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Produits semi-conduurs discrètes (5717)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Tension - Dépression (V (br) GSS) Courant - Drain (iDSS) @ VDS (VGS = 0) Tension - coupure (VGS off) @ id
SI7228DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7228DN-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 7066 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® 1212-8 Dual SI7228 MOSFET (Oxyde Métallique) 23W PowerPak® 1212-8 Dual télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 2 Canaux N (double) 30V 26a 20 mohm @ 8,8a, 10v 2,5 V @ 250µA 13nc @ 10v 480pf @ 15v -
SQS140ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix SQS140ENW-T1_GE3 1,3000
RFQ
 ECAD 9264 0,00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Soutien de la surface, flanc Mouillable PowerPak® 1212-8SLW MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® 1212-8SLW télécharger 1 (illimité) 742-SQS140ENW-T1_GE3CT EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 40 V 214A (TC) 10V 2 53MOHM @ 10A, 10V 3,5 V @ 250µA 57 NC @ 10 V ± 20V 3111 pf @ 25 V - 197W (TC)
IRFP460LC Vishay Siliconix IRFP460LC -
RFQ
 ECAD 3133 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 IRFP460 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247AC télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) * IRFP460LC EAR99 8541.29.0095 500 Canal n 500 V 20A (TC) 10V 270MOHM @ 12A, 10V 4V @ 250µA 120 NC @ 10 V ± 30V 3600 pf @ 25 V - 280W (TC)
SI4346DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4346DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 7317 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) SI4346 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOIC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 30 V 5.9A (TA) 2,5 V, 10V 23MOHM @ 8A, 10V 2V à 250µA 10 NC @ 4,5 V ± 12V - 1.31W (TA)
SI2318CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2318CDS-T1-GE3 0 4600
RFQ
 ECAD 19 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2318 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-23-3 (à 236) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 40 V 5.6a (TC) 4,5 V, 10V 42MOHM @ 4.3A, 10V 2,5 V @ 250µA 9 NC @ 10 V ± 20V 340 PF @ 20 V - 1.25W (TA), 2,1W (TC)
SISS64DN-T1-GE3 Vishay Siliconix Siss64dn-t1-ge3 1.3800
RFQ
 ECAD 2142 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® GEN IV Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® 1212-8S Siss64 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® 1212-8S télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 30 V 40A (TC) 4,5 V, 10V 2.1MOHM @ 10A, 10V 2,2 V @ 250µA 68 NC @ 10 V + 20V, -16V 3420 pf @ 15 V - 57W (TC)
SUD50N02-06P-GE3 Vishay Siliconix Sud50n02-06p-ge3 -
RFQ
 ECAD 2065 0,00000000 Vishay Siliconix * Ruban Adhésif (tr) Actif Sud50 - Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 000
SIHP21N60EF-BE3 Vishay Siliconix SiHP21N60EF-BE3 2.9200
RFQ
 ECAD 4159 0,00000000 Vishay Siliconix Ef Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Sihp21 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220ab télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 600 V 21A (TC) 10V 176MOHM @ 11A, 10V 4V @ 250µA 84 NC @ 10 V ± 30V 2030 PF @ 100 V - 227W (TC)
SIHP8N50D-E3 Vishay Siliconix Sihp8n50d-e3 1.7300
RFQ
 ECAD 6384 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Sihp8 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220ab télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 500 V 8.7A (TC) 10V 850MOHM @ 4A, 10V 5V @ 250µA 30 NC @ 10 V ± 30V 527 pf @ 100 V - 156W (TC)
IRL620PBF Vishay Siliconix IRl620pbf 1 8000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 IRL620 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220ab télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) * IRl620pbf EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 200 V 5.2a (TC) 4V, 5V 800MOHM @ 3.1A, 5V 2V à 250µA 16 NC @ 5 V ± 10V 360 pf @ 25 V - 50W (TC)
IRFR9120TRLPBF Vishay Siliconix Irfr9120trlpbf 1.6400
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Vishay Siliconix - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 IRFR9120 MOSFET (Oxyde Métallique) D-pak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal p 100 V 5.6a (TC) 10V 600 mOhm @ 3,4a, 10v 4V @ 250µA 18 NC @ 10 V ± 20V 390 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 42W (TC)
SIR680ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix Sir680Adp-T1-RE3 2.3400
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® GEN IV Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® SO-8 Sir680 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® SO-8 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 80 V 30.7A (TA), 125A (TC) 7,5 V, 10V 2 88MOHM @ 20A, 10V 3,5 V @ 250µA 83 NC @ 10 V ± 20V 4415 PF @ 40 V - 6.25W (TA), 104W (TC)
SI6969BDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix SI6969BDQ-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 1758 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) Si6969 MOSFET (Oxyde Métallique) 830mw 8-TSSOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 3 000 2 Canal P (double) 12V 4A 30MOHM @ 4.6A, 4,5 V 800 mV à 250µA 25nc @ 4,5 V - Porte de Niveau Logique
IRFZ20PBF-BE3 Vishay Siliconix Irfz20pbf-be3 1 9000
RFQ
 ECAD 657 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Irfz20 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220ab télécharger 1 (illimité) 742-irfz20pbf-be3 EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 50 V 15A (TC) 100MOHM @ 10A, 10V 4V @ 250µA 17 NC @ 10 V ± 20V 860 pf @ 25 V - 40W (TC)
SQM100N04-2M7_GE3 Vishay Siliconix SQM100N04-2M7_GE3 1.7342
RFQ
 ECAD 3935 0,00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab SQM100 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263 (d²pak) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 40 V 100A (TC) 10V 2,7MOHM @ 30A, 10V 3,5 V @ 250µA 145 NC @ 10 V ± 20V 7910 PF @ 25 V - 157W (TC)
