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Produits semi-conduurs discrètes (5717)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Sud50n03-12p-e3 | - |  | 6246 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Sud50 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252aa | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 30 V | 17.5A (TA) | 4,5 V, 10V | 12MOHM @ 20A, 10V | 3V à 250µA | 42 NC @ 10 V | ± 20V | 1600 pf @ 25 V | - | 6.5W (TA), 46.8W (TC) | ||
 | SI2316BDS-T1-BE3 | 0,5900 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23-3 (à 236) | télécharger | 1 (illimité) | 742-SI2316BDS-T1-BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 3.9A (TA), 4.5A (TC) | 4,5 V, 10V | 50 mohm @ 3,9a, 10v | 3V à 250µA | 9.6 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 15 V | - | 1,25W (TA), 1 66W (TC) | ||||
 | IRFR9020 | - | | 6135 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | IRFR9020 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRFR9020 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal p | 50 V | 9.9a (TC) | 10V | 280mohm @ 5.7a, 10v | 4V @ 250µA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 490 pf @ 25 V | - | 42W (TC) | |
| SQD15N06-42L_GE3 | 1.0300 | | 830 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | SQD15 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252aa | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 60 V | 15A (TC) | 4,5 V, 10V | 42MOHM @ 10A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 15 NC @ 10 V | ± 20V | 535 PF @ 25 V | - | 37W (TC) | |||
 | Irfbc20strl | - | | 6920 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Irfbc20 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 600 V | 2.2a (TC) | 10V | 4.4OHM @ 1.3A, 10V | 4V @ 250µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 50W (TC) | ||
 | SIHF12N50C-E3 | 5.2600 | | 994 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | Sihf12 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Emballage complet à 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 500 V | 12A (TC) | 10V | 555MOHM @ 4A, 10V | 5V @ 250µA | 48 NC @ 10 V | ± 30V | 1375 PF @ 25 V | - | 36W (TC) | |||
 | SiDR104AEP-T1-RE3 | 3.0500 | | 8 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8DC | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 100 V | 21.1a (TA), 90,5a (TC) | 7,5 V, 10V | 6,1MOHM @ 15A, 10V | 4V @ 250µA | 70 NC @ 10 V | ± 20V | 3250 pf @ 50 V | - | 6.5W (TA), 120W (TC) | |||||
 | SiDR402DP-T1-GE3 | 1.1241 | | 5058 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sidr402 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8DC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 40 V | 64.6a (TA), 100A (TC) | 4,5 V, 10V | 0,88MOHM @ 20A, 10V | 2,3 V @ 250µA | 165 NC @ 10 V | + 20V, -16V | 9100 pf @ 20 V | - | 6.25W (TA), 125W (TC) | |||
| IRF820SPBF | 1.8600 | | 590 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRF820 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * IRF820SPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 500 V | 2.5a (TC) | 10V | 3OHM @ 1,5A, 10V | 4V @ 250µA | 24 NC @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 50W (TC) | ||
 | Irli520gpbf | 0,9881 | | 8720 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | IRli520 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * Irli520gpbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 100 V | 7.2a (TC) | 4V, 5V | 270MOHM @ 4.3A, 5V | 2V à 250µA | 12 NC @ 5 V | ± 10V | 490 pf @ 25 V | - | 37W (TC) | ||
 | Irfps37n50apbf | - | | 8060 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 274aa | Irfps37 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Super-247 ™ (à 274aa) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * IRFPS37N50APBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | Canal n | 500 V | 36a (TC) | 10V | 130 mohm @ 22a, 10v | 4V @ 250µA | 180 NC @ 10 V | ± 30V | 5579 PF @ 25 V | - | 446W (TC) | ||
 | Siha21n65ef-ge3 | 4.7200 | | 3706 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | Emballage complet à 220 | télécharger | 1 (illimité) | 742-SIHA21N65EF-GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 650 V | 21A (TC) | 10V | 180MOHM @ 11A, 10V | 4V @ 250µA | 106 NC @ 10 V | ± 30V | 2322 pf @ 100 V | - | 35W (TC) | ||||
 | SI4178DY-T1-E3 | - | | 6560 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4178 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 12A (TC) | 4,5 V, 10V | 21MOHM @ 8.4A, 10V | 2,8 V @ 250µA | 12 NC @ 10 V | ± 25V | 405 PF @ 15 V | - | 2.4W (TA), 5W (TC) | |||
| Irf9620strr | - | | 3324 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRF9620 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal p | 200 V | 3.5a (TC) | 10V | 1,5 ohm @ 1,5a, 10v | 4V @ 250µA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 40W (TC) | |||
| IRF9530 | - | | 5907 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRF9530 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRF9530 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal p | 100 V | 12A (TC) | 10V | 300 MOHM @ 7.2A, 10V | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 860 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 88W (TC) | |
