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Produits semi-conduurs discrètes (5717)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)
Sup85n03-3m6p-ge3	-	RFQ	8312	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Sup85	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220ab	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	50		Canal n	30 V	85a (TC)	4,5 V, 10V	3,6MOHM @ 22A, 10V	2,5 V @ 250µA	100 nc @ 10 V	± 20V	3535 PF @ 15 V	-	3.1W (TA), 78.1W (TC)
TP0202K-T1-E3	-	RFQ	9227	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	TP0202	MOSFET (Oxyde Métallique)		SOT-23-3 (à 236)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000		Canal p	30 V	385mA (TA)	4,5 V, 10V	1,4 ohm @ 500mA, 10V	3V à 250µA	1 NC @ 10 V	± 20V	31 pf @ 15 V	-	350MW (TA)
SI7913DN-T1-E3	1.6400	RFQ	2	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® 1212-8 Dual	SI7913	MOSFET (Oxyde Métallique)	1.3W	PowerPak® 1212-8 Dual	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000	2 Canal P (double)		20V	5A		37MOHM @ 7.4A, 4,5 V	1V @ 250µA	24 NC à 4,5 V		-	Porte de Niveau Logique
SI6925ADQ-T1-E3	-	RFQ	1125	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur)	SI6925	MOSFET (Oxyde Métallique)	800mw	8-TSSOP	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000	2 Canaux N (double)		20V	3.3a		45MOHM @ 3,9A, 4,5 V	1,8 V à 250µA	6nc @ 4,5 V		-	Porte de Niveau Logique
Irf9z34strrpbf	2.8100	RFQ	408	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Irf9z34	MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	800		Canal p	60 V	18A (TC)	10V	140mohm @ 11a, 10v	4V @ 250µA	34 NC @ 10 V	± 20V	1100 pf @ 25 V	-	3.7W (TA), 88W (TC)
SQJ416EP-T1_GE3	0,9800	RFQ	1	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8	SQJ416	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SO-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	100 V	27a (TC)	10V	30MOHM @ 10A, 10V	3,5 V @ 250µA	20 nc @ 10 V	± 20V	800 pf @ 25 V	-	45W (TC)
Irf730spbf	1.1708	RFQ	4448	Vishay Siliconix	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	IRF730	MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		* IRF730SPBF	EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n	400 V	5.5A (TC)	10V	1OHM @ 3,3A, 10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	± 20V	700 pf @ 25 V	-	3.1W (TA), 74W (TC)
SI4436DY-T1-E3	0,9400	RFQ	29	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	Si4436	MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n	60 V	8A (TC)	4,5 V, 10V	36MOHM @ 4.6A, 10V	2,5 V @ 250µA	32 NC @ 10 V	± 20V	1100 pf @ 30 V	-	2.5W (TA), 5W (TC)
Irlz34strl	-	RFQ	6422	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Irlz34	MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	800		Canal n	60 V	30a (TC)	4V, 5V	50MOHM @ 18A, 5V	2V à 250µA	35 NC @ 5 V	± 10V	1600 pf @ 25 V	-	3.7W (TA), 88W (TC)
SI6928DQ-T1-E3	-	RFQ	6592	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur)	Si6928	MOSFET (Oxyde Métallique)	1W	8-TSSOP	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000	2 Canaux N (double)		30V	4A		35MOHM @ 4A, 10V	1V @ 250µA	14nc @ 5v		-	Porte de Niveau Logique
SI7922DN-T1-E3	1.7700	RFQ	2	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® 1212-8 Dual	SI7922	MOSFET (Oxyde Métallique)	1.3W	PowerPak® 1212-8 Dual	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000	2 Canaux N (double)		100V	1.8a		195MOHM @ 2,5A, 10V	3,5 V @ 250µA	8nc @ 10v		-	Porte de Niveau Logique
SI2301BDS-T1-E3	0 4600	RFQ	64	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	SI2301	MOSFET (Oxyde Métallique)		SOT-23-3 (à 236)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000		Canal p	20 V	2.2a (TA)	2,5 V, 4,5 V	100MOHM @ 2,8A, 4,5 V	950 mV à 250µA	10 NC @ 4,5 V	± 8v	375 pf @ 6 V	-	700MW (TA)
SiHG24N80AEF-GE3	4.8700	RFQ	500	Vishay Siliconix	Ef	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247AC	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)		742-SIHG24N80AEF-GE3	EAR99	8541.29.0095	500		Canal n	800 V	20A (TC)	10V	195MOHM @ 10A, 10V	4V @ 250µA	90 NC @ 10 V	± 30V	1889 PF @ 100 V	-	208W (TC)
SI5410DU-T1-GE3	-	RFQ	1748	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® Chipfet ™ Single	SI5410	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® Chipfet ™ Single	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	40 V	12A (TC)	4,5 V, 10V	18MOHM @ 6.6A, 10V	3V à 250µA	32 NC @ 10 V	± 20V	1350 pf @ 20 V	-	3.1W (TA), 31W (TC)
Irfz48l	-	RFQ	4864	Vishay Siliconix	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa	Irfz48	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 262-3	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)		* Irfz48l	EAR99	8541.29.0095	50		Canal n	60 V	50A (TC)	10V	18MOHM @ 43A, 10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	± 20V	2400 pf @ 25 V	-	3.7W (TA), 190W (TC)
IRF9530SPBF	2.4500	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	IRF9530	MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	50		Canal p	100 V	12A (TC)	10V	300 MOHM @ 7.2A, 10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	± 20V	860 pf @ 25 V	-	3.7W (TA), 88W (TC)
