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Produits semi-conduurs discrètes (5717)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)
IRlr110trlpbf	-	RFQ	3805	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	IRLR110	MOSFET (Oxyde Métallique)		D-pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	100 V	4.3A (TC)	4V, 5V	540 mOhm @ 2,6a, 5v	2V à 250µA	6.1 NC @ 5 V	± 10V	250 pf @ 25 V	-	2.5W (TA), 25W (TC)
Irfp360pbf	5.0700	RFQ	22	Vishay Siliconix	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Irfp360	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247AC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		* Irfp360pbf	EAR99	8541.29.0095	25		Canal n	400 V	23A (TC)	10V	200 mohm @ 14a, 10v	4V @ 250µA	210 NC @ 10 V	± 20V	4500 pf @ 25 V	-	280W (TC)
Irf730alpbf	-	RFQ	7830	Vishay Siliconix	-	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa	IRF730	MOSFET (Oxyde Métallique)		I2pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n	400 V	5.5A (TC)	10V	1OHM @ 3,3A, 10V	4,5 V @ 250µA	22 NC @ 10 V	± 30V	600 pf @ 25 V	-	74W (TC)
Sup60061el-ge3	3.8300	RFQ	4336	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220ab	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		742-SUP60061EL-GE3	EAR99	8541.29.0095	500		Canal p	80 V	150a (TC)	4,5 V, 10V	5,8MOHM @ 20A, 10V	2,5 V @ 250µA	218 NC @ 10 V	± 20V	9600 PF @ 40 V	-	375W (TC)
SQS405en-T1_GE3	1.1100	RFQ	23	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Ruban Adhésif (tr)	Acheter la Dernière	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® 1212-8	SQS405	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® 1212-8	télécharger		1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p	12 V	16A (TC)	2,5 V, 4,5 V	20 mohm @ 13,5a, 4,5 V	1V @ 250µA	75 NC @ 8 V	± 8v	2650 pf @ 6 V	-	39W (TC)
SI7980DP-T1-E3	-	RFQ	2807	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8 Dual	SI7980	MOSFET (Oxyde Métallique)	19.8W, 21.9W	PowerPak® SO-8 Dual	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000	2 N-Canal (Demi-pont)		20V	8a		22MOHM @ 5A, 10V	2,5 V @ 250µA	27nc @ 10v		1010pf @ 10v	-
SQD40061EL-T4_GE3	2.3400	RFQ	3303	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252aa	télécharger		1 (illimité)		742-SQD40061EL-T4_GE3TR	EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal p	40 V	100A (TC)	4,5 V, 10V	5.1MOHM @ 30A, 10V	2,5 V @ 250µA	280 NC @ 10 V	± 20V	14500 pf @ 25 V	-	107W (TC)
Irf9640strrpbf	3.4500	RFQ	6	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	IRF9640	MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	800		Canal p	200 V	11a (TC)	10V	500MOHM @ 6.6A, 10V	4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	± 20V	1200 pf @ 25 V	-	125W (TC)
Sija54dp-t1-ge3	1.1100	RFQ	3271	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8	Sija54	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SO-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	40 V	60a (TC)	4,5 V, 10V	2 35 mohm @ 15a, 10v	2,4 V @ 250µA	104 NC @ 10 V	+ 20V, -16V	5300 pf @ 20 V	-	36,7W (TC)
Irf620spbf	2.0400	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	IRF620	MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		* IRF620SPBF	EAR99	8541.29.0095	50		Canal n	200 V	5.2a (TC)	10V	800MOHM @ 3.1A, 10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	± 20V	260 pf @ 25 V	-	3W (TA), 50W (TC)
SI7358ADP-T1-GE3	-	RFQ	8115	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8	SI7358	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SO-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	30 V	14A (TA)	4,5 V, 10V	4.2MOHM @ 23A, 10V	3V à 250µA	40 NC @ 4,5 V	± 20V	4650 pf @ 15 V	-	1.9W (TA)
SI3850ADV-T1-E3	-	RFQ	9771	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Si3850	MOSFET (Oxyde Métallique)	1.08W	6 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000	N et p canal, draine commun		20V	1.4a, 960mA		300mohm @ 500mA, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	1.4NC @ 4,5 V		-	Porte de Niveau Logique
SQJA70EP-T1_GE3	0,8300	RFQ	2002	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8	SQJA70	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SO-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	100 V	14.7A (TC)	10V	95MOHM @ 4A, 10V	3,5 V @ 250µA	7 NC @ 10 V	± 20V	220 pf @ 25 V	-	27W (TC)
Irfu020pbf	-	RFQ	7436	Vishay Siliconix	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa	Irfu	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 251aa	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	* IRFU020PBF	EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	60 V	14A (TC)	10V	100MOHM @ 8,4A, 10V	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	± 20V	640 PF @ 25 V	-	2.5W (TA), 42W (TC)
SI2325DS-T1-BE3	1 0000	RFQ	6815	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		SOT-23-3 (à 236)	télécharger		1 (illimité)		742-SI2325DS-T1-BE3TR	EAR99	8541.21.0095	3 000		Canal p	150 V	530mA (TA)	6v, 10v	1,2 ohm @ 500mA, 10V	4,5 V @ 250µA	12 NC @ 10 V	± 20V	510 PF @ 25 V	-	750MW (TA)
