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Produits semi-conduurs discrètes (5717)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Tension - Dépression (V (br) GSS) | Courant - Drain (iDSS) @ VDS (VGS = 0) | Tension - coupure (VGS off) @ id |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI3455ADV-T1-E3 | - |  | 8487 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SI3455 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 30 V | 2.7A (TA) | 4,5 V, 10V | 100MOHM @ 3,5A, 10V | 3V à 250µA | 13 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.14W (TA) | ||||||||
 | SQJ146ELP-T1_GE3 | 0,9400 | | 2030 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SQJ146 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | 1 (illimité) | 742-SQJ146ELP-T1_GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 40 V | 74a (TC) | 4,5 V, 10V | 5,8MOHM @ 15A, 10V | 2,2 V @ 250µA | 35 NC @ 10 V | ± 20V | 1780 pf @ 25 V | - | 75W (TC) | ||||||||
 | IRFR210TRPBF-BE3 | 1.1700 | | 7 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | IRFR210 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252aa | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 200 V | 2.6a (TC) | 1,5 ohm @ 1,6a, 10v | 4V @ 250µA | 8.2 NC @ 10 V | ± 20V | 140 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | ||||||||||
 | SQJ444EP-T1_BE3 | 1.3300 | | 9631 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | 1 (illimité) | 742-SQJ444EP-T1_BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 40 V | 60a (TC) | 4,5 V, 10V | 3,2MOHM @ 10A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 80 NC @ 10 V | ± 20V | 5000 pf @ 25 V | - | 68W (TC) | |||||||||
 | Sis443dn-t1-ge3 | 1.5900 | | 134 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8 | SIS443 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 40 V | 35A (TC) | 4,5 V, 10V | 11.7MOHM @ 15A, 10V | 2,3 V @ 250µA | 135 NC @ 10 V | ± 20V | 4370 PF @ 20 V | - | 3.7W (TA), 52W (TC) | ||||||||
| SI3951DV-T1-E3 | - | | 7314 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SI3951 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2W | 6 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canal P (double) | 20V | 2.7A | 115MOHM @ 2,5A, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 5.1nc @ 5v | 250pf @ 10v | Porte de Niveau Logique | |||||||||
 | SIHA15N60E-GE3 | 3.0700 | | 1682 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | Emballage complet à 220 | télécharger | 1 (illimité) | 742-SIHA15N60E-GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 600 V | 15A (TC) | 10V | 280MOHM @ 8A, 10V | 4V @ 250µA | 76 NC @ 10 V | ± 30V | 1350 pf @ 100 V | - | 34W (TC) | |||||||||
 | 2N6660JTXV02 | - | | 1075 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | To-205ad, to-39-3 Métal peut | 2N6660 | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-205ad (to-39) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 20 | Canal n | 60 V | 990mA (TC) | 5v, 10v | 3OHM @ 1A, 10V | 2v @ 1MA | ± 20V | 50 pf @ 25 V | - | 725MW (TA), 6,25W (TC) | ||||||||
| SI7117DN-T1-E3 | 1.3200 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8 | SI7117 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 150 V | 2.17a (TC) | 6v, 10v | 1,2 ohm @ 500mA, 10V | 4,5 V @ 250µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 510 PF @ 25 V | - | 3.2W (TA), 12,5W (TC) | ||||||||
| SI7404DN-T1-E3 | - | | 7311 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8 | SI7404 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 8.5A (TA) | 2,5 V, 10V | 13MOHM @ 13.3A, 10V | 1,5 V @ 250µA | 30 NC @ 4,5 V | ± 12V | - | 1.5W (TA) | ||||||||
 | Irf840lcstrr | - | | 7368 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRF840 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 500 V | 8A (TC) | 10V | 850mohm @ 4.8a, 10v | 4V @ 250µA | 39 NC @ 10 V | ± 30V | 1100 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | |||||||
 | Sup57n20-33-e3 | 4.6700 | | 45 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Sup57 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Sup57n2033e3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 200 V | 57a (TC) | 10V | 33MOHM @ 30A, 10V | 4V @ 250µA | 130 NC @ 10 V | ± 20V | 5100 pf @ 25 V | - | 3,75W (TA), 300W (TC) | |||||||
 | SI7980DP-T1-GE3 | 1.0500 | | 10 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 Dual | SI7980 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 19.8W, 21.9W | PowerPak® SO-8 Dual | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 N-Canal (Demi-pont) | 20V | 8a | 22MOHM @ 5A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 27nc @ 10v | 1010pf @ 10v | - | ||||||||||
 | SQP90P06-07L_GE3 | - | | 6256 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | SQP90 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal p | 60 V | 120A (TC) | 4,5 V, 10V | 6,7MOHM @ 30A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 270 NC @ 10 V | ± 20V | 14280 PF @ 25 V | - | 300W (TC) | |||||||||
