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Produits semi-conduurs discrètes (5717)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Tension - Dépression (V (br) GSS)	Courant - Drain (iDSS) @ VDS (VGS = 0)	Tension - coupure (VGS off) @ id
SQA600CEJW-T1_GE3	0,5900	RFQ	5	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutien de la surface, flanc Mouillable	6 powervdfn		MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak®c-70W-6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	80 V	9A (TC)	4,5 V, 10V	54,6MOHM @ 3A, 10V	2,5 V @ 250µA	9 NC @ 10 V	± 20V	540 pf @ 25 V	-	13.6W (TC)
SI2343CDS-T1-BE3	0,5600	RFQ	6	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		SOT-23-3 (à 236)	télécharger		1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p	30 V	4.2a (TA), 5.9a (TC)	4,5 V, 10V	45MOHM @ 4.2A, 10V	2,5 V @ 250µA	21 NC @ 10 V	± 20V	590 pf @ 15 V	-	1,25W (TA), 2,5W (TC)
Siss30ldn-T1-Ge3	1,3000	RFQ	11	Vishay Siliconix	TRENCHFET® GEN IV	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® 1212-8S	Siss30	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® 1212-8S	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	80 V	16a (Ta), 55,5a (TC)	4,5 V, 10V	8,5 mohm @ 10a, 10v	2,5 V @ 250µA	50 NC @ 10 V	± 20V	2070 PF @ 40 V	-	4.8W (TA), 57W (TC)
Sijh600e-T1-Ge3	6.3800	RFQ	1	Vishay Siliconix	TRENCHFET® GEN IV	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® 8 x 8		MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® 8 x 8	télécharger		1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	2 000		Canal n	60 V	37a (TA), 373A (TC)	7,5 V, 10V	0,92MOHM @ 20A, 10V	4V @ 250µA	212 NC @ 10 V	± 20V	9950 PF @ 30 V	-	3.3W (TA), 333W (TC)
SIHP150N60E-GE3	3.7200	RFQ	2067	Vishay Siliconix	E	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Sihp150	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220ab	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		742-SIHP150N60E-GE3	EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n	600 V	22A (TC)	10V	155MOHM @ 10A, 10V	5V @ 250µA	36 NC @ 10 V	± 30V	1514 pf @ 100 V	-	179W (TC)
SIHB21N80AE-GE3	2.9000	RFQ	1847	Vishay Siliconix	E	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Sihb21	MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		742-SIHB21N80AE-GE3	EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n	800 V	17.4a (TC)	10V	235MOHM @ 11A, 10V	4V @ 250µA	72 NC @ 10 V	± 30V	1388 pf @ 100 V	-	32W (TC)
SI1424EDH-T1-BE3	0,4300	RFQ	2356	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SI1424	MOSFET (Oxyde Métallique)		SC-70-6	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	742-SI1424EDH-T1-BE3TR	EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	20 V	4A (TA), 4A (TC)		33MOHM @ 5A, 4,5 V	1V @ 250µA	18 NC @ 8 V	± 8v		-	1 56W (TA), 2,8W (TC)
SI4886DY-T1-GE3	-	RFQ	9509	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	SI4886	MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n	30 V	9.5A (TA)	4,5 V, 10V	10MOHM @ 13A, 10V	800 mV à 250µa (min)	20 nc @ 5 V	± 20V		-	1 56W (TA)
SI4880DY-T1-GE3	-	RFQ	8396	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	SI4880	MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n	30 V	13a (ta)	4,5 V, 10V	8,5 mohm @ 13a, 10v	1,8 V à 250µA	25 NC @ 5 V	± 25V		-	2.5W (TA)
2N4858JTX02	-	RFQ	2592	Vishay Siliconix	-	Tube	Obsolète	-	Par le trou	To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN	2N4858			To-206aa (à 18)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	40		-								-