| Irfibc40g | - | | 4175 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | Irfibc40 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | * Irfibc40g | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 600 V | 3.5a (TC) | 10V | 1,2 ohm @ 2,1a, 10v | 4V @ 250µA | 60 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | ||
 | SIR416DP-T1-GE3 | 1.3500 | | 5177 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sir416 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 40 V | 50A (TC) | 4,5 V, 10V | 3,8MOHM @ 15A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 90 NC @ 10 V | ± 20V | 3350 pf @ 20 V | - | 5.2W (TA), 69W (TC) | |||
| Irfz44strr | - | | 7485 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Irfz44 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 60 V | 50A (TC) | 10V | 28MOHM @ 31A, 10V | 4V @ 250µA | 67 NC @ 10 V | ± 20V | 1900 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 150W (TC) | ||
 | IRF9Z30 | - | | 2157 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | IRF9 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRF9Z30 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal p | 50 V | 18A (TC) | 10V | 140MOHM @ 9,3A, 10V | 4V @ 250µA | 39 NC @ 10 V | ± 20V | 900 pf @ 25 V | - | 74W (TC) | |
| Irfb18n50kpbf | 5.0500 | | 1854 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | IRFB18 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * IRFB18N50KPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 500 V | 17A (TC) | 10V | 290MOHM @ 10A, 10V | 5V @ 250µA | 120 NC @ 10 V | ± 30V | 2830 pf @ 25 V | - | 220W (TC) | ||
| Irlz14strr | - | | 2581 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Irlz14 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 60 V | 10A (TC) | 4V, 5V | 200 mohm @ 6a, 5v | 2V à 250µA | 8,4 NC @ 5 V | ± 10V | 400 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 43W (TC) | ||
 | IRFU020 | - | | 1579 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | Irfu | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 251aa | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRFU020 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal n | 60 V | 14A (TC) | 10V | 100MOHM @ 8,4A, 10V | 4V @ 250µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 640 PF @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |
 | Irfp264pbf | 5.6500 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | IRFP264 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * Irfp264pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | Canal n | 250 V | 38A (TC) | 10V | 75MOHM @ 23A, 10V | 4V @ 250µA | 210 NC @ 10 V | ± 20V | 5400 pf @ 25 V | - | 280W (TC) | ||
 | Irfl9110trpbf | 0,8800 | | 7029 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 261-4, à 261aa | Irfl9110 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-223 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 100 V | 1.1A (TC) | 10V | 1,2 ohm @ 660mA, 10V | 4V @ 250µA | 8,7 NC @ 10 V | ± 20V | 200 pf @ 25 V | - | 2W (TA), 3.1W (TC) | |||
 | SIE802DF-T1-E3 | 1.8574 | | 5701 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 10-Polarpak® (L) | Sie802 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 10-Polarpak® (L) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 60a (TC) | 4,5 V, 10V | 1,9MOHM @ 23,6A, 10V | 2,7 V @ 250µA | 160 NC @ 10 V | ± 20V | 7000 pf @ 15 V | - | 5.2W (TA), 125W (TC) | |||
 | SI1012R-T1-GE3 | 0 4500 | | 214 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-75, SOT-416 | SI1012 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SC-75A | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 20 V | 500mA (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 700MOHM @ 600mA, 4,5 V | 900 mV à 250 µA | 0,75 NC à 4,5 V | ± 6V | - | 150mw (TA) | |||
| Irfbg20 | - | | 3796 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Irfbg20 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * Irfbg20 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 1000 V | 1.4A (TC) | 10V | 11OHM @ 840mA, 10V | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 500 pf @ 25 V | - | 54W (TC) | |
 | Ircz44pbf | - | | 4166 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Hexfet® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-5 | IRCZ44 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-5 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRCZ44PBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 60 V | 50A (TC) | 10V | 28MOHM @ 31A, 10V | 4V @ 250µA | 95 NC @ 10 V | ± 20V | 2500 pf @ 25 V | Détection de Courant | 150W (TC) | |
 | Irfz34l | - | | 7988 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | Irfz34 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 262-3 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * Irfz34l | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 60 V | 30a (TC) | 10V | 50MOHM @ 18A, 10V | 4V @ 250µA | 46 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 88W (TC) | |
 | SIHF085N60EF-GE3 | 6.2400 | | 4067 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Ef | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | Emballage complet à 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 1 000 | Canal n | 600 V | 13A (TC) | 10V | 84MOHM @ 17A, 10V | 5V @ 250µA | 63 NC @ 10 V | ± 30V | 2733 PF @ 100 V | - | 35W (TC) |
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