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Produits semi-conduurs discrètes (5717)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)
Siz914dt-t1-ge3	-	RFQ	2269	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-POWERWDFN	Siz914	MOSFET (Oxyde Métallique)	22,7W, 100W	8-PowerPair®	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000	2 N-Canal (Demi-pont)		30V	16a, 40a		6,4MOHM @ 19A, 10V	2,4 V @ 250µA	26nc @ 10v		1208pf @ 15v	Porte de Niveau Logique
SIR800DP-T1-RE3	0,7090	RFQ	8957	Vishay Siliconix	TRENCHFET® GEN III	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8	Sir800	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SO-8	-		1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	20 V	50A (TC)	2,5 V, 10V	2,3MOHM @ 15A, 10V	1,5 V @ 250µA	133 NC @ 10 V	± 12V	5125 PF @ 10 V	-	69W (TC)
SI8405DB-T1-E1	-	RFQ	9954	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	4-XFBGA, CSPBGA	Si8405	MOSFET (Oxyde Métallique)		4 Microfoot	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p	12 V	3.6A (TA)	1,8 V, 4,5 V	55MOHM @ 1A, 4,5 V	950 mV à 250µA	21 NC @ 4,5 V	± 8v		-	1.47W (TA)
SIS478DN-T1-GE3	-	RFQ	2526	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® 1212-8	SIS478	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® 1212-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	30 V	12A (TC)	4,5 V, 10V	20 mohm @ 8a, 10v	2,5 V @ 250µA	10,5 NC @ 10 V	± 25V	398 PF @ 15 V	-	15.6W (TC)
SQM60030E_GE3	3.8400	RFQ	9254	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	SQM60030	MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	800		Canal n	80 V	120A (TC)	10V	3,2MOHM @ 30A, 10V	3,5 V @ 250µA	165 NC @ 10 V	± 20V	12000 pf @ 25 V	-	375W (TC)
SIHG155N60EF-GE3	4.5500	RFQ	7320	Vishay Siliconix	Ef	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Sihg155	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247AC	télécharger		1 (illimité)		742-SIHG155N60EF-GE3	EAR99	8541.29.0095	500		Canal n	600 V	21A (TC)	10V	149MOHM @ 2A, 10V	5V @ 250µA	38 NC @ 10 V	± 20V	1465 PF @ 100 V	-	179W (TC)
SI4862DY-T1-E3	1.6758	RFQ	6470	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	SI4862	MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n	16 V	17a (ta)	2,5 V, 4,5 V	3,3MOHM @ 25A, 4,5 V	600 mV à 250 µA (min)	70 NC @ 4,5 V	± 8v		-	1.6W (TA)
SI2318DS-T1-BE3	0,5300	RFQ	20	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		SOT-23-3 (à 236)	télécharger		1 (illimité)		742-SI2318DS-T1-BE3TR	EAR99	8541.21.0095	3 000		Canal n	40 V	3a (ta)	4,5 V, 10V	45MOHM @ 3,9A, 10V	3V à 250µA	15 NC @ 10 V	± 20V	540 PF @ 20 V	-	750MW (TA)
IRFR220TRPBF-BE3	0,6674	RFQ	3024	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	IRFR220	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252aa	télécharger				742-IRFR220TRPBF-BE3TR	EAR99	8541.29.0095	2 000		Canal n	200 V	4.8A (TC)	10V	800mohm @ 2,9a, 10v	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	± 20V	260 pf @ 25 V	-	2.5W (TA), 42W (TC)
SIHB11N80AE-GE3	2.1800	RFQ	10	Vishay Siliconix	E	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Sihb11	MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		742-SIHB11N80AE-GE3	EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n	800 V	8A (TC)	10V	450mohm @ 5.5a, 10v	4V @ 250µA	42 NC @ 10 V	± 30V	804 PF @ 100 V	-	78W (TC)
Sihfr420a-ge3	0,3624	RFQ	9283	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Sihfr420	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252aa	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		742-SIHFR420A-GE3TR	EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	500 V	3.3A (TC)	10V	3OHM @ 1,5A, 10V	4,5 V @ 250µA	17 NC @ 10 V	± 30V	3400 pf @ 25 V	-	83W (TC)
Irfr210trrpbf	0,5880	RFQ	8328	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	IRFR210	MOSFET (Oxyde Métallique)		D-pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	200 V	2.6a (TC)	10V	1,5 ohm @ 1,6a, 10v	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	± 20V	140 pf @ 25 V	-	2.5W (TA), 25W (TC)
SUM120N04-1M7L-GE3	-	RFQ	2688	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	SUM120	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 263 (d²pak)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	800		Canal n	40 V	120A (TC)	4,5 V, 10V	17MOHM @ 30A, 10V	2,5 V @ 250µA	285 NC @ 10 V	± 20V	11685 PF @ 20 V	-	375W (TC)
SQ4917EY-T1_GE3	1.8400	RFQ	9	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	SQ4917	MOSFET (Oxyde Métallique)	5W (TC)	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	2 500	2 Canal P (double)		60V	8A (TC)		48MOHM @ 4.3A, 10V	2,5 V @ 250µA	65nc @ 10v		1910pf @ 30v	-
Sisha18Adn-T1-Ge3	0,8100	RFQ	12	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® 1212-8SH		MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® 1212-8SH	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	30 V	22A (TA), 60A (TC)	4,5 V, 10V	4,6MOHM @ 10A, 10V	2,5 V @ 250µA	33 NC @ 10 V	+ 20V, -16V	1650 pf @ 15 V	-	3,5W (TA), 26,5W (TC)