SIS472BDN-T1-GE3	0,6400	RFQ	6	Vishay Siliconix	TRENCHFET® GEN IV	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® 1212-8	SIS472	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® 1212-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	30 V	15.3A (TA), 38,3A (TC)	4,5 V, 10V	7,5 mohm @ 10a, 10v	2,4 V @ 250µA	21,5 NC @ 10 V	+ 20V, -16V	1000 pf @ 15 V	-	3.2W (TA), 19.8W (TC)
Sihfu9220-GE3	0,9400	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa	Sihfu9220	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 251aa	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p	200 V	3.6A (TC)	10V	1,5 ohm @ 2,2a, 10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	± 20V	3400 pf @ 25 V	-	2.5W (TA), 42W (TC)
Siss30DN-T1-GE3	1.1400	RFQ	6	Vishay Siliconix	TRENCHFET® GEN IV	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® 1212-8S	Siss30	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® 1212-8S	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	80 V	15.9A (TA), 54,7a (TC)	7,5 V, 10V	8 25MOHM @ 10A, 10V	3,8 V @ 250µA	40 NC @ 10 V	± 20V	1666 PF @ 10 V	-	4.8W (TA), 57W (TC)
Sihlz34s-ge3	0,6631	RFQ	2012	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Sihlz34	MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		742-SIHLZ34S-GE3TR	EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n	60 V	30a (TC)	4V, 5V	50MOHM @ 18A, 5V	2V à 250µA	35 NC @ 5 V	± 10V	1600 pf @ 25 V	-	3.7W (TA), 88W (TC)
SIS108DN-T1-GE3	0,9100	RFQ	6	Vishay Siliconix	TRENCHFET® GEN IV	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® 1212-8	Sis108	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® 1212-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	80 V	6.7A (TA), 16A (TC)	7,5 V, 10V	34MOHM @ 4A, 10V	4V @ 250µA	13 NC @ 10 V	± 20V	545 PF @ 40 V	-	3.2W (TA), 24W (TC)
Siss61dn-t1-ge3	0.9900	RFQ	1425	Vishay Siliconix	TRENCHFET® GEN III	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® 1212-8S	Siss61	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® 1212-8S	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p	20 V	30,9A (TA), 111,9A (TC)	1,8 V, 4,5 V	3,5 mohm @ 15a, 4,5 V	900 mV à 250 µA	231 NC @ 10 V	± 8v	8740 PF @ 10 V	-	5W (TA), 65,8W (TC)
SI4154DY-T1-GE3	1.4900	RFQ	9625	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	SI4154	MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n	40 V	36a (TC)	4,5 V, 10V	3,3MOHM @ 15A, 10V	2,5 V @ 250µA	105 NC @ 10 V	± 20V	4230 pf @ 20 V	-	3,5W (TA), 7,8W (TC)
SiHP5N80AE-GE3	1.5100	RFQ	1	Vishay Siliconix	E	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220ab	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)		742-SIHP5N80AE-GE3	EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n	800 V	4.4a (TC)	10V	1,35 ohm @ 1,5a, 10v	4V @ 250µA	16,5 NC @ 10 V	± 30V	321 PF @ 100 V	-	62,5W (TC)
SQJ469EP-T1_GE3	2.9100	RFQ	2464	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8	SQJ469	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SO-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p	80 V	32A (TC)	6v, 10v	25MOHM @ 10.2A, 10V	2,5 V @ 250µA	155 NC @ 10 V	± 20V	5100 pf @ 40 V	-	100W (TC)
SQJ460AEP-T2_GE3	0,5433	RFQ	3105	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8	SQJ460	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SO-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		742-SQJ460AEP-T2_GE3TR	EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	60 V	58A (TC)	4,5 V, 10V	8,7MOHM @ 10.7A, 10V	2,5 V @ 250µA	106 NC @ 10 V	± 20V	2654 PF @ 30 V	-	68W (TC)
Sia913adj-t1-ge3	0,6200	RFQ	9	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SC-70-6 Double	Sia913	MOSFET (Oxyde Métallique)	6,5 W	PowerPak® SC-70-6 Double	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000	2 Canal P (double)		12V	4.5a		61mohm @ 3,6a, 4,5 V	1V @ 250µA	20nc @ 8v		590pf @ 6v	Porte de Niveau Logique
SQR40N10-25_GE3	2.3900	RFQ	4340	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 252-4, DPAK (3 leads + onglet)	SQR40	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252 (DPAK)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	2 000		Canal n	100 V	40A (TC)	4,5 V, 10V	25MOHM @ 40A, 10V	2,5 V @ 250µA	70 NC @ 10 V	± 20V	3380 pf @ 25 V	-	136W (TC)
SI1480DH-T1-GE3	0,5100	RFQ	2193	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SI1480	MOSFET (Oxyde Métallique)		SC-70-6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	100 V	2.6a (TC)	4,5 V, 10V	200 mohm @ 1,9a, 10v	3V à 250µA	5 NC @ 10 V	± 20V	130 pf @ 50 V	-	1.5W (TA), 2,8W (TC)
Irfi9640g	-	RFQ	8733	Vishay Siliconix	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé	Irfi9640	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	* Irfi9640g	EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal p	200 V	6.1a (TC)	10V	500 mohm @ 3,7a, 10v	4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	± 20V	1200 pf @ 25 V	-	40W (TC)