Sihp7n60e-e3	1.0277	RFQ	3636	Vishay Siliconix	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Sihp7	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220ab	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n	600 V	7a (TC)	10V	600 mOhm @ 3,5a, 10v	4V @ 250µA	40 NC @ 10 V	± 30V	680 PF @ 100 V	-	78W (TC)
SQJ990EP-T1_GE3	1.4100	RFQ	3	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8 Dual	SQJ990	MOSFET (Oxyde Métallique)	48W	PowerPak® SO-8 Double asymétrique	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000	2 Canaux N (double)		100V	34A (TC)		40MOHM @ 6A, 10V, 19MOHM @ 10A, 10V	2,5 V @ 250µA	30nc @ 10v, 15nc @ 10v		1390pf @ 25v, 650pf @ 25v	-
SiDR668ADP-T1-RE3	2.4800	RFQ	2	Vishay Siliconix	TRENCHFET® GEN IV	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8	Sidr668	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SO-8DC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		742-SIDR668ADP-T1-RE3TR	EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	100 V	23.3A (TA), 104A (TC)	7,5 V, 10V	4,8MOHM @ 20A, 10V	4V @ 250µA	81 NC @ 10 V	± 20V	3750 pf @ 50 V	-	6.25W (TA), 125W (TC)
2N4416	-	RFQ	6936	Vishay Siliconix	-	En gros	Obsolète	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	To-206af, to-72-4 Metal Can	2N4416		300 MW	To-206af (to-72)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	200		Canal n								4pf @ 15v			30 V	5 ma @ 15 V	3 V @ 1 na
SQR50N04-3M8_GE3	1.6200	RFQ	1	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 252-4, DPAK (3 leads + onglet)	SQR50	MOSFET (Oxyde Métallique)		D-Pak (à 252)	télécharger		1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	2 000		Canal n	40 V	50A (TC)	10V	3,8MOHM @ 20A, 10V	3,5 V @ 250µA	105 NC @ 10 V	± 20V	6700 pf @ 25 V	-	136W (TC)
Siz346dt-t1-ge3	0,7300	RFQ	4	Vishay Siliconix	Powerpair®, Trenchfet®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-POWERWDFN	Siz346	MOSFET (Oxyde Métallique)	16W, 16.7W	8-Power33 (3x3)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000	2 Canaux N (double)		30V	17A (TC), 30A (TC)		28,5MOHM @ 10A, 10V, 11,5MOHM @ 14.4A, 10V	2,2 V @ 250µA, 2,4 V @ 250µA	5NC @ 4,5 V, 9NC @ 4,5 V		325pf @ 15v, 650pf @ 15v	-
SI7120ADN-T1-GE3	1.6600	RFQ	3	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® 1212-8	Si7120	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® 1212-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	60 V	6a (ta)	4,5 V, 10V	21MOHM @ 9.5A, 10V	3V à 250µA	45 NC @ 10 V	± 20V		-	1.5W (TA)
SI4322DY-T1-GE3	-	RFQ	2265	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	SI4322	MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n	30 V	18A (TC)	4,5 V, 10V	8,5 mohm @ 15a, 10v	3V à 250µA	38 NC @ 10 V	± 20V	1640 PF @ 15 V	-	3.1W (TA), 5.4W (TC)
SIZ240DT-T1-GE3	1.3100	RFQ	2831	Vishay Siliconix	TRENCHFET® GEN IV	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-POWERWDFN	Siz240	MOSFET (Oxyde Métallique)	4.3W (TA), 33W (TC)	8-PowerPair® (3.3x3.3)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		742-SIZ240DT-T1-GE3TR	EAR99	8541.29.0095	3 000	2 Canaux N (double)		40V	17.2A (TA), 48A (TC), 16.9A (TA), 47A (TC)		8 05MOHM @ 10A, 10V, 8,41MOHM @ 10A, 10V	2,4 V @ 250µA	23nc @ 10v, 22nc @ 10v		1180pf @ 20v, 1070pf @ 20v	-
