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Produits semi-conduurs discrètes (5717)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Sihp11n80e-be3 | 3 5300 |  | 916 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 800 V | 12A (TC) | 10V | 440mohm @ 5.5a, 10v | 4V @ 250µA | 88 NC @ 10 V | ± 30V | 1670 PF @ 100 V | - | 179W (TC) | ||||||
 | SQJA76EP-T1_BE3 | 1.3300 | | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 40 V | 75A (TC) | 10V | 2,4 mohm @ 10a, 10v | 3,5 V @ 250µA | 100 nc @ 10 V | ± 20V | 5250 pf @ 25 V | - | 68W (TC) | |||||
 | Sihfr320trl-ge3 | 0,9600 | | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252aa | télécharger | 1 (illimité) | 742-SIHFR320TRL-GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 400 V | 3.1A (TC) | 10V | 1,8 ohm @ 1,9a, 10v | 4V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
| SQJ454EP-T1_BE3 | 1.3100 | | 6715 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | 1 (illimité) | 742-SQJ454EP-T1_BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 200 V | 13A (TC) | 4,5 V, 10V | 145MOHM @ 7.5A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 85 NC @ 10 V | ± 20V | 2600 pf @ 25 V | - | 68W (TC) | |||||
 | SI2342DS-T1-BE3 | 0,5100 | | 3935 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23-3 (à 236) | télécharger | 1 (illimité) | 742-SI2342DS-T1-BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 8 V | 6a (ta), 6a (TC) | 1,2 V, 4,5 V | 17MOHM @ 7.2A, 4,5 V | 800 mV à 250µA | 15,8 NC @ 4,5 V | ± 5V | 1070 PF @ 4 V | - | 1.3W (TA), 2,5W (TC) | |||||
| SQJA37EP-T1_BE3 | 0,9200 | | 1863 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | 1 (illimité) | 742-SQJA37EP-T1_BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 30 V | 30a (TC) | 4,5 V, 10V | 9.2MOHM @ 6A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 100 nc @ 10 V | ± 20V | 4900 pf @ 25 V | - | 45W (TC) | |||||
| IRFR9014PBF-BE3 | 0,6468 | | 5929 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | IRFR9014 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252aa | télécharger | 742-IRFR9014PBF-BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 60 V | 5.1a (TC) | 10V | 500mohm @ 3.1a, 10v | 4V @ 250µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 270 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||
| SIHFR320TR-GE3 | 0,8800 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252aa | télécharger | 1 (illimité) | 742-SIHFR320TR-GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 400 V | 3.1A (TC) | 10V | 1,8 ohm @ 1,9a, 10v | 4V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
| SQJA12EP-T1_GE3 | 1.8800 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 125 ° C | MOSFET (Oxyde Métallique) | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 100 V | - | 10V | 8,6MOHM @ 10A, 10V | 3V à 250µA | 49.1 NC @ 10 V | - | 3635 PF @ 25 V | - | - | |||||||||
| SQJ433EP-T1_BE3 | 1.4100 | | 3015 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | 1 (illimité) | 742-SQJ433EP-T1_BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 30 V | 75A (TC) | 4,5 V, 10V | 8.1MOHM @ 16A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 108 NC @ 10 V | ± 20V | 4877 PF @ 15 V | - | 83W (TC) | |||||
| SI2301BDS-T1-BE3 | 0 4600 | | 6098 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23-3 (à 236) | télécharger | 1 (illimité) | 742-SI2301BDS-T1-BE3TR | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 2.2a (TA) | 2,5 V, 4,5 V | 100MOHM @ 2,8A, 4,5 V | 950 mV à 250µA | 10 NC @ 4,5 V | ± 8v | 375 pf @ 6 V | - | 700MW (TA) | |||||
 | Siha21n60ef-ge3 | 4.0100 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | Emballage complet à 220 | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 600 V | 9A (TC) | 10V | 176MOHM @ 11A, 10V | 4V @ 250µA | 84 NC @ 10 V | ± 30V | 2030 PF @ 100 V | - | 35W (TC) | ||||||
| SIHA15N60E-GE3 | 3.0700 | | 1682 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | Emballage complet à 220 | télécharger | 1 (illimité) | 742-SIHA15N60E-GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 600 V | 15A (TC) | 10V | 280MOHM @ 8A, 10V | 4V @ 250µA | 76 NC @ 10 V | ± 30V | 1350 pf @ 100 V | - | 34W (TC) | |||||
| SQJ407EP-T1_BE3 | 1.4800 | | 1406 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | 1 (illimité) | 742-SQJ407EP-T1_BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 30 V | 60a (TC) | 4,5 V, 10V | 4.4MOHM @ 10A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 260 NC @ 10 V | ± 20V | 10700 pf @ 25 V | - | 68W (TC) | |||||
 | SIHB30N60ET1-GE3 | 6.0700 | | 426 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 600 V | 29A (TC) | 10V | 125MOHM @ 15A, 10V | 4V @ 250µA | 130 NC @ 10 V | ± 30V | 2600 pf @ 100 V | - | 250W (TC) | ||||||
