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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Sihh11n60ef-t1-ge3 | 3.9700 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | Sihh11 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 8 x 8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 600 V | 11a (TC) | 10V | 357MOHM @ 5.5A, 10V | 4V @ 250µA | 62 NC @ 10 V | ± 30V | 1078 PF @ 100 V | - | 114W (TC) | |||||
![]() | 2N7002-E3 | - | ![]() | 1985 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 2N7002 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 236 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 000 | Canal n | 60 V | 115mA (TA) | 5v, 10v | 7,5 ohm @ 500mA, 10V | 2,5 V @ 250µA | ± 20V | 50 pf @ 25 V | - | 200MW (TA) | |||||
![]() | SI4866BDY-T1-GE3 | - | ![]() | 7295 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4866 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 12 V | 21.5A (TC) | 1,8 V, 4,5 V | 5,3MOHM @ 12A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 80 NC @ 4,5 V | ± 8v | 5020 PF @ 6 V | - | 2,5W (TA), 4 45W (TC) | |||||
![]() | SI9433BDY-T1-GE3 | 0,8900 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI9433 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 20 V | 4.5a (TA) | 2,7 V, 4,5 V | 40 mohm @ 6.2a, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 14 NC @ 4,5 V | ± 12V | - | 1.3W (TA) | ||||||
![]() | SI4447DY-T1-E3 | 0,8300 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Si4447 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 40 V | 3.3A (TA) | 15v, 10v | 72MOHM @ 4.5A, 15V | 2,2 V @ 250µA | 14 NC @ 4,5 V | ± 16V | 805 PF @ 20 V | - | 1.1W (TA) | |||||
![]() | Irfl014 | - | ![]() | 9780 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 261-4, à 261aa | Irfl014 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-223 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * Irfl014 | EAR99 | 8541.29.0095 | 80 | Canal n | 60 V | 2.7A (TC) | 10V | 200 mohm @ 1,6a, 10v | 4V @ 250µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 300 pf @ 25 V | - | 2W (TA), 3.1W (TC) | |||
![]() | SMMA511DJ-T1-GE3 | - | ![]() | 6946 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SC-70-6 Double | SMMA511 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6,5 W | PowerPak® SC-70-6 Double | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n et p | 12V | 4.5a | 40 mohm @ 4.2a, 4,5 V | 1V @ 250µA | 12nc @ 8v | 400pf @ 6v | Porte de Niveau Logique | ||||||
![]() | SI8810EDB-T2-E1 | 0.4900 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 4-XFBGA | Si8810 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 4 Microfoot | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 20 V | 2.1A (TA) | 1,5 V, 4,5 V | 72MOHM @ 1A, 4,5 V | 900 mV à 250 µA | 8 NC @ 8 V | ± 8v | 245 PF @ 10 V | - | 500mw (TA) | ||||
![]() | Sira36dp-t1-ge3 | 1.4900 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sira36 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 40A (TC) | 4,5 V, 10V | 2,8MOHM @ 20A, 10V | 2,2 V @ 250µA | 56 NC @ 10 V | + 20V, -16V | 2815 pf @ 15 V | - | - | |||||
![]() | SI6423DQ-T1-BE3 | 1.7700 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-TSSOP | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 12 V | 8.2a (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 8,5 mohm @ 9,5a, 4,5 V | 800 mV à 400 µA | 110 NC @ 5 V | ± 8v | - | 1.05W (TA) | ||||||||
![]() | IRL3402L | - | ![]() | 5154 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Abandonné à sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | IRL3402 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 262-3 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRL3402L | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 20 V | 85a (TC) | 4,5 V, 7V | 8MOHM @ 51A, 7V | 700 mV à 250 µA (min) | 78 NC @ 4,5 V | ± 10V | 3300 pf @ 15 V | - | 110W (TC) | |||
![]() | SIB4317EDK-T1-GE3 | 0 4500 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SC-75-6 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SC-75-6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 742-SIB4317EDK-T1-GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 30 V | 4.3A (TA), 4.5A (TC) | 2,5 V, 10V | 65MOHM @ 3A, 10V | 1,3 V à 250µA | 23 NC @ 10 V | ± 12V | 600 pf @ 15 V | - | 1 95W (TA), 10W (TC) | |||||
![]() | SQJQ402E-T1_GE3 | 2.8400 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 8 x 8 | SQJQ402 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 8 x 8 | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 40 V | 200A (TC) | 4,5 V, 10V | 1,7MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 260 NC @ 10 V | ± 20V | 13500 pf @ 20 V | - | 150W (TC) | ||||||
![]() | Sijh440e-t1-ge3 | 1.2191 | ![]() | 6305 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 8 x 8 | Sijh440 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 8 x 8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 40 V | 200A (TC) | 4,5 V, 10V | 0,96MOHM @ 20A, 10V | 2,3 V @ 250µA | 195 NC @ 4,5 V | + 20V, -16V | 20330 PF @ 20 V | - | 158W (TC) | |||||
![]() | Sia928dj-T1-GE3 | 0,4800 | ![]() | 5011 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SC-70-6 Double | Sia928 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 7.8w | PowerPak® SC-70-6 Double | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 30V | 4.5a (TC) | 25MOHM @ 5A, 10V | 2,2 V @ 250µA | 4.5nc @ 4,5 V | 490pf @ 15v | - | |||||||
