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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRlr024pbf | 1.6800 | ![]() | 6921 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | IRLR024 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal n | 60 V | 14A (TC) | 4V, 5V | 100 mohm @ 8,4a, 5v | 2V à 250µA | 18 NC @ 5 V | ± 10V | 870 pf @ 25 V | - | 42W (TC) | |||||
![]() | SUM110N04-05H-E3 | - | ![]() | 6719 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | SUM110 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263 (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 40 V | 110a (TC) | 10V | 5,3MOHM @ 30A, 10V | 5V @ 250µA | 95 NC @ 10 V | ± 20V | 6700 pf @ 25 V | - | 3,75W (TA), 150W (TC) | ||||
![]() | SI4090DY-T1-GE3 | 1 5000 | ![]() | 4820 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4090 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 100 V | 19.7A (TC) | 6v, 10v | 10MOHM @ 15A, 10V | 3,3 V @ 250µA | 69 NC @ 10 V | ± 20V | 2410 PF @ 50 V | - | 3,5W (TA), 7,8W (TC) | |||||
![]() | SQ2364EES-T1_GE3 | 0,6700 | ![]() | 17 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | SQ2364 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23-3 (à 236) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 60 V | 2A (TC) | 1,5 V, 4,5 V | 240 mohm @ 2a, 4,5 V | 1V @ 250µA | 2,5 NC @ 4,5 V | ± 8v | 330 pf @ 25 V | - | 3W (TC) | |||||
![]() | Sihd6n80ae-ge3 | 1.3200 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Sihd6 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252aa | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal n | 800 V | 5A (TC) | 10V | 950MOHM @ 2A, 10V | 4V @ 250µA | 22,5 NC @ 10 V | ± 30V | 422 PF @ 100 V | - | 62,5W (TC) | |||||
![]() | SQM70060EL_GE3 | 2.6800 | ![]() | 61 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | SQM70060 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263 (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 100 V | 75A (TC) | 4,5 V, 10V | 5,9MOHM @ 30A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 100 nc @ 10 V | ± 20V | 5500 pf @ 25 V | - | 166W (TC) | |||||
Sup90n03-03-e3 | - | ![]() | 8019 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Sup90 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal n | 30 V | 90a (TC) | 4,5 V, 10V | 2,9MOHM @ 28,8A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 257 NC @ 10 V | ± 20V | 12065 PF @ 15 V | - | 3,75W (TA), 250W (TC) | |||||
![]() | SI5410DU-T1-GE3 | - | ![]() | 1748 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® Chipfet ™ Single | SI5410 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® Chipfet ™ Single | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 40 V | 12A (TC) | 4,5 V, 10V | 18MOHM @ 6.6A, 10V | 3V à 250µA | 32 NC @ 10 V | ± 20V | 1350 pf @ 20 V | - | 3.1W (TA), 31W (TC) | |||||
![]() | SI3445ADV-T1-E3 | - | ![]() | 7092 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Si3445 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 8 V | 4.4a (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 42MOHM @ 5.8A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 19 NC @ 4,5 V | ± 8v | - | 1.1W (TA) | |||||
![]() | SISA10BDN-T1-GE3 | 0,9100 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 26A (TA), 104A (TC) | 4,5 V, 10V | 3,6MOHM @ 10A, 10V | 2,4 V @ 250µA | 36.2 NC @ 10 V | + 20V, -16V | 1710 PF @ 15 V | - | 3.8W (TA), 63W (TC) | ||||||
![]() | IRF9530SPBF | 2.4500 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRF9530 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal p | 100 V | 12A (TC) | 10V | 300 MOHM @ 7.2A, 10V | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 860 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 88W (TC) | |||||
![]() | SI5449DC-T1-E3 | - | ![]() | 9765 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 mm, plomb plat | SI5449 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1206-8 Chipfet ™ | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 30 V | 3.1A (TA) | 2,5 V, 4,5 V | 85MOHM @ 3.1A, 4,5 V | 600 mV à 250 µA (min) | 11 NC @ 4,5 V | ± 12V | - | 1.3W (TA) | |||||
![]() | SQM120N04-1M7L_GE3 | 3.4300 | ![]() | 3976 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | SQM120 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 40 V | 120A (TC) | 4,5 V, 10V | 1,7MOHM @ 30A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 285 NC @ 10 V | ± 20V | 14606 PF @ 20 V | - | 375W (TC) | |||||
![]() | SI4914BDY-T1-E3 | - | ![]() | 6821 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4914 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2.7W, 3.1W | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 2 N-Canal (Demi-pont) | 30V | 8.4A, 8A | 21MOHM @ 8A, 10V | 2,7 V @ 250µA | 10.5nc @ 4,5 V | - | - | |||||||
![]() | SQM40061EL_GE3 | 1.8400 | ![]() | 5993 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | SQM40061 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263 (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal p | 40 V | 100A (TC) | 4,5 V, 10V | 5.1MOHM @ 30A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 280 NC @ 10 V | ± 20V | 14500 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | |||||
![]() | SI7945DP-T1-E3 | - | ![]() | 6605 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 Dual | Si7945 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1,4 W | PowerPak® SO-8 Dual | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canal P (double) | 30V | 7a | 20mohm @ 10.9a, 10v | 3V à 250µA | 74nc @ 10v | - | Porte de Niveau Logique | ||||||
