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Produits semi-conduurs discrètes (5717)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)
Irfbf20strl	-	RFQ	1014	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Irfbf20	MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	800		Canal n	900 V	1.7A (TC)	10V	8OHM @ 1A, 10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	± 20V	490 pf @ 25 V	-	3.1W (TA), 54W (TC)
SQS460EN-T1_GE3	1.2900	RFQ	8676	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® 1212-8	SQS460	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® 1212-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	60 V	8A (TC)	4,5 V, 10V	36MOHM @ 5.3A, 10V	2,5 V @ 250µA	20 nc @ 10 V	± 20V	755 PF @ 25 V	-	39W (TC)
Irfz34strlpbf	1.4682	RFQ	4607	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Irfz34	MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	800		Canal n	60 V	30a (TC)	10V	50MOHM @ 18A, 10V	4V @ 250µA	46 NC @ 10 V	± 20V	1200 pf @ 25 V	-	3.7W (TA), 88W (TC)
SI4848ADY-T1-GE3	0,6800	RFQ	9550	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	Si4848	MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n	150 V	5.5A (TC)	6v, 10v	84MOHM @ 3,9A, 10V	4V @ 250µA	9,5 NC @ 10 V	± 20V	335 PF @ 75 V	-	5W (TC)
IRF520SPBF	1.3600	RFQ	750	Vishay Siliconix	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	IRF520	MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n	100 V	9.2a (TC)	10V	270MOHM @ 5.5A, 10V	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	± 20V	360 pf @ 25 V	-	3.7W (TA), 60W (TC)
SI5855CDC-T1-E3	-	RFQ	1068	Vishay Siliconix	Little Foot®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8 mm, plomb plat	SI5855	MOSFET (Oxyde Métallique)		1206-8 Chipfet ™	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p	20 V	3.7A (TC)	1,8 V, 4,5 V	144MOHM @ 2,5A, 4,5 V	1V @ 250µA	6,8 NC @ 5 V	± 8v	276 PF @ 10 V	Diode Schottky (isolé)	1.3W (TA), 2,8W (TC)
SUD25N04-25-T4-E3	-	RFQ	6074	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Sud25	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252aa	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n	40 V	25a (TC)	4,5 V, 10V	25MOHM @ 25A, 10V	3V à 250µA	20 nc @ 10 V	± 20V	510 PF @ 25 V	-	3W (TA), 33W (TC)
SI7411DN-T1-GE3	-	RFQ	7676	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® 1212-8	Si7411	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® 1212-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p	20 V	7.5a (TA)	1,8 V, 4,5 V	19MOHM @ 11.4A, 4,5 V	1v @ 300µA	41 NC @ 4,5 V	± 8v		-	1.5W (TA)
SI7344DP-T1-E3	-	RFQ	9320	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8	SI7344	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SO-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	20 V	11a (ta)	4,5 V, 10V	8MOHM @ 17A, 10V	2,1 V @ 250µA	15 NC @ 4,5 V	± 20V		-	1.8W (TA)
SI1965DH-T1-E3	0,5100	RFQ	4167	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SI1965	MOSFET (Oxyde Métallique)	1.25W	SC-70-6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000	2 Canal P (double)		12V	1.3a		390mohm @ 1A, 4,5 V	1V @ 250µA	4.2nc @ 8v		120pf @ 6v	Porte de Niveau Logique
Sup85n10-10-ge3	6.6200	RFQ	6	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Sup85	MOSFET (Oxyde Métallique)			télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	50		Canal n	100 V	85a (TC)	4,5 V, 10V	10,5 mohm @ 30a, 10v	3V à 250µA	160 NC @ 10 V	± 20V	6550 pf @ 25 V	-	3,75W (TA), 250W (TC)
SI7407DN-T1-GE3	-	RFQ	8751	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® 1212-8	Si7407	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® 1212-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p	12 V	9.9A (TA)	1,8 V, 4,5 V	12MOHM @ 15.6A, 4,5 V	1V @ 400µA	59 NC @ 4,5 V	± 8v		-	1.5W (TA)
IRF9630SPBF	2.9100	RFQ	4	Vishay Siliconix	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	IRF9630	MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	50		Canal p	200 V	6.5a (TC)	10V	800mohm @ 3,9a, 10v	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	± 20V	700 pf @ 25 V	-	3W (TA), 74W (TC)
Sir826ldp-t1-re3	1.6400	RFQ	1	Vishay Siliconix	TRENCHFET® GEN IV	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8	Sir826	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SO-8	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)		742-SIR826LDP-T1-RE3TR	EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	80 V	21.3A (TA), 86A (TC)	10V	5MOHM @ 15A, 10V	2,4 V @ 250µA	91 NC @ 10 V	± 20V	3840 PF @ 40 V	-	5W (TA), 83W (TC)
