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Produits semi-conduurs discrètes (5717)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Tension - Dépression (V (br) GSS) Courant - Drain (iDSS) @ VDS (VGS = 0) Tension - coupure (VGS off) @ id
SI4178DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4178DY-T1-GE3 0,6400
RFQ
 ECAD 1733 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) SI4178 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOIC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 30 V 12A (TC) 4,5 V, 10V 21MOHM @ 8.4A, 10V 2,8 V @ 250µA 12 NC @ 10 V ± 25V 405 PF @ 15 V - 2.4W (TA), 5W (TC)
SIHG22N60AE-GE3 Vishay Siliconix Sihg22n60ae-ge3 4.0100
RFQ
 ECAD 5859 0,00000000 Vishay Siliconix E Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Sihg22 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247AC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 500 Canal n 600 V 20A (TC) 10V 180MOHM @ 11A, 10V 4V @ 250µA 96 NC @ 10 V ± 30V 1451 PF @ 100 V - 179W (TC)
SIA436DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix Sia436dj-t1-ge3 0,6300
RFQ
 ECAD 1430 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® SC-70-6 Sia436 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® SC-70-6 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 8 V 12A (TC) 1,2 V, 4,5 V 9.4MOHM @ 15.7A, 4,5 V 800 mV à 250µA 25.2 NC @ 5 V ± 5V 1508 pf @ 4 V - 3,5W (TA), 19W (TC)
SIHK105N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix SIHK105N60E-T1-GE3 5.6900
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 Vishay Siliconix Ef Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerBsfn MOSFET (Oxyde Métallique) Powerpak®10 x 12 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 742-SIHK105N60E-T1-GE3CT EAR99 8541.29.0095 2 000 Canal n 600 V 24a (TC) 10V 105MOHM @ 10A, 10V 5V @ 250µA 51 NC @ 10 V ± 30V 2301 PF @ 100 V - 142W (TC)
SQ3427AEEV-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ3427AEEV-T1_BE3 0,7800
RFQ
 ECAD 812 0,00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SQ3427 MOSFET (Oxyde Métallique) 6 TSOP télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal p 60 V 5.3A (TC) 4,5 V, 10V 95MOHM @ 4.5A, 10V 2,5 V @ 250µA 22 NC @ 10 V ± 20V 1000 pf @ 30 V - 5W (TC)
SIR186LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix Sir186ldp-t1-re3 1 0000
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® GEN IV Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® SO-8 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® SO-8 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 742-SIR186LDP-T1-RE3TR EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 60 V 23.8A (TA), 80,3A (TC) 4,5 V, 10V 4.4MOHM @ 15A, 10V 2,5 V @ 250µA 48 NC @ 10 V ± 20V 1980 PF @ 30 V - 5W (TA), 57W (TC)
2N5114JTX02 Vishay Siliconix 2N5114JTX02 -
RFQ
 ECAD 3462 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Obsolète - Par le trou To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN 2N5114 To-206aa (à 18) télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 20 - -
SQS423EN-T1_BE3 Vishay Siliconix Sqs423en-t1_be3 0,9400
RFQ
 ECAD 9771 0,00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® 1212-8 SQS423 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® 1212-8 - EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal p 30 V 16A (TC) 4,5 V, 10V 21MOHM @ 12A, 10V 2,5 V @ 250µA 26 NC @ 4,5 V ± 20V 1975 PF @ 15 V - 62,5W (TC)
SISH410DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISH410DN-T1-GE3 1.0800
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® 1212-8SH Sish410 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® 1212-8SH télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 20 V 22A (TA), 35A (TC) 4,5 V, 10V 4,8MOHM @ 20A, 10V 2,5 V @ 250µA 41 NC @ 10 V ± 20V 1600 pf @ 10 V - 3.8W (TA), 52W (TC)
IRFR9024TRPBF Vishay Siliconix Irfr9024trpbf 1.2900
RFQ
