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Produits semi-conduurs discrètes (41)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tension - note	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Fréquence	Technologie	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Vitre	Taper fet	Évaluation Actullelle (AMPS)	Puisance - Sortie	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Silhouette	Configuration de diode	Tension - DC inverse (VR) (max)	COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Tension - test
Ixfk44n50f	-	RFQ	6527	Ixys-rf	Hiperrf ™	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 264-3, à 264aa	Ixfk44		MOSFET (Oxyde Métallique)	À 264aa	télécharger		1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	25			Canal n				500 V	44a (TC)	10V	120 MOHM @ 22A, 10V	5,5 V @ 4mA	156 NC @ 10 V	± 20V	5500 pf @ 25 V	-	500W (TC)
Ixzr16n60	-	RFQ	6904	Ixys-rf	Z-MOS ™	Tube	Obsolète	600 V			À 247-3		65 MHz	Mosfet	Plus247 ™ -3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	30	Canal n			18a	350W	23 dB											-
Ss275ti12205	-	RFQ	5189	Ixys-rf	-	Tube	Obsolète			Support de surface	Padle exposée à un plomb plomb à 6 md	SS275		Sic (Carbure de Silicium) Schottky	DE275	télécharger		1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	30		Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)																3 indépendant	1200 V	5A	1,8 V @ 5 A	0 ns	200 µA à 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C
475-501N44A-00	-	RFQ	2270	Ixys-rf	De	Tube	Obsolète	500 V			Padle exposée à un plomb plomb à 6 md	475-501N	-	Mosfet	DE475	télécharger		1 (illimité)	Atteindre Affeté	DE475-501N44A-00	EAR99	8541.29.0095	20	Canal n			48a	1800W	-											-
DE150-102N02A	-	RFQ	6942	Ixys-rf	De	Tube	Obsolète	1000 V			Padle exposée à un plomb plomb à 6 md	DE150	-	Mosfet	DE150	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	8541.29.0095	40	Canal n			2A	200W	-											-
275-101N30A-00	-	RFQ	8946	Ixys-rf	De	Tube	Obsolète	100 V			Padle exposée à un plomb plomb à 6 md	275-101	-	Mosfet	DE275	télécharger		1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	8541.29.0095	30	Canal n			30A	550W	-											-
375-102N15A-00	-	RFQ	3354	Ixys-rf	De	Tube	Obsolète	1000 V			Padle exposée à un plomb plomb à 6 md	375-102	-	Mosfet	DE375	télécharger		1 (illimité)	Atteindre Affeté	DE375-102N15A-00	EAR99	8541.29.0095	25	Canal n			15A	940W	-											-
275-201N25A-00	-	RFQ	6984	Ixys-rf	De	Tube	Obsolète	200 V			Padle exposée à un plomb plomb à 6 md	275-201	-	Mosfet	DE275	télécharger		1 (illimité)	Atteindre Affeté	DE275-201N25A-00	EAR99	8541.29.0095	30	Canal n			25A	590W	-											-
Ss150ti60110	-	RFQ	1132	Ixys-rf	-	Tube	Obsolète			Support de surface	Padle exposée à un plomb plomb à 6 md	SS150		Sic (Carbure de Silicium) Schottky	DE150	télécharger		1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	40		Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)																3 indépendant	600 V	10A	1,8 V @ 5 A	0 ns	50 µA à 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C
475-102N20-00	-	RFQ	2181	Ixys-rf	De	Tube	Obsolète	1000 V			Padle exposée à un plomb plomb à 6 md	475-102N	-	Mosfet	DE475	télécharger		1 (illimité)	Atteindre Affeté	DE475-102N20-00	EAR99	8541.29.0095	20	Canal n			20A	1800W	-											-
IXZ316N60	-	RFQ	2656	Ixys-rf	Z-MOS ™	Tube	Obsolète	600 V			Padle exposée à un plomb plomb à 6 md		65 MHz	Mosfet	DE375	télécharger		1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	25	Canal n			18a	880W	23 dB											-								100 V