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Produits semi-conduurs discrètes (5717)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)
SIR180ADP-T1-RE3	1.9300	RFQ	3	Vishay Siliconix	TRENCHFET® GEN IV	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8	Sir180	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SO-8	-		1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	60 V	35A (TA), 137A (TC)	7,5 V, 10V	2,2MOHM @ 10A, 10V	3,6 V @ 250µA	70 NC @ 10 V	± 20V	3280 pf @ 30 V	-	5.4W (TA), 83,3W (TC)
Sira18dp-t1-ge3	0,6300	RFQ	911	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8	Sira18	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SO-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	30 V	33A (TC)	4,5 V, 10V	7,5 mohm @ 10a, 10v	2,4 V @ 250µA	21,5 NC @ 10 V	+ 20V, -16V	1000 pf @ 15 V	-	3.3W (TA), 14.7W (TC)
SI7156DP-T1-GE3	-	RFQ	8806	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8	SI7156	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SO-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	40 V	50A (TC)	4,5 V, 10V	3,5 mohm @ 20a, 10v	3V à 250µA	155 NC @ 10 V	± 20V	6900 pf @ 20 V	-	5.4W (TA), 83W (TC)
Irr014trlpbf	0,6218	RFQ	3285	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	IRLR014	MOSFET (Oxyde Métallique)		D-pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	60 V	7.7a (TC)	4V, 5V	200 mohm @ 4.6a, 5v	2V à 250µA	8,4 NC @ 5 V	± 10V	400 pf @ 25 V	-	2.5W (TA), 25W (TC)
SIS822DNT-T1-GE3	0,1157	RFQ	5737	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® 1212-8	SIS822	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® 1212-8	télécharger		1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	30 V	12A (TC)	4,5 V, 10V	24MOHM @ 7.8A, 10V	2,5 V @ 250µA	12 NC @ 10 V	± 20V	435 PF @ 15 V	-	15.6W (TC)
SUM09N20-270-E3	-	RFQ	5114	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Sum09	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 263 (d²pak)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	800		Canal n	200 V	9A (TC)	6v, 10v	270MOHM @ 5A, 10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	± 20V	580 pf @ 25 V	-	3,75W (TA), 60W (TC)
Sia850dj-t1-ge3	-	RFQ	1490	Vishay Siliconix	Little Foot®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SC-70-6 Double	SIA850	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SC-70-6 Double	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	190 V	950mA (TC)	1,8 V, 4,5 V	3,8 ohm @ 360mA, 4,5 V	1,4 V @ 250µA	4,5 NC @ 10 V	± 16V	90 pf @ 100 V	Diode Schottky (isolé)	1.9W (TA), 7W (TC)
SQD45P03-12_GE3	1.7700	RFQ	844	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	SQD45	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252aa	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	2 000		Canal p	30 V	50A (TC)	4,5 V, 10V	10MOHM @ 15A, 10V	2,5 V @ 250µA	83 NC @ 10 V	± 20V	3495 PF @ 15 V	-	71W (TC)
Siss05DN-T1-GE3	1.2600	RFQ	4007	Vishay Siliconix	TRENCHFET® GEN IV	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® 1212-8S	Siss05	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® 1212-8S	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p	30 V	29.4A (TA), 108A (TC)	4,5 V, 10V	3,5 mohm @ 10a, 10v	2,2 V @ 250µA	115 NC @ 10 V	+ 16v, -20V	4930 pf @ 15 V	-	5W (TA), 65,7W (TC)
SI2312BDS-T1-BE3	0,5700	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		SOT-23-3 (à 236)	télécharger		1 (illimité)		742-SI2312BDS-T1-BE3TR	EAR99	8541.21.0095	3 000		Canal n	20 V	3.9A (TA)	1,8 V, 4,5 V	31MOHM @ 5A, 4,5 V	850 mV à 250µA	12 NC @ 4,5 V	± 8v		-	750MW (TA)
SIHH21N60E-T1-GE3	2.1785	RFQ	2605	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN	Sihh21	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® 8 x 8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	600 V	20A (TC)	10V	176MOHM @ 11A, 10V	4V @ 250µA	83 NC @ 10 V	± 30V	2015 PF @ 100 V	-	104W (TC)
Sihp14n50d-e3	2.9400	RFQ	3704	Vishay Siliconix	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Sihp14	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220ab	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		Sihp14n50de3	EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n	500 V	14A (TC)	10V	400mohm @ 7a, 10v	5V @ 250µA	58 NC @ 10 V	± 30V	1144 PF @ 100 V	-	208W (TC)
SI1551DL-T1-GE3	-	RFQ	5068	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SI1551	MOSFET (Oxyde Métallique)	270MW	SC-70-6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000	Canal n et p		20V	290mA, 410mA		1,9 ohm @ 290mA, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	1.5nc @ 4,5 V		-	Porte de Niveau Logique
SQM120N04-1M7_GE3	2.1512	RFQ	7763	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	SQM120	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 263 (d²pak)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		SQM120N04-1M7-GE3	EAR99	8541.29.0095	800		Canal n	40 V	120A (TC)	10V	1,7MOHM @ 30A, 10V	3,5 V @ 250µA	310 NC @ 10 V	± 20V	17350 pf @ 25 V	-	300W (TC)
Irf9z34spbf	2 0000	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Irf9z34	MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	50		Canal p	60 V	18A (TC)	10V	140mohm @ 11a, 10v	4V @ 250µA	34 NC @ 10 V	± 20V	1100 pf @ 25 V	-	3.7W (TA), 88W (TC)
