v	4V @ 250µA	42 NC @ 10 V	± 30V	804 PF @ 100 V	-	78W (TC)
Irf9z24strr	-	RFQ	4600	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	IRF9	MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	800		Canal p	60 V	11a (TC)	10V	280MOHM @ 6.6A, 10V	4V @ 250µA	19 NC @ 10 V	± 20V	570 pf @ 25 V	-	3.7W (TA), 60W (TC)
SQJA60EP-T1_BE3	1.1100	RFQ	3	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8 Dual	SQJA60	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SO-8 Dual	-		1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	60 V	30a (TC)	4,5 V, 10V	12,5 mohm @ 8a, 10v	2,5 V @ 250µA	30 NC @ 10 V	± 20V	1600 pf @ 25 V	-	45W (TC)
IRFI510G	-	RFQ	8574	Vishay Siliconix	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé	Irfi510	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	* IRFI510G	EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n	100 V	4.5a (TC)	10V	540mohm @ 2,7a, 10v	4V @ 250µA	8.3 NC @ 10 V	± 20V	180 pf @ 25 V	-	27W (TC)
SI3443CDV-T1-E3	0,6200	RFQ	1	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Si3443	MOSFET (Oxyde Métallique)		6 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p	20 V	5.97A (TC)	2,5 V, 4,5 V	60 mOhm @ 4.7A, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	12.4 NC @ 5 V	± 12V	610 PF @ 10 V	-	2W (TA), 3,2W (TC)
SI1426DH-T1-GE3	-	RFQ	2951	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SI1426	MOSFET (Oxyde Métallique)		SC-70-6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	30 V	2.8A (TA)	4,5 V, 10V	75MOHM @ 3,6A, 10V	2,5 V @ 250µA	3 NC @ 4,5 V	± 20V		-	1W (ta)
Siz790dt-t1-ge3	-	RFQ	6718	Vishay Siliconix	Skyfet®, Trenchfet®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	6-PowerPair ™	Siz790	MOSFET (Oxyde Métallique)	27W, 48W	6-PowerPair ™	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000	2 N-Canal (Demi-pont)		30V	16a, 35a		9.3MOHM @ 15A, 10V	2,2 V @ 250µA	24 NC @ 10V		830pf @ 15v	Porte de Niveau Logique
SIE862DF-T1-GE3	-	RFQ	1481	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	10-Polarpak® (U)	Sie862	MOSFET (Oxyde Métallique)		10-Polarpak® (U)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	30 V	50A (TC)	10V	3,2MOHM @ 20A, 10V	2,2 V @ 250µA	75 NC @ 10 V	± 20V	3100 pf @ 15 V	-	5.2W (TA), 104W (TC)
SI4542DY-T1-GE3	-	RFQ	8855	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	SI4542	MOSFET (Oxyde Métallique)	2W	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500	Canal n et p		30V	-		25MOHM @ 6.9A, 10V	1V @ 250µA (min)	50nc @ 10v		-	Porte de Niveau Logique
SI4834CDY-T1-GE3	-	RFQ	5791	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	SI4834	MOSFET (Oxyde Métallique)	2.9W	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	2 500	2 Canaux N (double)		30V	8a		20 mohm @ 8a, 10v	3V @ 1MA	25nc @ 10v		950pf @ 15v	-
SIR872ADP-T1-RE3	2.4100	RFQ	2	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8	Sir872	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SO-8	télécharger		1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	150 V	53,7A (TC)	7,5 V, 10V	18MOHM @ 20A, 10V	4,5 V @ 250µA	47 NC @ 10 V	± 20V	1286 PF @ 75 V	-	104W (TC)
SI4831BDY-T1-GE3	-	RFQ	2412	Vishay Siliconix	Little Foot®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	Si4831	MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal p	30 V	6.6a (TC)	4,5 V, 10V	42MOHM @ 5A, 10V	3V à 250µA	26 NC @ 10 V	± 20V	625 PF @ 15 V	Diode Schottky (isolé)	2W (TA), 3,3W (TC)