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Produits semi-conduurs discrètes (5717)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Sihp14n60e-be3 | 2.3600 |  | 978 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 600 V | 13A (TC) | 10V | 309MOHM @ 7A, 10V | 4V @ 250µA | 64 NC @ 10 V | ± 30V | 1205 PF @ 100 V | - | 147W (TC) | |||||||
 | Sis4604ldn-t1-ge3 | 0,9300 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8 | SIS4604 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 60 V | 15.1a (TA), 45,9a (TC) | 4,5 V, 10V | 8,9MOHM @ 10A, 10V | 3V à 250µA | 28 NC @ 10 V | ± 20V | 1180 pf @ 30 V | - | 3.6W (TA), 33,7W (TC) | |||||
 | SIZF5300DT-T1-GE3 | 2.0700 | | 6 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN V | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 12-PowerPair ™ | Sizf5300 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 4.5W (TA), 56,8W (TC) | Powerpair® 3x3fs | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) couronne source | 30V | 35A (TA), 125A (TC) | 2 43MOHM @ 10A, 10V | 2V à 250µA | 32nc @ 10v | 1480pf @ 15v | - | |||||||
 | SiDR5102EP-T1-RE3 | 2.9900 | | 4824 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN V | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sidr5102 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8DC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 100 V | 28.2A (TA), 126A (TC) | 7,5 V, 10V | 4.1MOHM @ 20A, 10V | 4V @ 250µA | 51 NC @ 10 V | ± 20V | 2850 pf @ 50 V | - | 7.5W (TA), 150W (TC) | |||||
 | Sir184ldp-t1-re3 | 1.5300 | | 40 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 60 V | 21.5A (TA), 73A (TC) | 4,5 V, 10V | 5.4MOHM @ 10A, 10V | 3V à 250µA | 41 NC @ 10 V | ± 20V | 1950 PF @ 30 V | - | 5W (TA), 56,8W (TC) | ||||||
 | SQS141ELNW-T1_GE3 | 1.0300 | | 4391 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Soutien de la surface, flanc Mouillable | PowerPak® 1212-8SLW | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8SLW | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 40 V | 101a (TC) | 4,5 V, 10V | 10MOHM @ 10A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 141 NC @ 10 V | ± 20V | 7458 PF @ 25 V | - | 192W (TC) | ||||||
 | SQJQ184E-T1_GE3 | 3 5500 | | 3708 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 8 x 8 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 8 x 8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 80 V | 430A (TC) | 10V | 1,4 mohm @ 20a, 10v | 3,5 V @ 250µA | 272 NC @ 10 V | ± 20V | 16010 PF @ 25 V | - | 600W (TC) | ||||||
 | Sisha06dn-T1-Ge3 | 1.0200 | | 12 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8SH | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8SH | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 28.1A (TA), 104A (TC) | 4,5 V, 10V | 3MOHM @ 10A, 10V | 2,4 V @ 250µA | 67 NC @ 10 V | + 20V, -16V | 3932 PF @ 15 V | - | 3.7W (TA), 52W (TC) | ||||||
 | SQ4850CEY-T1_GE3 | 1.0500 | | 8013 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | 1 (illimité) | 742-SQ4850CEY-T1_GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 60 V | 12A (TC) | 4,5 V, 10V | 22MOHM @ 6A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 34 NC @ 10 V | ± 20V | 1375 PF @ 25 V | - | 6.8W (TC) | ||||||
| SQ4401CEY-T1_GE3 | 1.2300 | | 8343 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | 1 (illimité) | 742-SQ4401CEY-T1_GE3CT | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 40 V | 17.3A (TC) | 4,5 V, 10V | 14MOHM @ 10.5A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 115 NC @ 10 V | ± 20V | 4250 PF @ 20 V | - | 7.14W (TC) | ||||||
 | Sis9634ldn-t1-ge3 | 1.2600 | | 8140 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8 Dual | SIS9634 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2.5W (TA), 17,9W (TC) | PowerPak® 1212-8 Dual | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 742-SIS9634DN-T1-GE3DKR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 60V | 6a (ta), 6a (TC) | 31MOHM @ 5A, 10V | 3V à 250µA | 11nc @ 10v | 420pf @ 30v | - | ||||||
 | SIRS4301DP-T1-GE3 | 3.4700 | | 7455 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SIRS4301 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 30 V | 53,7a (TA), 227A (TC) | 4,5 V, 10V | 1,5 mohm @ 20a, 10v | 2,3 V @ 250µA | 255 NC @ 4,5 V | ± 20V | 19750 PF @ 15 V | - | 7.4W (TA), 132W (TC) | |||||
| SQS180ELNW-T1_GE3 | 1.1200 | | 50 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Geniv | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Soutien de la surface, flanc Mouillable | PowerPak® 1212-8SLW | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8SLW | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 3 000 | Canal n | 80 V | 82A (TC) | 4,5 V, 10V | 7.1MOHM @ 10A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 68 NC @ 10 V | ± 20V | 3689 PF @ 25 V | - | 119W (TC) | ||||||||
