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Produits semi-conduurs discrètes (5717)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max)
IRF840LCSTRR Vishay Siliconix Irf840lcstrr -
RFQ
 ECAD 7368 0,00000000 Vishay Siliconix - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab IRF840 MOSFET (Oxyde Métallique) D²pak (à 263) télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 500 V 8A (TC) 10V 850mohm @ 4.8a, 10v 4V @ 250µA 39 NC @ 10 V ± 30V 1100 pf @ 25 V - 3.1W (TA), 125W (TC)
SI7980DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7980DP-T1-GE3 1.0500
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® SO-8 Dual SI7980 MOSFET (Oxyde Métallique) 19.8W, 21.9W PowerPak® SO-8 Dual télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 2 N-Canal (Demi-pont) 20V 8a 22MOHM @ 5A, 10V 2,5 V @ 250µA 27nc @ 10v 1010pf @ 10v -
2N6660JTXV02 Vishay Siliconix 2N6660JTXV02 -
RFQ
 ECAD 1075 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou To-205ad, to-39-3 Métal peut 2N6660 MOSFET (Oxyde Métallique) To-205ad (to-39) télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 20 Canal n 60 V 990mA (TC) 5v, 10v 3OHM @ 1A, 10V 2v @ 1MA ± 20V 50 pf @ 25 V - 725MW (TA), 6,25W (TC)
SI4104DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4104DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 6361 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) Si4104 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOIC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 100 V 4.6a (TC) 10V 105MOHM @ 5A, 10V 4,5 V @ 250µA 13 NC @ 10 V ± 20V 446 PF @ 50 V - 2.5W (TA), 5W (TC)
SI7404DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7404DN-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 7311 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® 1212-8 SI7404 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® 1212-8 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 30 V 8.5A (TA) 2,5 V, 10V 13MOHM @ 13.3A, 10V 1,5 V @ 250µA 30 NC @ 4,5 V ± 12V - 1.5W (TA)
SIHA15N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHA15N60E-GE3 3.0700
RFQ
 ECAD 1682 0,00000000 Vishay Siliconix - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET MOSFET (Oxyde Métallique) Emballage complet à 220 télécharger 1 (illimité) 742-SIHA15N60E-GE3TR EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 600 V 15A (TC) 10V 280MOHM @ 8A, 10V 4V @ 250µA 76 NC @ 10 V ± 30V 1350 pf @ 100 V - 34W (TC)
SI3951DV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3951DV-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 7314 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SI3951 MOSFET (Oxyde Métallique) 2W 6 TSOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 2 Canal P (double) 20V 2.7A 115MOHM @ 2,5A, 4,5 V 1,5 V @ 250µA 5.1nc @ 5v 250pf @ 10v Porte de Niveau Logique
SI7117DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7117DN-T1-E3 1.3200
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® 1212-8 SI7117 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® 1212-8 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal p 150 V 2.17a (TC) 6v, 10v 1,2 ohm @ 500mA, 10V 4,5 V @ 250µA 12 NC @ 10 V ± 20V 510 PF @ 25 V - 3.2W (TA), 12,5W (TC)
SUP57N20-33-E3 Vishay Siliconix Sup57n20-33-e3 4.6700
RFQ
 ECAD 45 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Sup57 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220ab télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Sup57n2033e3 EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 200 V 57a (TC) 10V 33MOHM @ 30A, 10V 4V @ 250µA 130 NC @ 10 V ± 20V 5100 pf @ 25 V - 3,75W (TA), 300W (TC)
SQP90P06-07L_GE3 Vishay Siliconix SQP90P06-07L_GE3 -
RFQ
 ECAD 6256 0,00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 SQP90 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220ab télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 500 Canal p 60 V 120A (TC) 4,5 V, 10V 6,7MOHM @ 30A, 10V 2,5 V @ 250µA 270 NC @ 10 V ± 20V 14280 PF @ 25 V - 300W (TC)