SI4900DY-T1-E3	1.2500	RFQ	4	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	Si4900	MOSFET (Oxyde Métallique)	3.1W	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	2 500	2 Canaux N (double)		60V	5.3a		58MOHM @ 4.3A, 10V	3V à 250µA	20nc @ 10v		665pf @ 15v	Porte de Niveau Logique
SI9945AEY-T1	-	RFQ	4187	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	SI9945	MOSFET (Oxyde Métallique)	2,4 W	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	Q4552539A	EAR99	8541.29.0095	500	2 Canaux N (double)		60V	3.7a		80MOHM @ 3,7A, 10V	3V à 250µA	20nc @ 10v		-	Porte de Niveau Logique
SI4636DY-T1-E3	-	RFQ	9388	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	Si4636	MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n	30 V	17A (TC)	4,5 V, 10V	8,5 mohm @ 10a, 10v	2,5 V @ 250µA	60 NC @ 10 V	± 16V	2635 PF @ 15 V	-	2,5W (TA), 4,4W (TC)
SI4833ADY-T1-GE3	-	RFQ	7676	Vishay Siliconix	Little Foot®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	Si4833	MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal p	30 V	4.6a (TC)	4,5 V, 10V	72MOHM @ 3,6A, 10V	2,5 V @ 250µA	15 NC @ 10 V	± 20V	750 pf @ 15 V	Diode Schottky (isolé)	1 93W (TA), 2 75W (TC)
Sia414dj-t1-ge3	0,9400	RFQ	26	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SC-70-6	Sia414	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SC-70-6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	8 V	12A (TC)	1,2 V, 4,5 V	11MOHM @ 9.7A, 4,5 V	800 mV à 250µA	32 NC @ 5 V	± 5V	1800 pf @ 4 V	-	3,5W (TA), 19W (TC)
Sud09p10-195-ge3	0,8700	RFQ	39	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Sud09	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252aa	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	2 000		Canal p	100 V	8.8A (TC)	4,5 V, 10V	195MOHM @ 3,6A, 10V	2,5 V @ 250µA	34,8 NC @ 10 V	± 20V	1055 PF @ 50 V	-	2.5W (TA), 32.1W (TC)
SI6415DQ-T1-BE3	1.8600	RFQ	6460	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur)		MOSFET (Oxyde Métallique)		8-TSSOP	télécharger		1 (illimité)		742-SI6415DQ-T1-BE3TR	EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p	30 V	6.5A (TA)	4,5 V, 10V	19MOHM @ 6.5A, 10V	1V @ 250µA	70 NC @ 10 V	± 20V		-	1.5W (TA)
SIR870BDP-T1-RE3	2.2000	RFQ	9421	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8	Sir870	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SO-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	100 V	18.8A (TA), 81A (TC)	4,5 V, 10V	6,1MOHM @ 15A, 10V	3V à 250µA	110 NC @ 10 V	± 20V	4870 PF @ 50 V	-	5.4W (TA), 100W (TC)
Irlz14pbf-be3	1.1100	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Irlz14	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220ab	télécharger		1 (illimité)		742-irlz14pbf-be3	EAR99	8541.29.0095	50		Canal n	60 V	10A (TC)		200 mohm @ 6a, 5v	2V à 250µA	8,4 NC @ 5 V	± 10V	400 pf @ 25 V	-	43W (TC)
SUD40N10-25-T4-E3	-	RFQ	7738	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Sud40	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252aa	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n	100 V	40A (TC)	10V	25MOHM @ 40A, 10V	3V à 250µA	60 NC @ 10 V	± 20V	2400 pf @ 25 V	-	3W (TA), 136W (TC)
SQM110N05-06L_GE3	3.0700	RFQ	1185	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	SQM110	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 263 (d²pak)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	800		Canal n	55 V	110a (TC)	4,5 V, 10V	6MOHM @ 30A, 10V	2,5 V @ 250µA	110 NC @ 10 V	± 20V	4440 PF @ 25 V	-	157W (TC)