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Produits semi-conduurs discrètes (5717)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Tension - Dépression (V (br) GSS)	Courant - Drain (iDSS) @ VDS (VGS = 0)	Tension - coupure (VGS off) @ id
Irfbf30pbf-be3	2.8800	RFQ	6536	Vishay Siliconix	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	À Travers Le Trou	À 220-3	Irfbf30	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220ab	télécharger		1 (illimité)		742-irfbf30pbf-be3	EAR99	8541.29.0095	50		Canal n	900 V	3.6A (TC)		3,7 ohm @ 2,2a, 10v	4V @ 250µA	78 NC @ 10 V	± 20V	1200 pf @ 25 V	-	125W (TC)
2N4119A-E3	-	RFQ	9201	Vishay Siliconix	-	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	À Travers Le Trou	To-206af, to-72-4 Metal Can	2N4119		300 MW	To-206af (to-72)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	200		Canal n								3pf @ 10v			40 V	200 µA @ 10 V	2 V @ 1 na
SI3850ADV-T1-GE3	-	RFQ	3328	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Si3850	MOSFET (Oxyde Métallique)	1.08W	6 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000	N et p canal, draine commun		20V	1.4a, 960mA		300mohm @ 500mA, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	1.4NC @ 4,5 V		-	Porte de Niveau Logique
IRFR9210	-	RFQ	2040	Vishay Siliconix	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	IRFR9210	MOSFET (Oxyde Métallique)		D-pak	-	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	75		Canal p	200 V	1.9A (TC)	10V	3ohm @ 1.1a, 10v	4V @ 250µA	8,9 NC @ 10 V	± 20V	170 pf @ 25 V	-	2.5W (TA), 25W (TC)
Irfr430apbf	1 9000	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	IRFR430	MOSFET (Oxyde Métallique)		D-pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	75		Canal n	500 V	5A (TC)	10V	1,7 ohm @ 3a, 10v	4,5 V @ 250µA	24 NC @ 10 V	± 30V	490 pf @ 25 V	-	110W (TC)
SIR470DP-T1-GE3	2.8200	RFQ	1	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8	Sir470	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SO-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	40 V	60a (TC)	4,5 V, 10V	2,3MOHM @ 20A, 10V	2,5 V @ 250µA	155 NC @ 10 V	± 20V	5660 pf @ 20 V	-	6.25W (TA), 104W (TC)
SQS180ELNW-T1_GE3	1.1200	RFQ	50	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Geniv	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutien de la surface, flanc Mouillable	PowerPak® 1212-8SLW		MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® 1212-8SLW	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)					3 000		Canal n	80 V	82A (TC)	4,5 V, 10V	7.1MOHM @ 10A, 10V	2,5 V @ 250µA	68 NC @ 10 V	± 20V	3689 PF @ 25 V	-	119W (TC)
Sud50p04-13l-e3	-	RFQ	2282	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Sud50	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252aa	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 000		Canal p	40 V	60a (TC)	4,5 V, 10V	13MOHM @ 30A, 10V	3V à 250µA	95 NC @ 10 V	± 20V	3120 pf @ 25 V	-	3W (TA), 93,7W (TC)
SI2311DS-T1-GE3	-	RFQ	9434	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	Si2311	MOSFET (Oxyde Métallique)		SOT-23-3 (à 236)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000		Canal p	8 V	3a (ta)	1,8 V, 4,5 V	45 mohm @ 3,5a, 4,5 V	800 mV à 250µA	12 NC @ 4,5 V	± 8v	970 PF @ 4 V	-	710mw (TA)
SISA10BDN-T1-GE3	0,9100	RFQ	3	Vishay Siliconix	TRENCHFET® GEN IV	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® 1212-8		MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® 1212-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	30 V	26A (TA), 104A (TC)	4,5 V, 10V	3,6MOHM @ 10A, 10V	2,4 V @ 250µA	36.2 NC @ 10 V	+ 20V, -16V	1710 PF @ 15 V	-	3.8W (TA), 63W (TC)
SI3410DV-T1-GE3	0,8300	RFQ	19	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Si3410	MOSFET (Oxyde Métallique)		6 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	30 V	8A (TC)	4,5 V, 10V	19,5 mohm @ 5a, 10v	3V à 250µA	33 NC @ 10 V	± 20V	1295 PF @ 15 V	-	2W (TA), 4.1W (TC)
SIE806DF-T1-GE3	-	RFQ	8509	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	10-Polarpak® (L)	Sie806	MOSFET (Oxyde Métallique)		10-Polarpak® (L)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	30 V	60a (TC)	4,5 V, 10V	1,7MOHM @ 25A, 10V	2V à 250µA	250 NC @ 10 V	± 12V	13000 pf @ 15 V	-	5.2W (TA), 125W (TC)
SQD15N06-42L_GE3	1.0300	RFQ	830	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	SQD15	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252aa	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	2 000		Canal n	60 V	15A (TC)	4,5 V, 10V	42MOHM @ 10A, 10V	2,5 V @ 250µA	15 NC @ 10 V	± 20V	535 PF @ 25 V	-	37W (TC)
SQM110P06-8M9L_GE3	3.2300	RFQ	8396	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	SQM110	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 263 (d²pak)	télécharger		1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	800		Canal p	60 V	110a (TC)	4,5 V, 10V	8,9MOHM @ 30A, 10V	2,5 V @ 250µA	200 NC @ 10 V	± 20V	7450 pf @ 25 V	-	230W (TC)
Irfr9014ntrl	-	RFQ	3645	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	IRFR9014	MOSFET (Oxyde Métallique)		D-pak	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p	60 V	5.1a (TC)	10V	500mohm @ 3.1a, 10v	4V @ 250µA	12 NC @ 10 V	± 20V	270 pf @ 25 V	-	2.5W (TA), 25W (TC)