Irfbc30strl	-	RFQ	7558	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Irfbc30	MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	800		Canal n	600 V	3.6A (TC)	10V	2,2 ohm @ 2,2a, 10v	4V @ 250µA	31 NC @ 10 V	± 20V	660 pf @ 25 V	-	3.1W (TA), 74W (TC)
SI5943DU-T1-E3	-	RFQ	7896	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® Chipfet ™ Dual	SI5943	MOSFET (Oxyde Métallique)	8.3W	PowerPak® Chipfet Dual	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000	2 Canal P (double)		12V	6A		64MOHM @ 3,6A, 4,5 V	1V @ 250µA	15nc @ 8v		460pf @ 6v	Porte de Niveau Logique
SI3443CDV-T1-GE3	0,5400	RFQ	2	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Si3443	MOSFET (Oxyde Métallique)		6 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p	20 V	5.97A (TC)	2,5 V, 4,5 V	60 mOhm @ 4.7A, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	12.4 NC @ 5 V	± 12V	610 PF @ 10 V	-	2W (TA), 3,2W (TC)
Sia449dj-t1-ge3	0 4600	RFQ	1183	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SC-70-6	Sia449	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SC-70-6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p	30 V	12A (TC)	2,5 V, 10V	20 mohm @ 6a, 10v	1,5 V @ 250µA	72 NC @ 10 V	± 12V	2140 pf @ 15 V	-	3,5W (TA), 19W (TC)
SI5476DU-T1-E3	-	RFQ	1531	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® Chipfet ™ Single	SI5476	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® Chipfet ™ Single	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	60 V	12A (TC)	4,5 V, 10V	34MOHM @ 4.6A, 10V	3V à 250µA	32 NC @ 10 V	± 20V	1100 pf @ 30 V	-	3.1W (TA), 31W (TC)
SI4156DY-T1-GE3	0,9400	RFQ	2125	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	SI4156	MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n	30 V	24a (TC)	4,5 V, 10V	6MOHM @ 15.7A, 10V	2,2 V @ 250µA	42 NC @ 10 V	± 20V	1700 pf @ 15 V	-	2.5W (TA), 6W (TC)
SI3407DV-T1-BE3	0,5100	RFQ	1	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	SI3407	MOSFET (Oxyde Métallique)		6 TSOP	-		1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p	20 V	7.5A (TA), 8A (TC)	2,5 V, 4,5 V	24MOHM @ 7,5A, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	63 NC @ 10 V	± 12V	1670 PF @ 10 V	-	2W (TA), 4.2W (TC)
SI5475DDC-T1-GE3	-	RFQ	7806	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8 mm, plomb plat	SI5475	MOSFET (Oxyde Métallique)		1206-8 Chipfet ™	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p	12 V	6A (TC)	1,8 V, 4,5 V	32MOHM @ 5,4A, 4,5 V	1V @ 250µA	50 nc @ 8 V	± 8v	1600 pf @ 6 V	-	2.3W (TA), 5,7W (TC)
SIHF080N60E-GE3	4.3600	RFQ	2	Vishay Siliconix	E	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET		MOSFET (Oxyde Métallique)		Emballage complet à 220	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable		742-SIHF080N60E-GE3	EAR99	8541.29.0095	50		Canal n	600 V	14A (TC)	10V	80MOHM @ 17A, 10V	5V @ 250µA	63 NC @ 10 V	± 30V	2557 pf @ 100 V	-	35W (TC)
SI3447CDV-T1-GE3	-	RFQ	8328	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Si3447	MOSFET (Oxyde Métallique)		6 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p	12 V	7.8a (TC)	1,8 V, 4,5 V	36MOHM @ 6.3A, 4,5 V	1V @ 250µA	30 NC @ 8 V	± 8v	910 PF @ 6 V	-	2W (TA), 3W (TC)
Irfi840glc	-	RFQ	7984	Vishay Siliconix	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé	Irfi840	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	* Irfi840glc	EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n	500 V	4.5a (TC)	10V	850mohm @ 2,7a, 10v	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	± 30V	1100 pf @ 25 V	-	40W (TC)
SI3456CDV-T1-GE3	-	RFQ	9267	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	SI3456	MOSFET (Oxyde Métallique)		6 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	30 V	7.7a (TC)	4,5 V, 10V	34MOHM @ 6.1A, 10V	3V à 250µA	12 NC @ 10 V	± 20V	460 pf @ 15 V	-	2W (TA), 3,3W (TC)
SQS160ELNW-T1_GE3	1.0400	RFQ	5954	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutien de la surface, flanc Mouillable	PowerPak® 1212-8SLW	SQS160	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® 1212-8SLW	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	60 V	141a (TC)	4,5 V, 10V	4,3MOHM @ 10A, 10V	2,5 V @ 250µA	71 NC @ 10 V	± 20V	3866 PF @ 25 V	-	113W (TC)
Sis176ldn-t1-ge3	0,9400	RFQ	23	Vishay Siliconix	TRENCHFET® GEN IV	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® 1212-8		MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® 1212-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	70 V	12.9A (TA), 42.3a (TC)	3,3 V, 4,5 V	10,9MOHM @ 10A, 4,5 V	1,6 V @ 250µA	19 NC @ 4,5 V	± 12V	1660 PF @ 35 V	-	3.6W (TA), 39W (TC)
Irfibc40glc	-	RFQ	3335	Vishay Siliconix	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé	Irfibc40	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	-	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	* Irfibc40glc	EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n	600 V	3.5a (TC)	10V	1,2 ohm @ 2,1a, 10v	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	± 20V	1100 pf @ 25 V	-	40W (TC)