 | SI4104DY-T1-E3 | - | | 6361 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Si4104 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 100 V | 4.6a (TC) | 10V | 105MOHM @ 5A, 10V | 4,5 V @ 250µA | 13 NC @ 10 V | ± 20V | 446 PF @ 50 V | - | 2.5W (TA), 5W (TC) | |||||||
 | Sum110p06-08l-e3 | 4.4500 | | 9491 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | SUM110 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263 (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal p | 60 V | 110a (TC) | 4,5 V, 10V | 8MOHM @ 30A, 10V | 3V à 250µA | 240 NC @ 10 V | ± 20V | 9200 pf @ 25 V | - | 3,75W (TA), 272W (TC) | |||||||
| Irf840strrpbf | 2.8500 | | 415 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRF840 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 500 V | 8A (TC) | 10V | 850mohm @ 4.8a, 10v | 4V @ 250µA | 63 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||||||
 | SIHB21N65EF-GE3 | 5.0800 | | 351 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Sihb21 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 650 V | 21A (TC) | 10V | 180MOHM @ 11A, 10V | 4V @ 250µA | 106 NC @ 10 V | ± 30V | 2322 pf @ 100 V | - | 208W (TC) | ||||||||
| SIHA14N60E-GE3 | 2.3700 | | 6111 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | Emballage complet à 220 | télécharger | 1 (illimité) | 742-SIHA14N60E-GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 600 V | 13A (TC) | 10V | 309MOHM @ 7A, 10V | 4V @ 250µA | 64 NC @ 10 V | ± 30V | 1205 PF @ 100 V | - | 147W (TC) | |||||||||
| SI3495DV-T1-GE3 | - | | 7465 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Si3495 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 5.3A (TA) | 1,5 V, 4,5 V | 24MOHM @ 7A, 4,5 V | 750 mV à 250µA | 38 NC @ 4,5 V | ± 5V | - | 1.1W (TA) | ||||||||
| SIS606BDN-T1-GE3 | 1.4900 | | 7649 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8 | Sis606 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 100 V | 9.4A (TA), 35,3A (TC) | 7,5 V, 10V | 17.4MOHM @ 10A, 10V | 4V @ 250µA | 30 NC @ 10 V | ± 20V | 1470 pf @ 50 V | - | 3.7W (TA), 52W (TC) | ||||||||
| SIHB22N60ET1-GE3 | 3 5600 | | 9622 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Sihb22 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 600 V | 21A (TC) | 10V | 180MOHM @ 11A, 10V | 4V @ 250µA | 86 NC @ 10 V | ± 30V | 1920 pf @ 100 V | - | 227W (TC) | |||||||||
 | SiHG25N50E-GE3 | 3.8600 | | 4359 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Sihg25 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | Canal n | 500 V | 26A (TC) | 10V | 145MOHM @ 12A, 10V | 4V @ 250µA | 86 NC @ 10 V | ± 30V | 1980 PF @ 100 V | - | 250W (TC) | ||||||||
 | SIRC06DP-T1-GE3 | 0,3733 | | 8732 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SIRC06 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 32A (TA), 60A (TC) | 4,5 V, 10V | 2,7MOHM @ 15A, 10V | 2,1 V @ 250µA | 58 NC @ 10 V | + 20V, -16V | 2455 pf @ 15 V | Diode Schottky (Corps) | 5W (TA), 50W (TC) | ||||||||
| Irfbc20strr | - | | 2867 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Irfbc20 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 600 V | 2.2a (TC) | 10V | 4.4OHM @ 1.3A, 10V | 4V @ 250µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 50W (TC) | ||||||||
 | 2N4117A-2 | - | | 6504 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | To-206af, to-72-4 Metal Can | 2N4117 | 300 MW | To-206af (to-72) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 20 | Canal n | 3pf @ 10v | 40 V | 30 µA @ 10 V | 600 mV @ 1 na | |||||||||||||
 | SIE836DF-T1-E3 | - | | 8315 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 10-Polarpak® (SH) | Sie836 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 10-Polarpak® (SH) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 200 V | 18.3A (TC) | 10V | 130mohm @ 4.1a, 10v | 4,5 V @ 250µA | 41 NC @ 10 V | ± 30V | 1200 pf @ 100 V | - | 5.2W (TA), 104W (TC) | |||||||
 | SI1072X-T1-E3 | - | | 7584 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-563, SOT-666 | SI1072 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SC-89 (SOT-563F) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 1.3A (TA) | 4,5 V, 10V | 93MOHM @ 1.3A, 10V | 3V à 250µA | 8.3 NC @ 10 V | ± 20V | 280 pf @ 15 V | - | 236MW (TA) | |||||||
 | SIR5623DP-T1-RE3 | 1.7100 | | 4432 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sir5623 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 60 V | 10.5a (TA), 37.1a (TC) | 4,5 V, 10V | 24MOHM @ 10A, 10V | 2,6 V @ 250µA | 33 NC @ 10 V | ± 20V | 1575 pf @ 30 V | - | 4.8W (TA), 59,5W (TC) | ||||||||
| Irf630strl | - | | 2493 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRF630 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 200 V | 9A (TC) | 10V | 400mohm @ 5.4a, 10v | 4V @ 250µA | 43 NC @ 10 V | ± 20V | 800 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 74W (TC) |
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