 | SQJ844AEP-T1_BE3 | 1.2100 | | 7886 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 Dual | SQJ844 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 48W (TC) | PowerPak® SO-8 Dual | télécharger | 1 (illimité) | 742-SQJ844AEP-T1_BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 30V | 8A (TC) | 16,6mohm @ 7,6a, 10v | 2,5 V @ 250µA | 26nc @ 10v | 1161pf @ 15v | - | ||||||
 | SiDR668DP-T1-RE3 | 2.9700 | | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8DC | télécharger | 1 (illimité) | 742-SIDR668DP-T1-RE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 100 V | 23.2A (TA), 95A (TC) | 7,5 V, 10V | 4,8MOHM @ 20A, 10V | 3,4 V @ 250µA | 108 NC @ 10 V | ± 20V | 5400 pf @ 50 V | - | 6.25W (TA), 125W (TC) | |||||
| SQJ415EP-T1_BE3 | 1 0000 | | 1990 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | 1 (illimité) | 742-SQJ415EP-T1_BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 40 V | 30a (TC) | 4,5 V, 10V | 14MOHM @ 10A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 95 NC @ 10 V | ± 20V | 6000 pf @ 25 V | - | 45W (TC) | |||||
| SQJ504EP-T1_BE3 | 1.4600 | | 2065 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 Dual | SQJ504 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 34W (TC) | PowerPak® SO-8 Dual | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n et p | 40V | 30a (TC) | 7,5MOHM @ 8A, 10V, 17MOHM @ 8A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 30nc @ 10v, 85nc @ 10v | 1900pf @ 25v, 4600pf @ 25V | - | |||||||
 | SQ3989EV-T1_BE3 | 0,6000 | | 8623 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SQ3989 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1 67W (TC) | 6 TSOP | télécharger | 1 (illimité) | 742-SQ3989EV-T1_BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canal P (double) | 30V | 2.5a (TC) | 155MOHM @ 400mA, 10V | 1,5 V @ 250µA | 11.1nc @ 10v | - | - | ||||||
| SQJB00EP-T1_BE3 | 1.3100 | | 5243 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SQJB00 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 48W (TC) | PowerPak® SO-8 | télécharger | 1 (illimité) | 742-SQJB00EP-T1_BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 60V | 30a (TC) | 13MOHM @ 10A, 10V | 3,5 V @ 250µA | 35nc @ 10v | 1700pf @ 25v | - | ||||||
 | Sihfu310-ge3 | 0,6900 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 251aa | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal n | 400 V | 1.7A (TC) | 10V | 3,6 ohm @ 1a, 10v | 4V @ 250µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 170 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | ||||||
 | SI3476DV-T1-BE3 | 0 4700 | | 2625 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6 TSOP | télécharger | 1 (illimité) | 742-SI3476DV-T1-BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 80 V | 3.5A (TA), 4.6A (TC) | 4,5 V, 10V | 93MOHM @ 3,5A, 10V | 3V à 250µA | 7,5 NC @ 10 V | ± 20V | 195 PF @ 40 V | - | 2W (TA), 3,6W (TC) | |||||
| Siha6n65e-ge3 | 2.0400 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | Emballage complet à 220 | télécharger | 1 (illimité) | 742-SIHA6N65E-GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 650 V | 7a (TC) | 10V | 600mohm @ 3a, 10v | 4V @ 250µA | 48 NC @ 10 V | ± 30V | 1640 PF @ 100 V | - | 31W (TC) | |||||
 | SI3443DDV-T1-BE3 | 0,4300 | | 5639 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6 TSOP | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 4A (TA), 4A (TC) | 2,5 V, 4,5 V | 47MOHM @ 4.7A, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 30 NC @ 8 V | ± 12V | 970 PF @ 10 V | - | 1.7W (TA), 2,7W (TC) | ||||||
| SQJB44EP-T1_GE3 | 1.5800 | | 5490 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 Dual | SQJB44 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 48W (TC) | PowerPak® SO-8 Dual | télécharger | 1 (illimité) | 742-SQJB44EP-T1_GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 40V | 30a (TC) | 5.2MOHM @ 8A, 10V | 2,2 V @ 250µA | 50nc @ 10v | 3075pf @ 25v | - | ||||||
| SQJA20EP-T1_BE3 | 1.4700 | | 3641 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | 1 (illimité) | 742-SQJA20EP-T1_BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 200 V | 22.5A (TC) | 7,5 V, 10V | 50MOHM @ 10A, 10V | 3,5 V @ 250µA | 27 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 68W (TC) | |||||
| SI2302CDS-T1-BE3 | 0,4100 | | 2031 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23-3 (à 236) | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 20 V | 2.6A (TA) | 2,5 V, 4,5 V | 57MOHM @ 3,6A, 4,5 V | 850 mV à 250µA | 5,5 NC @ 4,5 V | ± 8v | - | 710mw (TA) | |||||||
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