![]() | Siz702dt-t1-ge3 | - | ![]() | 1905 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6-PowerPair ™ | Siz702 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 27W, 30W | 6-PowerPair ™ | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 N-Canal (Demi-pont) | 30V | 16A | 12MOHM @ 13.8A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 21nc @ 10v | 790pf @ 15v | Porte de Niveau Logique | |||||||
![]() | Siha2n80e-ge3 | 1.6500 | ![]() | 26 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | Siha2 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Emballage complet à 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 800 V | 2.8A (TC) | 10V | 2 75 ohm @ 1A, 10V | 4V @ 250µA | 19,6 NC @ 10 V | ± 30V | 315 PF @ 100 V | - | 29W (TC) | |||||
![]() | Irf634strrpbf | 2.1700 | ![]() | 2403 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRF634 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 250 V | 8.1a (TC) | 10V | 450mohm @ 5.1a, 10v | 4V @ 250µA | 41 NC @ 10 V | ± 20V | 770 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 74W (TC) | |||||
SQJ963EP-T1_GE3 | 1.8600 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TA) | Support de surface | PowerPak® SO-8 Dual | SQJ963 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 27W (TC) | PowerPak® SO-8 Dual | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canal P (double) | 60V | 8A (TC) | 85MOHM @ 3,5A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 40nc @ 10v | 1140pf @ 30v | - | ||||||||
![]() | SI7232DN-T1-GE3 | 0,9100 | ![]() | 8529 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8 Dual | SI7232 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 23W | PowerPak® 1212-8 Dual | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 20V | 25A | 16.4MOHM @ 10A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 32nc @ 8v | 1220pf @ 10v | Porte de Niveau Logique | |||||||
![]() | SI4004DY-T1-GE3 | - | ![]() | 7965 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban de Coupé (CT) | Obsolète | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4004 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 20 V | 12A (TC) | 13.8MOHM @ 11A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 33 NC @ 10 V | 1280 pf @ 10 V | - | ||||||||
![]() | SI4906DY-T1-GE3 | - | ![]() | 8687 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4906 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3.1W | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 2 Canaux N (double) | 40V | 6.6a | 39MOHM @ 5A, 10V | 2,2 V @ 250µA | 22nc @ 10v | 625pf @ 20v | - | ||||||
![]() | SI2304DDS-T1-BE3 | 0,4300 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2304 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23-3 (à 236) | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 742-SI2304DDS-T1-BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 3.3A (TA), 3,6A (TC) | 4,5 V, 10V | 60 mohm @ 3.2a, 10v | 2,2 V @ 250µA | 6,7 NC @ 10 V | ± 20V | 235 pf @ 15 V | - | 1.1W (TA), 1,7W (TC) | ||||
![]() | SIHK125N60E-T1-GE3 | 5.2300 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerBsfn | MOSFET (Oxyde Métallique) | Powerpak®10 x 12 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 600 V | 21A (TC) | 10V | 125MOHM @ 12A, 10V | 5V @ 250µA | 44 NC @ 10 V | ± 30V | 1811 PF @ 100 V | - | 132W (TC) | ||||||
![]() | SI2319CDS-T1-BE3 | 0,5700 | ![]() | 216 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2319 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23-3 (à 236) | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 40 V | 3.1A (TA), 4.4A (TC) | 4,5 V, 10V | 77MOHM @ 3.1A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 21 NC @ 10 V | ± 20V | 595 PF @ 20 V | - | 1,25W (TA), 2,5W (TC) | |||||
![]() | SQS460CENW-T1_GE3 | 0,8000 | ![]() | 50 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8W | SQS460 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8W | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 742-SQS460CENW-T1_GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 60 V | 8A (TC) | 4,5 V, 10V | 30 mohm @ 5.3a, 10v | 2,5 V @ 250µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 580 pf @ 25 V | - | 27W (TC) | ||||
![]() | SQ3426AEEV-T1_BE3 | 0,7100 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SQ3426 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6 TSOP | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 60 V | 7a (TC) | 4,5 V, 10V | 42MOHM @ 5A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 1100 pf @ 30 V | - | 5W (TC) | ||||||
![]() | Sud50p10-43l-ge3 | 2.6500 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Sud50 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal p | 100 V | 37.1a (TC) | 4,5 V, 10V | 43MOHM @ 9.2A, 10V | 3V à 250µA | 160 NC @ 10 V | ± 20V | 4600 PF @ 50 V | - | 8.3W (TA), 136W (TC) | |||||
![]() | Sir108dp-t1-re3 | 1.7100 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sir108 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 100 V | 12.4A (TA), 45A (TC) | 7,5 V, 10V | 13,5MOHM @ 10A, 10V | 3,6 V @ 250µA | 41,5 NC @ 10 V | ± 20V | 2060 PF @ 50 V | - | 5W (TA), 65,7W (TC) |
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