Irfbc20strl	-	RFQ	6920	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Irfbc20	MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	800		Canal n	600 V	2.2a (TC)	10V	4.4OHM @ 1.3A, 10V	4V @ 250µA	18 NC @ 10 V	± 20V	350 pf @ 25 V	-	3.1W (TA), 50W (TC)
SQP120N10-09_GE3	2.8000	RFQ	250	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	À Travers Le Trou	À 220-3	SQP120	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220ab	télécharger		1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	500		Canal n	100 V	120A (TC)	10V	9.5MOHM @ 30A, 10V	3,5 V @ 250µA	180 NC @ 10 V	± 20V	8645 PF @ 25 V	-	375W (TC)
IRC830PBF	-	RFQ	2530	Vishay Siliconix	Hexfet®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	À Travers Le Trou	À 220-5	IRC830	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-5	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	* IRC830PBF	EAR99	8541.29.0095	50		Canal n	500 V	4.5a (TC)	10V	1,5 ohm @ 2,7a, 10v	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	± 20V	610 PF @ 25 V	Détection de Courant	74W (TC)
SI1065X-T1-GE3	-	RFQ	8934	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-563, SOT-666	SI1065	MOSFET (Oxyde Métallique)		SC-89 (SOT-563F)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000		Canal p	12 V	1.18A (TA)	1,8 V, 4,5 V	156MOHM @ 1.18A, 4,5 V	950 mV à 250µA	10,8 NC @ 5 V	± 8v	480 pf @ 6 V	-	236MW (TA)
Sup70n03-09bp-e3	-	RFQ	2489	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	À Travers Le Trou	À 220-3	Sup70	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220ab	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	500		Canal n	30 V	70A (TC)	4,5 V, 10V	9MOHM @ 30A, 10V	2V à 250µA	19 NC @ 5 V	± 20V	1500 pf @ 25 V	-	93W (TC)
IRF520	-	RFQ	6941	Vishay Siliconix	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	IRF520	MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	* IRF520S	EAR99	8541.29.0095	50		Canal n	100 V	9.2a (TC)	10V	270MOHM @ 5.5A, 10V	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	± 20V	360 pf @ 25 V	-	3.7W (TA), 60W (TC)
SI6969BDQ-T1-GE3	-	RFQ	1758	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur)	Si6969	MOSFET (Oxyde Métallique)	830mw	8-TSSOP	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000	2 Canal P (double)		12V	4A		30MOHM @ 4.6A, 4,5 V	800 mV à 250µA	25nc @ 4,5 V		-	Porte de Niveau Logique
Irfp250pbf	3.9500	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	À Travers Le Trou	À 247-3	IRFP250	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247AC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		* Irfp250pbf	EAR99	8541.29.0095	25		Canal n	200 V	30a (TC)	10V	85MOHM @ 18A, 10V	4V @ 250µA	140 NC @ 10 V	± 20V	2800 pf @ 25 V	-	190W (TC)
SQJB48EP-T1_GE3	1.5800	RFQ	3	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8 Dual	SQJB48	MOSFET (Oxyde Métallique)	48W (TC)	PowerPak® SO-8 Dual	télécharger		1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000	2 Canaux N (double)		40V	30a (TC)		5.2MOHM @ 8A, 10V	3,3 V @ 250µA	40nc @ 10v		2350pf @ 25v	-
SI1424EDH-T1-GE3	0,4300	RFQ	5506	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SI1424	MOSFET (Oxyde Métallique)		SC-70-6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	20 V	4A (TC)	4,5 V	33MOHM @ 5A, 4,5 V	1V @ 250µA	18 NC @ 8 V	± 8v		-	1 56W (TA), 2,8W (TC)
Irfd220	-	RFQ	3137	Vishay Siliconix	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	À Travers Le Trou	4-DIP (0,300 ", 7,62 mm)	Irfd220	MOSFET (Oxyde Métallique)		4 HVMDIP	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	* IRFD220	EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n	200 V	800mA (TA)	10V	800MOHM @ 480mA, 10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	± 20V	260 pf @ 25 V	-	1W (ta)
V30433-T1-GE3	-	RFQ	9520	Vishay Siliconix	*	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète				V30433				-	Rohs3 conforme	1 (illimité)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	3 000
IRF9630	-	RFQ	4438	Vishay Siliconix	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	IRF9630	MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	* IRF9630	EAR99	8541.29.0095	50		Canal p	200 V	6.5a (TC)	10V	800mohm @ 3,9a, 10v	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	± 20V	700 pf @ 25 V	-	3W (TA), 74W (TC)
Irll014pbf	-	RFQ	2201	Vishay Siliconix	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 261-4, à 261aa	Irll014	MOSFET (Oxyde Métallique)		SOT-223	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	40		Canal n	60 V	2.7A (TC)	4V, 5V	200 mohm @ 1,6a, 5v	2V à 250µA	8,4 NC @ 5 V	± 10V	400 pf @ 25 V	-	2W (TA), 3.1W (TC)
IRFU9020	-	RFQ	9928	Vishay Siliconix	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	À Travers Le Trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa	IRFU9	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 251aa	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	* IRFU9020	EAR99	8541.29.0095	75		Canal p	50 V	9.9a (TC)	10V	280mohm @ 5.7a, 10v	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	± 20V	490 pf @ 25 V	-	42W (TC)