 ECAD 16 0,00000000 Vishay Siliconix - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 IRFR9024 MOSFET (Oxyde Métallique) D-pak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 000 Canal p 60 V 8.8A (TC) 10V 280mohm @ 5.3a, 10v 4V @ 250µA 19 NC @ 10 V ± 20V 570 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 42W (TC)
SIZ340ADT-T1-GE3 Vishay Siliconix Siz340adt-t1-ge3 1.1100
RFQ
 ECAD 16 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-POWERWDFN Siz340 MOSFET (Oxyde Métallique) 3.7W (TA), 16.7W (TC), 4.2W (TA), 31W (TC) 8-Power33 (3x3) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 742-SIZ340ADT-T1-GE3TR EAR99 8541.29.0095 3 000 2 Canaux N (double) 30V 15.7A (TA), 33,4A (TC), 25,4a (TA), 69,7a (TC) 9.4MOHM @ 10A, 10V, 4 29MOHM @ 20A, 10V 2,4 V @ 250µA 12.2NC @ 10V, 27.9NC @ 10V 580pf @ 15v, 1290pf @ 15v -
2N4118A Vishay Siliconix 2N4118A -
RFQ
 ECAD 6229 0,00000000 Vishay Siliconix - En gros Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou To-206af, to-72-4 Metal Can 2N4118 300 MW To-206af (to-72) télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 200 Canal n 3pf @ 10v 40 V 80 µA @ 10 V 1 V @ 1 na
SI3424BDV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3424BDV-T1-GE3 0,6200
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SI3424 MOSFET (Oxyde Métallique) 6 TSOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 30 V 8A (TC) 4,5 V, 10V 28MOHM @ 7A, 10V 3V à 250µA 19,6 NC @ 10 V ± 20V 735 PF @ 15 V - 2.1W (TA), 2 98W (TC)
SIDR680DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SiDR680DP-T1-GE3 2.8900
RFQ
 ECAD 18 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® GEN IV Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® SO-8 Sidr680 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® SO-8DC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 80 V 32.8a (TA), 100A (TC) 7,5 V, 10V 2,9MOHM @ 20A, 10V 3,4 V @ 250µA 105 NC @ 10 V ± 20V 5150 pf @ 40 V - 6.25W (TA), 125W (TC)
IRFP22N60C3PBF Vishay Siliconix Irfp22n60c3pbf -
RFQ
 ECAD 9026 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Obsolète - Par le trou À 247-3 Irfp22 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247AC - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté * IRFP22N60C3PBF EAR99 8541.29.0095 25 Canal n 650 V 22a (ta) - - - -
SI4823DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4823DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 4254 0,00000000 Vishay Siliconix Little Foot® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) Si4823 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOIC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal p 20 V 4.1a (TC) 2,5 V, 4,5 V 108MOHM @ 3,3A, 4,5 V 1,5 V @ 250µA 12 NC @ 10 V ± 12V 660 pf @ 10 V Diode Schottky (isolé) 1.7W (TA), 2,8W (TC)
SIR846ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIR846ADP-T1-GE3 2.2600
RFQ
 ECAD 6980 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® SO-8 Sir846 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® SO-8 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 100 V 60a (TC) 6v, 10v 7,8MOHM @ 20A, 10V 3V à 250µA 66 NC @ 10 V ± 20V 2350 pf @ 50 V - 5.4W (TA), 83W (TC)
IRFBG30 Vishay Siliconix Irfbg30 -
RFQ
 ECAD 3844 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Irfbg30 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220ab télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté * Irfbg30 EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 1000 V 3.1A (TC) 10V 5OHM @ 1.9A, 10V 4V @ 250µA 80 NC @ 10 V ± 20V 980 PF @ 25 V - 125W (TC)
2N4117A Vishay Siliconix 2N4117A -
RFQ
 ECAD 8102 0,00000000 Vishay Siliconix - En gros Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou To-206af, to-72-4 Metal Can 2N4117 300 MW To-206af (to-72) télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 200 Canal n 3pf @ 10v 40 V 30 µA @ 10 V 600 mV @ 1 na