SI4833BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4833BDY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 1830 0,00000000 Vishay Siliconix Little Foot® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) Si4833 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOIC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal p 30 V 4.6a (TC) 4,5 V, 10V 68MOHM @ 3,6A, 10V 2,5 V @ 250µA 14 NC @ 10 V ± 20V 350 pf @ 15 V Diode Schottky (isolé) 2,75W (TC)
SQ4064EY-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ4064EY-T1_BE3 1.0500
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) SQ4064 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOIC - 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 60 V 12A (TC) 4,5 V, 10V 19.8MOHM @ 6.1A, 10V 2,5 V @ 250µA 43 NC @ 10 V ± 20V 2096 PF @ 25 V - 6.8W (TC)
SI4116DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4116DY-T1-E3 1.2500
RFQ
 ECAD 3658 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) SI4116 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOIC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 25 V 18A (TC) 2,5 V, 10V 8,6MOHM @ 10A, 10V 1,4 V @ 250µA 56 NC @ 10 V ± 12V 1925 PF @ 15 V - 2.5W (TA), 5W (TC)
SI7224DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7224DN-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 5255 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® 1212-8 Dual SI7224 MOSFET (Oxyde Métallique) 17.8W, 23W PowerPak® 1212-8 Dual télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 2 Canaux N (double) 30V 6A 35MOHM @ 6.5A, 10V 2,2 V @ 250µA 14.5nc @ 10v 570pf @ 15v Porte de Niveau Logique
SISS66DN-T1-GE3 Vishay Siliconix Siss66dn-t1-ge3 1.5100
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® GEN IV Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® 1212-8S Siss66 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® 1212-8S télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 30 V 49.1a (TA), 178,3a (TC) 4,5 V, 10V 1,38MOHM @ 20A, 10V 2,5 V @ 250µA 85,5 NC @ 10 V + 20V, -16V 3327 PF @ 15 V Diode Schottky (Corps) 5.1W (TA), 65.8W (TC)
SQ4920EY-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ4920EY-T1_GE3 1.6600
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) SQ4920 MOSFET (Oxyde Métallique) 4.4W 8-SOIC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 500 2 Canaux N (double) 30V 8a 14,5 mohm @ 6a, 10v 2,5 V @ 250µA 30nc @ 10v 1465pf @ 15v Porte de Niveau Logique
SIA950DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix Sia950dj-t1-ge3 -
RFQ
 ECAD 3492 0,00000000 Vishay Siliconix Little Foot® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® SC-70-6 Double Sia950 MOSFET (Oxyde Métallique) 7W PowerPak® SC-70-6 Double télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 2 Canaux N (double) 190v 950m 3,8 ohm @ 360mA, 4,5 V 1,4 V @ 250µA 4.5nc @ 10v 90pf @ 100v Porte de Niveau Logique
IRFI9620GPBF Vishay Siliconix Irfi9620gpbf 2.4800
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé Irfi9620 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) * Irfi9620gpbf EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal p 200 V 3A (TC) 10V 1,5 ohm @ 1,8a, 10v 4V @ 250µA 15 NC @ 10 V ± 20V 340 pf @ 15 V - 30W (TC)
IRFD9110 Vishay Siliconix IRFD9110 -
RFQ
 ECAD 9745 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) IRFD9110 MOSFET (Oxyde Métallique) 4 HVMDIP télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté * IRFD9110 EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal p 100 V 700mA (TA) 10V 1,2 ohm @ 420mA, 10V 4V @ 250µA 8,7 NC @ 10 V ± 20V 200 pf @ 25 V - 1.3W (TA)
SI1021R-T1-E3 Vishay Siliconix SI1021R-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 3279 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SC-75, SOT-416 SI1021 MOSFET (Oxyde Métallique) SC-75A télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal p 60 V 190mA (TA) 4,5 V, 10V 4OHM @ 500mA, 10V 3V à 250µA 1,7 NC @ 15 V ± 20V 23 pf @ 25 V - 250mw (TA)
SI5975DC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5975DC-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 1962 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8 mm, plomb plat SI5975 MOSFET (Oxyde Métallique) 1.1W 1206-8 Chipfet ™ télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 2 Canal P (double) 12V 3.1a 86MOHM @ 3.1A, 4,5 V 450 MV @ 1MA (min) 9NC @ 4,5 V - Porte de Niveau Logique
SI7164DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7164DP-T1-GE3 2.9100
RFQ
 ECAD 984 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® SO-8 SI7164 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® SO-8 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 60 V 60a (TC) 10V 6,25 mohm @ 10a, 10v 4,5 V @ 250µA 75 NC @ 10 V ± 20V 2830 pf @ 30 V - 6.25W (TA), 104W (TC)
2N4339 Vishay Siliconix 2N4339 -
RFQ
 ECAD 6713 0,00000000 Vishay Siliconix - En gros Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN 2N4339 300 MW To-206aa (à 18) télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 200 Canal n 7pf @ 15v 50 V 500 µA à 15 V 600 mV @ 100 na
SI5935DC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5935DC-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 2667 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8 mm, plomb plat SI5935 MOSFET (Oxyde Métallique) 1.1W 1206-8 Chipfet ™ télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 2 Canal P (double) 20V 3A 86MOHM @ 3A, 4,5 V 1V @ 250µA 8.5nc @ 4,5 V - Porte de Niveau Logique
SST5484-E3 Vishay Siliconix SST5484-E3 -
RFQ
 ECAD 8855 0,00000000 Vishay Siliconix - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 SST5484 350 MW SOT-23 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 1 000 Canal n 5pf @ 15v 25 V 1 ma @ 15 V 300 mV @ 10 na
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