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Produits semi-conduurs discrètes (5717)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Package de Périphérique Fournisseeur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)
2N6661JTXL02	-	RFQ	8572	Vishay Siliconix	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	À Travers Le Trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut	2N6661	MOSFET (Oxyde Métallique)		To-39	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	20		Canal n	90 V	860mA (TC)	5v, 10v	4OHM @ 1A, 10V	2v @ 1MA		± 20V	50 pf @ 25 V	-	725MW (TA), 6,25W (TC)
Irfr024	-	RFQ	8624	Vishay Siliconix	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Irfr024	MOSFET (Oxyde Métallique)		D-pak	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	* IRFR024	EAR99	8541.29.0095	75		Canal n	60 V	14A (TC)	10V	100MOHM @ 8,4A, 10V	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	± 20V	640 PF @ 25 V	-	2.5W (TA), 42W (TC)
SIS990DN-T1-GE3	0,9200	RFQ	7977	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® 1212-8 Dual	Sis990	MOSFET (Oxyde Métallique)	25W	PowerPak® 1212-8 Dual	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000	2 Canaux N (double)		100V	12.1a		85MOHM @ 8A, 10V	4V @ 250µA	8nc @ 10v		250pf @ 50v	-
SI7617DN-T1-GE3	0,8800	RFQ	241	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® 1212-8	SI7617	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® 1212-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p	30 V	35A (TC)	4,5 V, 10V	12.3MOHM @ 13.9A, 10V	2,5 V @ 250µA	59 NC @ 10 V	± 25V	1800 pf @ 15 V	-	3.7W (TA), 52W (TC)
SI1023X-T1-GE3	0.4400	RFQ	6	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-563, SOT-666	SI1023	MOSFET (Oxyde Métallique)	250mw	SC-89 (SOT-563F)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000	2 Canal P (double)		20V	370mA		1,2 ohm @ 350mA, 4,5 V	450 mV à 250 µA (min)	1.5nc @ 4,5 V		-	Porte de Niveau Logique
Irfr310trpbf	1.1700	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	IRFR310	MOSFET (Oxyde Métallique)		D-pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	2 000		Canal n	400 V	1.7A (TC)	10V	3,6 ohm @ 1a, 10v	4V @ 250µA	12 NC @ 10 V	± 20V	170 pf @ 25 V	-	2.5W (TA), 25W (TC)
SQ4410EY-T1_BE3	1.5200	RFQ	4	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	SQ4410	MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger		1 (illimité)		742-SQ4410EY-T1_BE3CT	EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n	30 V	15A (TC)	4,5 V, 10V	12MOHM @ 10A, 10V	2,5 V @ 250µA	53 NC @ 10 V	± 20V	2385 pf @ 25 V	-	5W (TC)
SI4925BDY-T1-GE3	1,7000	RFQ	1623	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	Si4925	MOSFET (Oxyde Métallique)	1.1W	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	2 500	2 Canal P (double)		30V	5.3a		25MOHM @ 7.1A, 10V	3V à 250µA	50nc @ 10v		-	Porte de Niveau Logique
Sia813dj-t1-ge3	-	RFQ	7261	Vishay Siliconix	Little Foot®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SC-70-6 Double	Sia813	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SC-70-6 Double	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p	20 V	4.5a (TC)	1,8 V, 4,5 V	94MOHM @ 2,8A, 4,5 V	1V @ 250µA	13 NC @ 8 V	± 8v	355 PF @ 10 V	Diode Schottky (isolé)	1.9W (TA), 6,5W (TC)
Siss65dn-t1-ge3	0,9000	RFQ	1	Vishay Siliconix	TRENCHFET® GEN III	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® 1212-8S	Siss65	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® 1212-8S	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p	30 V	25.9A (TA), 94A (TC)	4,5 V, 10V	4,6MOHM @ 15A, 10V	2,3 V @ 250µA	138 NC @ 10 V	± 20V	4930 pf @ 15 V	-	5.1W (TA), 65.8W (TC)
SQJ431AEP-T1_GE3	1.6400	RFQ	7662	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8	SQJ431	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SO-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p	200 V	9.4a (TC)	6v, 10v	305MOHM @ 3,8A, 10V	3,5 V @ 250µA	85 NC @ 10 V	± 20V	3700 pf @ 25 V	-	68W (TC)
SI1431DH-T1-GE3	-	RFQ	8912	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SI1431	MOSFET (Oxyde Métallique)		SC-70-6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000		Canal p	30 V	1.7A (TA)	4,5 V, 10V	200 mohm @ 2a, 10v	3V @ 100µA	4 NC @ 4,5 V	± 20V		-	950MW (TA)
SQD100N02_3M5L4GE3	0,6209	RFQ	5786	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	SQD100	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252aa	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		742 SQD100N02_3M5L4GE3TR	EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n	20 V	100A (TC)	4,5 V, 10V	3,5 mohm @ 30a, 10v	2,5 V @ 250µA	110 NC @ 10 V	± 20V	5500 pf @ 10 V	-	83W (TC)
SI7852DP-T1-GE3	2.9500	RFQ	795	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8	SI7852	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SO-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	80 V	7.6a (TA)	6v, 10v	16,5MOHM @ 10A, 10V	2V @ 250µA (min)	41 NC @ 10 V	± 20V		-	1.9W (TA)