SI4947ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4947ADY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 6959 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) SI4947 MOSFET (Oxyde Métallique) 1.2W 8-SOIC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 2 Canal P (double) 30V 3A 80MOHM @ 3,9A, 10V 1V @ 250µA (min) 8nc @ 5v - Porte de Niveau Logique
SI5935CDC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5935CDC-T1-E3 0,5500
RFQ
 ECAD 4958 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8 mm, plomb plat SI5935 MOSFET (Oxyde Métallique) 3.1W 1206-8 Chipfet ™ télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 2 Canal P (double) 20V 4A 100MOHM @ 3.1A, 4,5 V 1V @ 250µA 11nc @ 5v 455pf @ 10v -
SI2307CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2307CDS-T1-BE3 0,5100
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2307 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-23-3 (à 236) télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal p 30 V 2.7A (TA), 3,5A (TC) 4,5 V, 10V 88MOHM @ 3,5A, 10V 3V à 250µA 6,2 NC @ 4,5 V ± 20V 340 pf @ 15 V - 1.1W (TA), 1.8W (TC)
SQP90142E_GE3 Vishay Siliconix SQP90142E_GE3 -
RFQ
 ECAD 4880 0,00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 SQP90142 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220ab télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 200 V 78,5a (TC) 10V 15.3MOHM @ 20A, 10V 3,5 V @ 250µA 85 NC @ 10 V ± 20V 4200 PF @ 25 V - 250W (TC)
SIHB16N50C-E3 Vishay Siliconix SIHB16N50C-E3 6.4600
RFQ
 ECAD 947 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab SIHB16 MOSFET (Oxyde Métallique) D²pak (à 263) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 500 V 16A (TC) 10V 380MOHM @ 8A, 10V 5V @ 250µA 68 NC @ 10 V ± 30V 1900 pf @ 25 V - 250W (TC)
SUP70060E-GE3 Vishay Siliconix Sup70060e-ge3 2.0800
RFQ
 ECAD 4366 0,00000000 Vishay Siliconix Thunderfet® En gros Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Sup70060 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220ab télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 100 V 131a (TC) 7,5 V, 10V 5,8MOHM @ 30A, 10V 4V @ 250µA 81 NC @ 10 V ± 20V 3330 pf @ 50 V - 200W (TC)
SQM40020E_GE3 Vishay Siliconix SQM40020E_GE3 2.4400
RFQ
 ECAD 5592 0,00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab SQM40020 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263 (d²pak) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 40 V 100A (TC) 10V 2 33MOHM @ 20A, 10V 3,5 V @ 250µA 130 NC @ 10 V ± 20V 8000 pf @ 25 V - 150W (TC)
IRF840APBF-BE3 Vishay Siliconix IRF840APBF-BE3 1.9400
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 IRF840 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220ab - 1 (illimité) 742-IRF840APBF-BE3 EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 500 V 8A (TC) 10V 850mohm @ 4.8a, 10v 4V @ 250µA 38 NC @ 10 V ± 30V 1018 PF @ 25 V - 125W (TC)
SI4626ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4626ADY-T1-GE3 0,9923
RFQ
 ECAD 4355 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) SI4626 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOIC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 30 V 30a (TC) 4,5 V, 10V 3,3MOHM @ 15A, 10V 2,5 V @ 250µA 125 NC @ 10 V ± 20V 5370 pf @ 15 V - 3W (TA), 6W (TC)
IRFP460P Vishay Siliconix Irfp460p -
RFQ
 ECAD 7115 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 IRFP460 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247AC télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté * Irfp460p EAR99 8541.29.0095 25 Canal n 500 V 20A (TC) 270MOHM @ 12A, 10V 4V @ 250µA 210 NC @ 10 V 4200 PF @ 25 V - -
SQJ844AEP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ844AEP-T1_GE3 1.2100
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® SO-8 Dual SQJ844 MOSFET (Oxyde Métallique) 48W PowerPak® SO-8 Dual télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 2 Canaux N (double) 30V 8a 16,6mohm @ 7,6a, 10v 2,5 V @ 250µA 26nc @ 10v 1161pf @ 15v -
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