IRFR224TR	-	RFQ	6167	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	IRFR224	MOSFET (Oxyde Métallique)		D-pak	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 000		Canal n	250 V	3.8A (TC)	10V	1,1 ohm @ 2,3a, 10v	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	± 20V	260 pf @ 25 V	-	2.5W (TA), 42W (TC)
2N5114JTXV02	-	RFQ	9281	Vishay Siliconix	-	Tube	Obsolète	-	Par le trou	To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN	2N5114			To-206aa (à 18)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	20		-								-
SI7464DP-T1-GE3	1.8900	RFQ	8218	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8	SI7464	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SO-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	200 V	1.8A (TA)	6v, 10v	240 mohm @ 2,8a, 10v	4V @ 250µA	18 NC @ 10 V	± 20V		-	1.8W (TA)
Irfr9014trpbf-be3	1.1100	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	IRFR9014	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252aa	-		1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	2 000		Canal p	60 V	5.1a (TC)	10V	500mohm @ 3.1a, 10v	4V @ 250µA	12 NC @ 10 V	± 20V	270 pf @ 25 V	-	2.5W (TA), 25W (TC)
SQ4401EY-T1_GE3	2.9300	RFQ	10	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	SQ4401	MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal p	40 V	17.3A (TC)	4,5 V, 10V	14MOHM @ 10.5A, 10V	2,5 V @ 250µA	115 NC @ 10 V	± 20V	4250 PF @ 20 V	-	7.14W (TC)
Sir642dp-T1-Ge3	-	RFQ	4415	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8	Sir642	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SO-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	40 V	60a (TC)	4,5 V, 10V	2,4 mohm @ 15a, 10v	2,3 V @ 250µA	84 NC @ 10 V	± 20V	4155 PF @ 20 V	-	4.8W (TA), 41,7W (TC)
SI3407DV-T1-E3	-	RFQ	7620	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	SI3407	MOSFET (Oxyde Métallique)		6 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p	20 V	8A (TC)	2,5 V, 4,5 V	24MOHM @ 7,5A, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	63 NC @ 10 V	± 12V	1670 PF @ 10 V	-	2W (TA), 4.2W (TC)
SI4423DY-T1-GE3	1.2191	RFQ	5647	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	Si4423	MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal p	20 V	10A (TA)	1,8 V, 4,5 V	7,5 mohm @ 14a, 4,5 V	900 mV à 600 µA	175 NC @ 5 V	± 8v		-	1.5W (TA)
IRF610	-	RFQ	7301	Vishay Siliconix	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	IRF610	MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	* IRF610S	EAR99	8541.29.0095	50		Canal n	200 V	3.3A (TC)	10V	1,5 ohm @ 2a, 10v	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	± 20V	140 pf @ 25 V	-	3W (TA), 36W (TC)
SI4654DY-T1-E3	-	RFQ	1503	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	SI4654	MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n	25 V	28.6a (TC)	4,5 V, 10V	4MOHM @ 15A, 10V	2,5 V @ 250µA	100 nc @ 10 V	± 16V	3770 PF @ 15 V	-	2.5W (TA), 5,9W (TC)
Irfz10pbf	1.5600	RFQ	9281	Vishay Siliconix	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Irfz10	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220ab	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		* Irfz10pbf	EAR99	8541.29.0095	50		Canal n	60 V	10A (TC)	10V	200 mohm @ 6a, 10v	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	± 20V	300 pf @ 25 V	-	43W (TC)
SI3932DV-T1-GE3	0,5900	RFQ	5485	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	SI3932	MOSFET (Oxyde Métallique)	1,4 W	6 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000	2 Canaux N (double)		30V	3.7a		58MOHM @ 3,4A, 10V	2,2 V @ 250µA	6nc @ 10v		235pf @ 15v	Porte de Niveau Logique
2N5114Jan02	-	RFQ	1721	Vishay Siliconix	-	Tube	Obsolète	-	Par le trou	To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN	2N5114			To-206aa (à 18)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	40		-								-
Sihh11n65e-t1-ge3	2.1897	RFQ	9816	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN	Sihh11	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® 8 x 8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	650 V	12A (TC)	10V	363MOHM @ 6A, 10V	4V @ 250µA	68 NC @ 10 V	± 30V	1257 pf @ 100 V	-	130W (TC)
SI4403CDY-T1-GE3	0,7900	RFQ	4	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	Si4403	MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal p	20 V	13.4A (TC)	1,8 V, 4,5 V	15,5 mohm @ 9a, 4,5 V	1V @ 250µA	90 NC @ 8 V	± 8v	2380 pf @ 10 V	-	5W (TC)
SQJQ142E-T1_GE3	2.5200	RFQ	1641	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® 8 x 8	SQJQ142	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® 8 x 8	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)		742-SQJQ142E-T1_GE3TR	EAR99	8541.29.0095	2 000		Canal n	40 V	460a (TC)	10V	1.24MOHM @ 20A, 10V	3,5 V @ 250µA	130 NC @ 10 V	± 20V	6975 PF @ 25 V	-	500W (TC)