SI6924AEDQ-T1-E3	-	RFQ	2812	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur)	SI6924	MOSFET (Oxyde Métallique)	1W	8-TSSOP	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000	2 Canaux N (double) draine commun		28v	4.1a		33MOHM @ 4.6A, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	10nc @ 4,5 V		-	Porte de Niveau Logique
SI4913DY-T1-GE3	-	RFQ	3943	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	SI4913	MOSFET (Oxyde Métallique)	1.1W	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500	2 Canal P (double)		20V	7.1a		15MOHM @ 9.4A, 4,5 V	1V @ 500µA	65nc @ 4,5 V		-	Porte de Niveau Logique
SI9435BDY-T1-E3	0,8900	RFQ	21	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	SI9435	MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal p	30 V	4.1a (TA)	4,5 V, 10V	42MOHM @ 5.7A, 10V	3V à 250µA	24 NC @ 10 V	± 20V		-	1.3W (TA)
Irf9z24pbf	1.9400	RFQ	7	Vishay Siliconix	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	À Travers Le Trou	À 220-3	Irf9z24	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220ab	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	50		Canal p	60 V	11a (TC)	10V	280MOHM @ 6.6A, 10V	4V @ 250µA	19 NC @ 10 V	± 20V	570 pf @ 25 V	-	60W (TC)
SI1970DH-T1-E3	-	RFQ	7066	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SI1970	MOSFET (Oxyde Métallique)	1.25W	SC-70-6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000	2 Canaux N (double)		30V	1.3a		225MOHM @ 1,2A, 4,5 V	1,6 V @ 250µA	3.8nc @ 10v		95pf @ 15v	Porte de Niveau Logique
SI4453DY-T1-GE3	-	RFQ	3197	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	SI4453	MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal p	12 V	10A (TA)	1,8 V, 4,5 V	6,5 mohm @ 14a, 4,5 V	900 mV à 600 µA	165 NC @ 5 V	± 8v		-	1.5W (TA)
SQ3419EV-T1_BE3	0,6900	RFQ	2	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	SQ3419	MOSFET (Oxyde Métallique)		6 TSOP	télécharger		1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p	40 V	6.9a (TC)	4,5 V, 10V	58MOHM @ 2,5A, 10V	2,5 V @ 250µA	11,3 NC @ 4,5 V	± 20V	990 PF @ 20 V	-	5W (TC)
SUM70030E-GE3	3.6700	RFQ	2	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Sum70030	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 263 (d²pak)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	800		Canal n	100 V	150a (TC)	7,5 V, 10V	2 88MOHM @ 30A, 10V	4V @ 250µA	214 NC @ 10 V	± 20V	10870 pf @ 50 V	-	375W (TC)
IRL540L	-	RFQ	1540	Vishay Siliconix	-	Tube	Obsolète	-	À Travers Le Trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa	IRL540	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 262-3	-	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	* IRL540L	EAR99	8541.29.0095	50		Canal n	100 V	28a (TC)	4V, 5V	77MOHM @ 17A, 5V	-	64 NC @ 5 V	± 10V	2200 pf @ 25 V	-	-
SI4336DY-T1-E3	-	RFQ	8821	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	Si4336	MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n	30 V	17a (ta)	4,5 V, 10V	3,25 mohm @ 25a, 10v	3V à 250µA	50 NC @ 4,5 V	± 20V	5600 pf @ 15 V	-	1.6W (TA)
SI7114DN-T1-GE3	0,8005	RFQ	8612	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® 1212-8	SI7114	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® 1212-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	30 V	11.7A (TA)	4,5 V, 10V	7,5 mohm @ 18,3a, 10v	3V à 250µA	19 NC @ 4,5 V	± 20V		-	1.5W (TA)
SI4176DY-T1-E3	-	RFQ	1880	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	SI4176	MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n	30 V	12A (TC)	4,5 V, 10V	20 mohm @ 8,3a, 10v	2,2 V @ 250µA	15 NC @ 10 V	± 20V	490 pf @ 15 V	-	2.4W (TA), 5W (TC)
SIHD14N60E-BE3	2.3000	RFQ	9863	Vishay Siliconix	E	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Sihd14	MOSFET (Oxyde Métallique)		D-pak	télécharger		1 (illimité)		742-SIHD14N60E-BE3	EAR99	8541.29.0095	75		Canal n	600 V	13A (TC)	10V	309MOHM @ 7A, 10V	4V @ 250µA	64 NC @ 10 V	± 30V	1205 PF @ 100 V	-	147W (TC)
SI7956DP-T1-E3	3.1700	RFQ	2	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8 Dual	SI7956	MOSFET (Oxyde Métallique)	1,4 W	PowerPak® SO-8 Dual	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000	2 Canaux N (double)		150V	2.6a		105MOHM @ 4.1A, 10V	4V @ 250µA	26nc @ 10v		-	Porte de Niveau Logique
Siz900dt-t1-ge3	-	RFQ	2301	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	6-PowerPair ™	Siz900	MOSFET (Oxyde Métallique)	48W, 100W	6-PowerPair ™	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000	2 N-Canal (Demi-pont)		30V	24a, 28a		7,2MOHM @ 19.4A, 10V	2,4 V @ 250µA	45nc @ 10v		1830pf @ 15v	Porte de Niveau Logique
IRLZ34S	-	RFQ	6206	Vishay Siliconix	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Irlz34	MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	* IRLZ34S	EAR99	8541.29.0095	50		Canal n	60 V	30a (TC)	4V, 5V	50MOHM @ 18A, 5V	2V à 250µA	35 NC @ 5 V	± 10V	1600 pf @ 25 V	-	3.7W (TA), 88W (TC)