Sihu6n65e-ge3	0 7796	RFQ	6308	Vishay Siliconix	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 251-3 Longs Longs, ipak, à 251ab	Sihu6	MOSFET (Oxyde Métallique)		Ipak (à 251)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	75		Canal n	650 V	7a (TC)	10V	600mohm @ 3a, 10v	4V @ 250µA	48 NC @ 10 V	± 30V	820 pf @ 100 V	-	78W (TC)
SQJ412EP-T2_GE3	0,7110	RFQ	5531	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8	SQJ412	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SO-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		742-SQJ412EP-T2_GE3TR	EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	40 V	32A (TC)	4,5 V, 10V	4.1MOHM @ 10.3A, 10V	2,5 V @ 250µA	120 NC @ 10 V	± 20V	5950 pf @ 20 V	-	83W (TC)
Sia914adj-t1-ge3	-	RFQ	9137	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SC-70-6 Double	Sia914	MOSFET (Oxyde Métallique)	7.8w	PowerPak® SC-70-6 Double	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000	2 Canaux N (double)		20V	4.5a		43MOHM @ 3,7A, 4,5 V	900 mV à 250 µA	12.5nc @ 8v		470pf @ 10v	Porte de Niveau Logique
SI7423DN-T1-E3	1.5900	RFQ	725	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® 1212-8	Si7423	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® 1212-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p	30 V	7.4a (TA)	4,5 V, 10V	18MOHM @ 11.7A, 10V	3V à 250µA	56 NC @ 10 V	± 20V		-	1.5W (TA)
IRFR9120PBF-BE3	0,8080	RFQ	2691	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	IRFR9120	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252aa	télécharger				742-IRFR9120PBF-BE3TR	EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p	100 V	5.6a (TC)	10V	600 mOhm @ 3,4a, 10v	4V @ 250µA	18 NC @ 10 V	± 20V	390 pf @ 25 V	-	2.5W (TA), 42W (TC)
SI4484EY-T1-E3	-	RFQ	4026	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	SI4484	MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n	100 V	4.8A (TA)	6v, 10v	34MOHM @ 6.9A, 10V	2V @ 250µA (min)	30 NC @ 10 V	± 20V		-	1.8W (TA)
SI7820DN-T1-GE3	1 5500	RFQ	6351	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® 1212-8	SI7820	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® 1212-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	200 V	1.7A (TA)	6v, 10v	240 mOhm @ 2,6a, 10v	4V @ 250µA	18 NC @ 10 V	± 20V		-	1.5W (TA)
Siss42dn-t1-ge3	0,6825	RFQ	5178	Vishay Siliconix	TRENCHFET® GEN IV	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® 1212-8S	Siss42	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® 1212-8S	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	100 V	11.8A (TA), 40,5A (TC)	7,5 V, 10V	14.4MOHM @ 15A, 10V	3,4 V @ 250µA	38 NC @ 10 V	± 20V	1850 pf @ 50 V	-	4.8W (TA), 57W (TC)
SQD40N06-14L_T4GE3	0,6209	RFQ	3822	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	SQD40	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252aa	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		742-sqd40n06-14l_t4ge3tr	EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n	60 V	40A (TC)	4,5 V, 10V	14MOHM @ 20A, 10V	2,5 V @ 250µA	51 NC @ 10 V	± 20V	2105 PF @ 25 V	-	75W (TC)
SIHD14N60ET1-GE3	2.3000	RFQ	1	Vishay Siliconix	E	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63		MOSFET (Oxyde Métallique)		D-pak	télécharger		1 (illimité)		742-SIHD14N60ET1-GE3TR	EAR99	8541.29.0095	2 000		Canal n	600 V	13A (TC)	10V	309MOHM @ 7A, 10V	4V @ 250µA	64 NC @ 10 V	± 30V	1205 PF @ 100 V	-	147W (TC)
SIE882DF-T1-GE3	2.5100	RFQ	2	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	10-Polarpak® (L)	Sie882	MOSFET (Oxyde Métallique)		10-Polarpak® (L)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	25 V	60a (TC)	4,5 V, 10V	1,4 mohm @ 20a, 10v	2,2 V @ 250µA	145 NC @ 10 V	± 20V	6400 PF @ 12,5 V	-	5.2W (TA), 125W (TC)
SQA409CEJW-T1_GE3	0,5300	RFQ	2656	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutien de la surface, flanc Mouillable	PowerPak® SC-70-6	SQA409	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak®c-70W-6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)					3 000		Canal p	12 V	9A (TC)	1,8 V, 4,5 V	19MOHM @ 4.5A, 4,5 V	1V @ 250µA	33 NC @ 4,5 V	± 8v	3070 pf @ 6 V	-	13.6W (TC)
Sij438dp-T1-Ge3	1.7300	RFQ	18	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8	Sij438	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SO-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	40 V	80A (TC)	4,5 V, 10V	1 35 mohm @ 20a, 10v	2,4 V @ 250µA	182 NC @ 10 V	+ 20V, -16V	9400 PF @ 20 V	-	69.4W (TC)
Irfbc30pbf-be3	1.7300	RFQ	938	Vishay Siliconix	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Irfbc30	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220ab	télécharger		1 (illimité)		742-irfbc30pbf-be3	EAR99	8541.29.0095	50		Canal n	600 V	3.6A (TC)	10V	2,2 ohm @ 2,2a, 10v	4V @ 250µA	31 NC @ 10 V	± 20V	660 pf @ 25 V	-	74W (TC)
SQS414CENW-T1_GE3	0,6800	RFQ	3013	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® 1212-8W		MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® 1212-8W	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	60 V	18A (TC)	4,5 V, 10V	23MOHM @ 2,4A, 10V	2,5 V @ 250µA	14 NC @ 10 V	± 20V	870 pf @ 25 V	-	33W (TC)