IRF9Z20 Vishay Siliconix Irf9z20 -
RFQ
 ECAD 2062 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 IRF9 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220ab télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) * IRF9Z20 EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal p 50 V 9.7A (TC) 10V 280MOHM @ 5.6A, 10V 4V @ 250µA 26 NC @ 10 V ± 20V 480 pf @ 25 V - 40W (TC)
IRFR9110TRLPBF Vishay Siliconix Irfr9110trlpbf 1.5900
RFQ
 ECAD 1511 0,00000000 Vishay Siliconix - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 IRFR9110 MOSFET (Oxyde Métallique) D-pak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal p 100 V 3.1A (TC) 10V 1,2 ohm @ 1,9a, 10v 4V @ 250µA 8,7 NC @ 10 V ± 20V 200 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 25W (TC)
SI7848DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7848DP-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 5191 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® SO-8 SI7848 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® SO-8 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 40 V 10.4a (TA) 4,5 V, 10V 9MOHM @ 14A, 10V 3V à 250µA 28 NC @ 5 V ± 20V - 1.83W (TA)
SIHP186N60EF-GE3 Vishay Siliconix SiHP186N60EF-GE3 1.8610
RFQ
 ECAD 8796 0,00000000 Vishay Siliconix Ef Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Sihp186 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220ab télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 600 V 18A (TC) 10V 193MOHM @ 9.5A, 10V 5V @ 250µA 32 NC @ 10 V ± 30V 1081 PF @ 100 V - 156W (TC)
SI4823DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4823DY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 4938 0,00000000 Vishay Siliconix Little Foot® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) Si4823 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOIC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal p 20 V 4.1a (TC) 2,5 V, 4,5 V 108MOHM @ 3,3A, 4,5 V 1,5 V @ 250µA 12 NC @ 10 V ± 12V 660 pf @ 10 V Diode Schottky (isolé) 1.7W (TA), 2,8W (TC)
SI7620DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7620DN-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 9098 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® 1212-8 SI7620 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® 1212-8 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 150 V 13A (TC) 10V 126MOHM @ 3,6A, 10V 4,5 V @ 250µA 15 NC @ 10 V ± 20V 600 pf @ 75 V - 3.8W (TA), 5.2W (TC)
IRF520STRR Vishay Siliconix Irf520strr -
RFQ
 ECAD 4252 0,00000000 Vishay Siliconix - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab IRF520 MOSFET (Oxyde Métallique) D²pak (à 263) télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 100 V 9.2a (TC) 10V 270MOHM @ 5.5A, 10V 4V @ 250µA 16 NC @ 10 V ± 20V 360 pf @ 25 V - 3.7W (TA), 60W (TC)
SIDR570EP-T1-RE3 Vishay Siliconix SiDR570EP-T1-RE3 3.0300
RFQ
 ECAD 8461 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® GEN V Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® SO-8 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® SO-8DC télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 150 V 30,8A (TA), 90,9A (TC) 7,5 V, 10V 7,9MOHM @ 20A, 10V 4V @ 250µA 71 NC @ 10 V ± 20V 3740 PF @ 75 V - 7.5W (TA), 150W (TC)
SIHG21N60EF-GE3 Vishay Siliconix SiHG21N60EF-GE3 4.4700
RFQ
 ECAD 6532 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Sihg21 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247AC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 25 Canal n 600 V 21A (TC) 10V 176MOHM @ 11A, 10V 4V @ 250µA 84 NC @ 10 V ± 30V 2030 PF @ 100 V - 227W (TC)
SIHB22N60ET1-GE3 Vishay Siliconix SIHB22N60ET1-GE3 3 5600
RFQ
 ECAD 9622 0,00000000 Vishay Siliconix E Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Sihb22 MOSFET (Oxyde Métallique) D²pak (à 263) télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 600 V 21A (TC) 10V 180MOHM @ 11A, 10V 4V @ 250µA 86 NC @ 10 V ± 30V 1920 pf @ 100 V - 227W (TC)
