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Produits semi-conduurs discrètes (5717)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Tension - Dépression (V (br) GSS)	Courant - Drain (iDSS) @ VDS (VGS = 0)	Tension - coupure (VGS off) @ id
SQ2319ES-T1-GE3	-	RFQ	3302	Vishay Siliconix	-	Ruban de Coupé (CT)	Obsolète		Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	SQ2319	MOSFET (Oxyde Métallique)		SOT-23-3 (à 236)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p	40 V	4.6a (TC)		75MOHM @ 3A, 10V	2,5 V @ 250µA	16 NC @ 10 V		620 pf @ 25 V	-
Irfi530gpbf	1.9200	RFQ	973	Vishay Siliconix	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé	Irfi530	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		* Irfi530gpbf	EAR99	8541.29.0095	50		Canal n	100 V	9.7A (TC)	10V	160MOHM @ 5.8A, 10V	4V @ 250µA	33 NC @ 10 V	± 20V	670 pf @ 25 V	-	42W (TC)
SIR846ADP-T1-RE3	0,8618	RFQ	8819	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8	Sir846	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SO-8	télécharger		1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	100 V	60a (TC)	6v, 10v	7,8MOHM @ 20A, 10V	3V à 250µA	66 NC @ 10 V	± 20V	2350 pf @ 50 V	-	83W (TC)
Irfd113	-	RFQ	3407	Vishay Siliconix	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-DIP (0,300 ", 7,62 mm)	Irfd113	MOSFET (Oxyde Métallique)		4 HVMDIP	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n	60 V	800mA (TC)	10V	800MOHM @ 800mA, 10V	4V @ 250µA	7 NC @ 10 V	± 20V	200 pf @ 25 V	-	1W (TC)
Siha12n50e-e3	1.8900	RFQ	8336	Vishay Siliconix	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	Siha12	MOSFET (Oxyde Métallique)		Emballage complet à 220	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n	500 V	10.5a (TC)	10V	380MOHM @ 6A, 10V	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	± 30V	886 pf @ 100 V	-	32W (TC)
SIR424DP-T1-GE3	0,9400	RFQ	5859	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8	Sir424	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SO-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	20 V	30a (TC)	4,5 V, 10V	5,5 mohm @ 20a, 10v	2,5 V @ 250µA	35 NC @ 10 V	± 20V	1250 pf @ 10 V	-	4.8W (TA), 41,7W (TC)
Irfz48strlpbf	2.2000	RFQ	667	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger		1 (illimité)		742-irfz48strlpbftr	EAR99	8541.29.0095	800		Canal n	60 V	50A (TC)	10V	18MOHM @ 43A, 10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	± 20V	2400 pf @ 25 V	-	3.7W (TA), 190W (TC)
SISA18ADN-T1-GE3	0,6400	RFQ	45	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® 1212-8	Sisa18	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® 1212-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	30 V	38.3A (TC)	4,5 V, 10V	7,5 mohm @ 10a, 10v	2,4 V @ 250µA	21,5 NC @ 10 V	+ 20V, -16V	1000 pf @ 15 V	-	3.2W (TA), 19.8W (TC)
SI7402DN-T1-GE3	-	RFQ	2409	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® 1212-8	SI7402	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® 1212-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	12 V	13a (ta)	1,8 V, 4,5 V	5,7MOHM @ 20A, 4,5 V	850 mV à 250µA	55 NC @ 4,5 V	± 8v		-	1.5W (TA)
SI7446BDP-T1-GE3	-	RFQ	5319	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8	SI7446	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SO-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	30 V	12A (TA)	4,5 V, 10V	7,5 mohm @ 19a, 10v	3V à 250µA	33 NC @ 5 V	± 20V	3076 PF @ 15 V	-	1.9W (TA)
Irf9540strl	-	RFQ	7576	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	IRF9540	MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	800		Canal p	100 V	19A (TC)	10V	200 mohm @ 11a, 10v	4V @ 250µA	61 NC @ 10 V	± 20V	1400 pf @ 25 V	-	3.7W (TA), 150W (TC)
SI4544DY-T1-E3	-	RFQ	1331	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	SI4544	MOSFET (Oxyde Métallique)	2,4 W	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500	N et p canal, draine commun		30V	-		35MOHM @ 6.5A, 10V	1V @ 250µA (min)	35nc @ 10v		-	Porte de Niveau Logique
SI4933DY-T1-GE3	-	RFQ	1767	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	Si4933	MOSFET (Oxyde Métallique)	1.1W	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500	2 Canal P (double)		12V	7.4a		14MOHM @ 9.8A, 4,5 V	1V @ 500µA	70nc @ 4,5 V		-	Porte de Niveau Logique
IRL640PBF-BE3	2.4800	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	IRL640	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220ab	-		1 (illimité)		742-irl640pbf-be3	EAR99	8541.29.0095	50		Canal n	200 V	17A (TC)	4V, 5V	180mohm @ 10a, 5v	2V à 250µA	66 NC @ 5 V	± 10V	1800 pf @ 25 V	-	125W (TC)
Siss06DN-T1-GE3	1.1400	RFQ	2	Vishay Siliconix	TRENCHFET® GEN IV	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® 1212-8S	Siss06	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® 1212-8S	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	30 V	47.6a (TA), 172.6a (TC)	4,5 V, 10V	1,38MOHM @ 15A, 10V	2,2 V @ 250µA	77 NC @ 10 V	+ 20V, -16V	3660 pf @ 15 V	-	5W (TA), 65,7W (TC)