IRL520S	-	RFQ	1668	Vishay Siliconix	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	IRL520	MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	* IRL520S	EAR99	8541.29.0095	50		Canal n	100 V	9.2a (TC)	4V, 5V	270MOHM @ 5.5A, 5V	2V à 250µA	12 NC @ 5 V	± 10V	490 pf @ 25 V	-	3.7W (TA), 60W (TC)
SQJ202EP-T2_GE3	1.3300	RFQ	3	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8 Dual	SQJ202	MOSFET (Oxyde Métallique)	27W (TC), 48W (TC)	PowerPak® SO-8 Double asymétrique	télécharger		1 (illimité)		742-SQJ202EP-T2_GE3TR	EAR99	8541.29.0095	3 000	2 Canaux N (double)		12V	20A (TC), 60A (TC)		6,5MOHM @ 15A, 10V, 3,3MOHM @ 20A, 10V	2V à 250µA	22nc @ 10v, 54nc @ 10v		975pf @ 6v, 2525pf @ 6v	-
SI4196DY-T1-GE3	-	RFQ	1559	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	SI4196	MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n	20 V	8A (TC)	1,8 V, 4,5 V	27MOHM @ 8A, 4,5 V	1V @ 250µA	22 NC @ 8 V	± 8v	830 pf @ 10 V	-	2W (TA), 4.6W (TC)
Irfr9010trlpbf	0,6468	RFQ	5029	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	IRFR9010	MOSFET (Oxyde Métallique)		D-pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p	50 V	5.3A (TC)	10V	500MOHM @ 2,8A, 10V	4V @ 250µA	9.1 NC @ 10 V	± 20V	240 pf @ 25 V	-	25W (TC)
SIB912DK-T1-GE3	0,5100	RFQ	75	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SC-75-6L Dual	SIB912	MOSFET (Oxyde Métallique)	3.1W	PowerPak® SC-75-6L Dual	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000	2 Canaux N (double)		20V	1.5a		216MOHM @ 1.8A, 4,5 V	1V @ 250µA	3NC @ 8V		95pf @ 10v	Porte de Niveau Logique
SI3457CDV-T1-GE3	0,5400	RFQ	5	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	SI3457	MOSFET (Oxyde Métallique)		6 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p	30 V	5.1a (TC)	4,5 V, 10V	74MOHM @ 4.1A, 10V	3V à 250µA	15 NC @ 10 V	± 20V	450 pf @ 15 V	-	2W (TA), 3W (TC)
SQD50P04-09L_T4GE3	0,6985	RFQ	5834	Vishay Siliconix	Thunderfet®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	SQD50	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252aa	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		742 SQD50P04-09L_T4GE3TR	EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal p	40 V	50A (TC)	4,5 V, 10V	9.4MOHM @ 17A, 10V	2,5 V @ 250µA	155 NC @ 10 V	± 20V	6675 PF @ 20 V	-	136W (TC)
SI3445DV-T1-E3	-	RFQ	7764	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Si3445	MOSFET (Oxyde Métallique)		6 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p	8 V	5.6A (TA)	1,8 V, 4,5 V	42MOHM @ 5.6A, 4,5 V	1V @ 250µA	25 NC @ 4,5 V	± 8v		-	2W (ta)
IRl640strlpbf	2.3000	RFQ	110	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	IRL640	MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	800		Canal n	200 V	17A (TC)	4V, 5V	180mohm @ 10a, 5v	2V à 250µA	66 NC @ 5 V	± 10V	1800 pf @ 25 V	-	3.1W (TA), 125W (TC)
IRFP054	-	RFQ	1317	Vishay Siliconix	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	IRFP054	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247AC	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	* IRFP054	EAR99	8541.29.0095	500		Canal n	60 V	70A (TC)	10V	14MOHM @ 54A, 10V	4V @ 250µA	160 NC @ 10 V	± 20V	4500 pf @ 25 V	-	230W (TC)
IRFR9024	-	RFQ	1320	Vishay Siliconix	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	IRFR9024	MOSFET (Oxyde Métallique)		D-pak	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	* IRFR9024	EAR99	8541.29.0095	75		Canal p	60 V	8.8A (TC)	10V	280mohm @ 5.3a, 10v	4V @ 250µA	19 NC @ 10 V	± 20V	570 pf @ 25 V	-	2.5W (TA), 42W (TC)
Irfz48r	-	RFQ	6729	Vishay Siliconix	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Irfz48	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220ab	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	* Irfz48r	EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n	60 V	50A (TC)	10V	18MOHM @ 43A, 10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	± 20V	2400 pf @ 25 V	-	190W (TC)
SIB417DK-T1-GE3	-	RFQ	7334	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SC-75-6	SIB417	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SC-75-6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p	8 V	9A (TC)	1,2 V, 4,5 V	52MOHM @ 5.6A, 4,5 V	1V @ 250µA	12.75 NC @ 5 V	± 5V	675 PF @ 4 V	-	2.4W (TA), 13W (TC)
SIB441EDK-T1-GE3	0 4600	RFQ	8356	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SC-75-6	Sib441	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SC-75-6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p	12 V	9A (TC)	1,5 V, 4,5 V	25,5 mohm @ 4a, 4,5 V	900 mV à 250 µA	33 NC @ 8 V	± 8v	1180 pf @ 6 V	-	2.4W (TA), 13W (TC)
SQ4005EY-T1_GE3	1.0100	RFQ	5	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	SQ4005	MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger		1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal p	12 V	15A (TC)	2,5 V, 4,5 V	22MOHM @ 13.5A, 4,5 V	1V @ 250µA	38 NC @ 4,5 V	± 8v	3600 pf @ 6 V	-	6W (TC)