| SQJ740EP-T1_GE3 | 1.9200 | | 50 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 Dual | MOSFET (Oxyde Métallique) | 93W (TC) | PowerPak® SO-8L Dual BWL | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 3 000 | 2 N-Canal | 40V | 123A (TC) | 3,4 mohm @ 7a, 10v | 3,5 V @ 250µA | 56nc @ 10v | 3143pf @ 25v | Standard | ||||||||||
 | SIHB150N60E-GE3 | 3.8500 | | 9880 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 1 000 | Canal n | 600 V | 22A (TC) | 10V | 158MOHM @ 10A, 10V | 5V @ 250µA | 36 NC @ 10 V | ± 30V | 1514 pf @ 100 V | - | 179W (TC) | ||||||||
 | SQRS152ELP-T1_GE3 | 1.1400 | | 7292 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8SW | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 3 000 | Canal n | 40 V | 58A (TC) | 4,5 V, 10V | 5MOHM @ 15A, 10V | 2,2 V @ 250µA | 34 NC @ 10 V | ± 20V | 1633 PF @ 25 V | - | 35W (TC) | ||||||||
| SQJ162EP-T1_GE3 | 1.3200 | | 7763 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 3 000 | Canal n | 60 V | 166a (TC) | 10V | 5MOHM @ 15A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 51 NC @ 10 V | ± 20V | 3930 pf @ 25 V | - | 250W (TC) | ||||||||
 | Siss4409dn-t1-ge3 | 1.3500 | | 4168 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8S | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8S | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 6 000 | Canal p | 40 V | 17.2a (TA), 59,2a (TC) | 4,5 V, 10V | 9MOHM @ 15A, 10V | 2,3 V @ 250µA | 126 NC @ 10 V | ± 20V | 5670 pf @ 20 V | - | 4.8W (TA), 56.8W (TC) | ||||||
 | Sijh5100e-t1-ge3 | 6.0000 | | 8964 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 8 x 8 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 8 x 8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 100 V | 28a (Ta), 277a (TC) | 7,5 V, 10V | 1 89MOHM @ 20A, 10V | 4V @ 250µA | 128 NC @ 10 V | ± 20V | 6900 pf @ 50 V | - | 3.3W (TA), 333W (TC) | ||||||
 | SIR5211DP-T1-GE3 | 0,9300 | | 8048 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 31.2A (TA), 105A (TC) | 2,5 V, 10V | 3,2MOHM @ 10A, 10V | 1,5 V @ 250µA | 158 NC @ 10 V | ± 12V | 6700 PF @ 10 V | - | 5W (TA), 56,8W (TC) | ||||||
 | SIR4409DP-T1-RE3 | 1.3100 | | 4098 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 40 V | 17.2a (TA), 60,6a (TC) | 4,5 V, 10V | 9MOHM @ 15A, 10V | 2,3 V @ 250µA | 126 NC @ 10 V | ± 20V | 5670 pf @ 20 V | - | 4.8W (TA), 59,5W (TC) | ||||||
 | Sia4446dj-t1-ge3 | 0,6800 | | 50 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SC-70-6 Double | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SC-70-6 Double | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 40 V | 13A (TA), 31A (TC) | 4,5 V, 10V | 11MOHM @ 10A, 10V | 2,4 V @ 250µA | 19 NC @ 10 V | + 20V, -16V | 915 PF @ 20 V | - | 3.5W (TA), 19.2W (TC) | ||||||
 | Irfpe40 | - | | 9320 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Irfpe40 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247AC | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRFPE40 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal n | 800 V | 5.4a (TC) | 10V | 2OHM @ 3.2A, 10V | 4V @ 250µA | 130 NC @ 10 V | ± 20V | 1900 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | |||
| SQC40016E_DFFR | 2.1000 | | 9527 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | En gros | Actif | - | - | - | SQC40016 | - | - | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 742-SQC40016E_DFFR | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | |||||||
| SQD30N05-20L_T4GE3 | 0,4851 | | 9765 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | SQD30 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252aa | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 742-SQD30N05-20L_T4GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 55 V | 30a (TC) | 4,5 V, 10V | 20mohm @ 20a, 10v | 2,5 V @ 250µA | 18 NC @ 5 V | ± 20V | 1175 PF @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||
| SQD40N10-25-T4_GE3 | 0,6985 | | 7688 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | SQD40 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252aa | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 742-SQD40N10-25-T4_GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 100 V | 40A (TC) | 4,5 V, 10V | 25MOHM @ 40A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 70 NC @ 10 V | ± 20V | 3380 pf @ 25 V | - | 136W (TC) | ||||
 | SIS472BDN-T1-GE3 | 0,6400 | | 6 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8 | SIS472 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 15.3A (TA), 38,3A (TC) | 4,5 V, 10V | 7,5 mohm @ 10a, 10v | 2,4 V @ 250µA | 21,5 NC @ 10 V | + 20V, -16V | 1000 pf @ 15 V | - | 3.2W (TA), 19.8W (TC) | |||||
 | Sihlz34s-ge3 | 0,6631 | | 2012 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Sihlz34 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 742-SIHLZ34S-GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 60 V | 30a (TC) | 4V, 5V | 50MOHM @ 18A, 5V | 2V à 250µA | 35 NC @ 5 V | ± 10V | 1600 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 88W (TC) | ||||
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