SQD50N04-4M5L_GE3	2.4400	RFQ	8132	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	SQD50	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252aa	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	2 000		Canal n	40 V	50A (TC)	4,5 V, 10V	3,5 mohm @ 20a, 10v	2,5 V @ 250µA	130 NC @ 10 V	± 20V	5860 pf @ 25 V	-	136W (TC)
IRFU110	-	RFQ	7158	Vishay Siliconix	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa	IRFU1	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 251aa	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	* IRFU110	EAR99	8541.29.0095	75		Canal n	100 V	4.3A (TC)	10V	540mohm @ 900mA, 10V	4V @ 250µA	8.3 NC @ 10 V	± 20V	180 pf @ 25 V	-	25W (TC)
SIHA15N60E-E3	3.0700	RFQ	11	Vishay Siliconix	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	Siha15	MOSFET (Oxyde Métallique)		Emballage complet à 220	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n	600 V	15A (TC)	10V	280MOHM @ 8A, 10V	4V @ 250µA	76 NC @ 10 V	± 30V	1350 pf @ 100 V	-	34W (TC)
Sia430dj-t4-ge3	-	RFQ	9778	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SC-70-6	Sia430	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SC-70-6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	20 V	12A (TA), 12A (TC)	4,5 V, 10V	13,5MOHM @ 7A, 10V	3V à 250µA	18 NC @ 10 V	± 20V	800 pf @ 10 V	-	3.5W (TA), 19.2W (TC)
Irfr120trpbf	1.5800	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	IRFR120	MOSFET (Oxyde Métallique)		D-pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	2 000		Canal n	100 V	7.7a (TC)	10V	270MOHM @ 4.6A, 10V	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	± 20V	360 pf @ 25 V	-	2.5W (TA), 42W (TC)
SI5475BDC-T1-GE3	-	RFQ	6911	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8 mm, plomb plat	SI5475	MOSFET (Oxyde Métallique)		1206-8 Chipfet ™	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p	12 V	6a (ta)	1,8 V, 4,5 V	28MOHM @ 5.6A, 4,5 V	1V @ 250µA	40 NC @ 8 V	± 8v	1400 pf @ 6 V	-	2.5W (TA), 6,3W (TC)
Irfbc20spbf	2.9100	RFQ	4392	Vishay Siliconix	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Irfbc20	MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n	600 V	2.2a (TC)	10V	4.4OHM @ 1.3A, 10V	4V @ 250µA	18 NC @ 10 V	± 20V	350 pf @ 25 V	-	3.1W (TA), 50W (TC)
SI7862ADP-T1-E3	2.2903	RFQ	9686	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8	SI7862	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SO-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	16 V	18A (TA)	2,5 V, 4,5 V	3MOHM @ 29A, 4,5 V	2V à 250µA	80 NC @ 4,5 V	± 8v	7340 PF @ 8 V	-	1.9W (TA)
SI3900DV-T1-GE3	0,9700	RFQ	3978	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Si3900	MOSFET (Oxyde Métallique)	830mw	6 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.21.0095	3 000	2 Canaux N (double)		20V	2A		125 mohm @ 2,4a, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	4nc @ 4,5 V		-	Porte de Niveau Logique
SQ3419AEEV-T1_BE3	0,7000	RFQ	3910	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6		MOSFET (Oxyde Métallique)		6 TSOP	télécharger		1 (illimité)		742-SQ3419AEV-T1_BE3TR	EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p	40 V	6.9a (TC)	4,5 V, 10V	61MOHM @ 2,5A, 10V	2,5 V @ 250µA	12,5 NC @ 4,5 V	± 12V	975 PF @ 20 V	-	5W (TC)
Irfz34strl	-	RFQ	6769	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Irfz34	MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	800		Canal n	60 V	30a (TC)	10V	50MOHM @ 18A, 10V	4V @ 250µA	46 NC @ 10 V	± 20V	1200 pf @ 25 V	-	3.7W (TA), 88W (TC)
Sir632dp-t1-re3	1.3900	RFQ	3	Vishay Siliconix	Thunderfet®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8	Sir632	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SO-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	150 V	29A (TC)	7,5 V, 10V	34,5 mohm @ 10a, 10v	4V @ 250µA	17 NC @ 7,5 V	± 20V	740 PF @ 75 V	-	69,5W (TC)
Irf840lpbf	1.6170	RFQ	2118	Vishay Siliconix	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	IRF840	MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n	500 V	8A (TC)	10V	850mohm @ 4.8a, 10v	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	± 20V	1300 pf @ 25 V	-	125W (TC)
2N4416-E3	-	RFQ	6275	Vishay Siliconix	-	En gros	Obsolète	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	To-206af, to-72-4 Metal Can	2N4416		300 MW	To-206af (to-72)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	200		Canal n								4pf @ 15v			30 V	5 ma @ 15 V	3 V @ 1 na
SI7423DN-T1-GE3	1.5900	RFQ	3	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® 1212-8	Si7423	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® 1212-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p	30 V	7.4a (TA)	4,5 V, 10V	18MOHM @ 11.7A, 10V	3V à 250µA	56 NC @ 10 V	± 20V		-	1.5W (TA)