![]() | SQ4153EY-T1_BE3 | 1.6500 | ![]() | 485 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SQ4153 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 12 V | 25a (TC) | 1,8 V, 4,5 V | 8,32MOHM @ 14A, 4,5 V | 900 mV à 250 µA | 151 NC @ 4,5 V | ± 8v | 11000 pf @ 6 V | - | 7.1w (TC) | ||||||
![]() | SI8816EDB-T2-E1 | 0,5300 | ![]() | 7117 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 4-XFBGA | SI8816 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 4 Microfoot | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 1.5A (TA) | 2,5 V, 10V | 109MOHM @ 1A, 10V | 1,4 V @ 250µA | 8 NC @ 10 V | ± 12V | 195 PF @ 15 V | - | 500mw (TA) | ||||
![]() | SQJ488EP-T2_GE3 | 1.3300 | ![]() | 6170 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | 1 (illimité) | 742-SQJ488EP-T2_GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 100 V | 42A (TC) | 4,5 V, 10V | 21MOHM @ 7.1A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 27 NC @ 10 V | ± 20V | 978 PF @ 50 V | - | 83W (TC) | ||||||
![]() | Sud50p08-25l-e3 | 2.6900 | ![]() | 175 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Sud50 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252aa | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal p | 80 V | 50A (TC) | 4,5 V, 10V | 25.2MOHM @ 12.5A, 10V | 3V à 250µA | 160 NC @ 10 V | ± 20V | 4700 PF @ 40 V | - | 8.3W (TA), 136W (TC) | |||||
![]() | Siha25n50e-ge3 | 3.2000 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | Emballage complet à 220 | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 500 V | 26A (TC) | 10V | 145MOHM @ 12A, 10V | 4V @ 250µA | 86 NC @ 10 V | ± 30V | 1980 PF @ 100 V | - | 35W (TC) | |||||||
![]() | VP0808B | - | ![]() | 6750 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | To-205ad, to-39-3 Métal peut | VP0808 | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-39 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | Canal p | 80 V | 880mA (TA) | 10V | 5OHM @ 1A, 10V | 4,5 V @ 1MA | ± 20V | 150 pf @ 25 V | - | 6.25W (TA) | |||||
![]() | Sud50p04-09l-e3 | 2.6600 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Sud50 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252aa | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal p | 40 V | 50A (TC) | 4,5 V, 10V | 9.4MOHM @ 24A, 10V | 3V à 250µA | 150 NC @ 10 V | ± 20V | 4800 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 136W (TC) | |||||
![]() | IRFR420 | - | ![]() | 7345 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | IRFR420 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRFR420 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal n | 500 V | 2.4a (TC) | 10V | 3OHM @ 1.4A, 10V | 4V @ 250µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||
![]() | SI4493DY-T1-E3 | - | ![]() | 2766 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4493 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 20 V | 10A (TA) | 2,5 V, 4,5 V | 7,75 mohm @ 14a, 4,5 V | 1,4 V @ 250µA | 110 NC @ 4,5 V | ± 12V | - | 1.5W (TA) | |||||
![]() | Irf9510pbf-be3 | 1.1100 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | IRF9510 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | 1 (illimité) | 742-IRF9510PBF-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal p | 100 V | 4A (TC) | 1,2 ohm @ 2,4a, 10v | 4V @ 250µA | 8,7 NC @ 10 V | ± 20V | 200 pf @ 25 V | - | 43W (TC) | ||||||
![]() | Sud50p06-15-be3 | 2.6600 | ![]() | 5178 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Sud50 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252aa | - | 1 (illimité) | 742-Sud50p06-15-Be3ct | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal p | 60 V | 50A (TC) | 4,5 V, 10V | 15MOHM @ 17A, 10V | 3V à 250µA | 165 NC @ 10 V | ± 20V | 4950 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 113W (TC) | |||||
![]() | SI7619DN-T1-GE3 | 0,8300 | ![]() | 89 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8 | Si7619 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 30 V | 24a (TC) | 4,5 V, 10V | 21MOHM @ 10.5A, 10V | 3V à 250µA | 50 NC @ 10 V | ± 20V | 1350 pf @ 15 V | - | 3,5W (TA), 27,8W (TC) | |||||
![]() | SQ2362ES-T1_GE3 | 0,6700 | ![]() | 4518 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | SQ2362 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23-3 (à 236) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 60 V | 4.3A (TC) | 10V | 95MOHM @ 4.5A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 550 pf @ 30 V | - | 3W (TC) | |||||
![]() | Irf644strlpbf | 2.3513 | ![]() | 4984 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRF644 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 250 V | 14A (TC) | 10V | 280MOHM @ 8.4A, 10V | 4V @ 250µA | 68 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | |||||
![]() | SI4456DY-T1-GE3 | 1.2758 | ![]() | 5606 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4456 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 40 V | 33A (TC) | 4,5 V, 10V | 3,8MOHM @ 20A, 10V | 2,8 V @ 250µA | 122 NC @ 10 V | ± 20V | 5670 pf @ 20 V | - | 3,5W (TA), 7,8W (TC) |
Volume de RFQ moyen quotidien
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