SIS606BDN-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS606BDN-T1-GE3 1.4900
RFQ
 ECAD 7649 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® GEN IV Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® 1212-8 Sis606 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® 1212-8 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 100 V 9.4A (TA), 35,3A (TC) 7,5 V, 10V 17.4MOHM @ 10A, 10V 4V @ 250µA 30 NC @ 10 V ± 20V 1470 pf @ 50 V - 3.7W (TA), 52W (TC)
SI3495DV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3495DV-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 7465 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Si3495 MOSFET (Oxyde Métallique) 6 TSOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal p 20 V 5.3A (TA) 1,5 V, 4,5 V 24MOHM @ 7A, 4,5 V 750 mV à 250µA 38 NC @ 4,5 V ± 5V - 1.1W (TA)
SUM110P06-08L-E3 Vishay Siliconix Sum110p06-08l-e3 4.4500
RFQ
 ECAD 9491 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab SUM110 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263 (d²pak) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 800 Canal p 60 V 110a (TC) 4,5 V, 10V 8MOHM @ 30A, 10V 3V à 250µA 240 NC @ 10 V ± 20V 9200 pf @ 25 V - 3,75W (TA), 272W (TC)
SIHB21N65EF-GE3 Vishay Siliconix SIHB21N65EF-GE3 5.0800
RFQ
 ECAD 351 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Sihb21 MOSFET (Oxyde Métallique) D²pak (à 263) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 650 V 21A (TC) 10V 180MOHM @ 11A, 10V 4V @ 250µA 106 NC @ 10 V ± 30V 2322 pf @ 100 V - 208W (TC)
SIHA14N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHA14N60E-GE3 2.3700
RFQ
 ECAD 6111 0,00000000 Vishay Siliconix E Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET MOSFET (Oxyde Métallique) Emballage complet à 220 télécharger 1 (illimité) 742-SIHA14N60E-GE3TR EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 600 V 13A (TC) 10V 309MOHM @ 7A, 10V 4V @ 250µA 64 NC @ 10 V ± 30V 1205 PF @ 100 V - 147W (TC)
IRF840STRRPBF Vishay Siliconix Irf840strrpbf 2.8500
RFQ
 ECAD 415 0,00000000 Vishay Siliconix - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab IRF840 MOSFET (Oxyde Métallique) D²pak (à 263) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 500 V 8A (TC) 10V 850mohm @ 4.8a, 10v 4V @ 250µA 63 NC @ 10 V ± 20V 1300 pf @ 25 V - 125W (TC)
IRF630STRL Vishay Siliconix Irf630strl -
RFQ
 ECAD 2493 0,00000000 Vishay Siliconix - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab IRF630 MOSFET (Oxyde Métallique) D²pak (à 263) télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 200 V 9A (TC) 10V 400mohm @ 5.4a, 10v 4V @ 250µA 43 NC @ 10 V ± 20V 800 pf @ 25 V - 3W (TA), 74W (TC)
SIRC06DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIRC06DP-T1-GE3 0,3733
RFQ
 ECAD 8732 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® GEN IV Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® SO-8 SIRC06 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® SO-8 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 30 V 32A (TA), 60A (TC) 4,5 V, 10V 2,7MOHM @ 15A, 10V 2,1 V @ 250µA 58 NC @ 10 V + 20V, -16V 2455 pf @ 15 V Diode Schottky (Corps) 5W (TA), 50W (TC)
SIE836DF-T1-E3 Vishay Siliconix SIE836DF-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 8315 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 10-Polarpak® (SH) Sie836 MOSFET (Oxyde Métallique) 10-Polarpak® (SH) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 200 V 18.3A (TC) 10V 130mohm @ 4.1a, 10v 4,5 V @ 250µA 41 NC @ 10 V ± 30V 1200 pf @ 100 V - 5.2W (TA), 104W (TC)
IRFBC20STRR Vishay Siliconix Irfbc20strr -
RFQ
 ECAD 2867 0,00000000 Vishay Siliconix - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Irfbc20 MOSFET (Oxyde Métallique) D²pak (à 263) télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 600 V 2.2a (TC) 10V 4.4OHM @ 1.3A, 10V 4V @ 250µA 18 NC @ 10 V ± 20V 350 pf @ 25 V - 3.1W (TA), 50W (TC)
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AD9208BBPZ-3000

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