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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BYT56B | 0,4950 | ![]() | 6104 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tape & Box (TB) | Actif | Par le trou | SOD-64, axial | BYT56 | Avalanche | SOD-64 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 12 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 1,4 V @ 3 A | 100 ns | 5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | |||||||||
VS-12TQ035-M3 | 0,5470 | ![]() | 7785 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 | 12TQ035 | Schottky | À 220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 35 V | 710 MV @ 30 A | 1,75 Ma @ 35 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 15A | 900pf @ 5v, 1MHz | |||||||||||
![]() | VS-6EWL06FN-M3 | 0,9200 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Fred PT® | Tube | Actif | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | 6ewl06 | Standard | D-pak (à 252aa) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | VS-6EWL06FN-M3GI | EAR99 | 8541.10.0080 | 75 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,25 V @ 6 A | 154 ns | 5 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 6A | - | ||||||||
![]() | TZS4687B-GS08 | - | ![]() | 7956 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | ± 5% | 175 ° C | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | TZS4687 | 500 MW | SOD-80 MINMEL | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0050 | 2 500 | 1,1 V @ 200 mA | 4 µA @ 2 V | 4.3 V | |||||||||||||
![]() | 42CTQ030S | - | ![]() | 6510 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tube | Obsolète | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | 42CTQ | Schottky | À 263ab (d²pak) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 30 V | 20A | 480 MV @ 20 A | 3 Ma @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | SS2PH10-E3 / 85A | - | ![]() | 9046 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | ESMP® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | DO-220AA | Ss2ph10 | Schottky | DO-220AA (SMP) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 800 mV @ 2 A | 1 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 2A | 65pf @ 4v, 1MHz | ||||||||||
70U120D | - | ![]() | 9459 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | En gros | Obsolète | Soutien | DO-205AB, DO-9, Stud | 70U120 | Standard | DO-205AB (DO-9) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 12 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1200 V | 1,3 V @ 785 A | 60 mA @ 1200 V | -40 ° C ~ 200 ° C | 250a | - | |||||||||||
![]() | Gp10w-m3 / 54 | - | ![]() | 3572 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | GP10 | Standard | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 5 500 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1500 V | 1.1 V @ 1 A | 3 µs | 5 µA @ 1500 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 5pf @ 4v, 1mhz | |||||||||
![]() | Vs-50wq04fntrhm3 | 0,9839 | ![]() | 5755 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | 50WQ04 | Schottky | D-pak (à 252aa) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | Vs50wq04fntrhm3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 40 V | 510 MV @ 5 A | 3 Ma @ 40 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 5.5a | 405pf @ 5v, 1MHz | |||||||||
![]() | Plz24b-hg3_a / h | 0,3600 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, PLZ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 3% | 150 ° C | Support de surface | Do-219AC | Plz24 | 500 MW | DO-219AC (microsmf) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 4 500 | 900 mV @ 10 mA | 200 na @ 19 V | 23.19 V | 35 ohms | |||||||||||
![]() | VS-MURB1520PBF | - | ![]() | 2162 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Fred PT® | Tube | Abandonné à sic | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MURB1520 | Standard | À 263ab (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1.05 V @ 15 A | 35 ns | 10 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 15A | - | |||||||||
![]() | VS-40HFL40S02 | 12.3400 | ![]() | 100 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AB, DO-5, Stud | 40HFL40 | Standard | DO-203AB (DO-5) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1,95 V @ 40 A | 200 ns | 100 µA @ 400 V | -40 ° C ~ 125 ° C | 40a | - | |||||||||
![]() | Bzx55f8v2-tap | - | ![]() | 1010 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | ± 1% | 175 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | Bzx55 | 500 MW | Do-35 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,5 V @ 200 mA | 100 na @ 6,2 V | 8.2 V | 7 ohms | |||||||||||
![]() | Mbrf1645he3_a / p | 0,7920 | ![]() | 3930 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | Par le trou | To-220-2 EXCEPLAGE, ONGLET ISOLÉ | Schottky | ITO-220AC | télécharger | Atteindre non affecté | 112-MBRF1645HE3_A / P | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 45 V | 630 MV @ 16 A | 200 µA @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 16A | - | ||||||||||||
VS-20TQ045-M3 | 1.4100 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 | 20TQ045 | Schottky | À 220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 45 V | 730 MV @ 40 A | 2,7 Ma @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 20A | 1400pf @ 5v, 1MHz | |||||||||||
![]() | NSF8JT-E3 / 45 | - | ![]() | 9564 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tube | Obsolète | Par le trou | To-220-2 EXCEPLAGE, ONGLET ISOLÉ | NSF8 | Standard | ITO-220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1.1 V @ 8 A | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8a | - | ||||||||||
![]() | 121NQ040 | - | ![]() | 6949 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | D-67 Half-Pak | 121NQ040 | Schottky | D-67 Half-Pak | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * 121NQ040 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 40 V | 650 MV @ 120 A | 10 ma @ 40 V | 120a | 5200pf @ 5v, 1 MHz | ||||||||||
![]() | BZG05B3V6-HM3-18 | 0.2079 | ![]() | 9368 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, BZG05B-M | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 1,94% | 150 ° C (TJ) | Support de surface | DO-214AC, SMA | Bzg05b3v6 | 1,25 W | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 6 000 | 1,2 V @ 200 mA | 20 µA @ 1 V | 3,6 V | 20 ohms | |||||||||||
Zmy8v2-gs08 | 0,4200 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | 175 ° C | Support de surface | DO-213AB, MELF (VERRE) | Zmy8v2 | 1 W | DO-213AB | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 500 | 500 na @ 6 V | 8.2 V | 2 ohms | |||||||||||||
![]() | Gf1ghe3 / 67a | - | ![]() | 8980 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | SuperECTIFIER® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | DO-214BA | Gf1 | Standard | DO-214BA (GF1) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 500 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1.1 V @ 1 A | 2 µs | 5 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | |||||||||
10TQ045 | - | ![]() | 9962 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tube | Obsolète | Par le trou | À 220-2 | 10TQ045 | Schottky | À 220AC | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 45 V | 760 MV @ 10 A | 6 Ma @ 45 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 10A | - | |||||||||||
![]() | VS-VSUD200CH40PBF | 37.5095 | ![]() | 6231 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | * | En gros | Actif | Vsud200 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | VSVSUD200CH40PBF | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | ||||||||||||||||||||
![]() | 30eph03 | - | ![]() | 7700 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Fred PT® | Tube | Obsolète | Par le trou | À 247-2 | 30eph03 | Standard | À 247AC Modifié | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 300 V | 1,25 V @ 30 A | 55 ns | 60 µA à 300 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 30A | - | |||||||||
![]() | RS3K-E3 / 9AT | 0,6600 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AB, SMC | Rs3k | Standard | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 800 V | 1,3 V @ 2,5 A | 500 ns | 10 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 34pf @ 4v, 1mhz | |||||||||
![]() | VS-10ETF12STRR-M3 | 0,9834 | ![]() | 4457 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | 10etf12 | Standard | À 263ab (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1200 V | 1,33 V @ 10 A | 310 ns | 100 µA à 1200 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | |||||||||
![]() | Vs-10wq045fnpbf | - | ![]() | 9019 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tube | Obsolète | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | 10WQ045 | Schottky | D-pak (à 252aa) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 75 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 45 V | 630 mV @ 10 a | 1 ma @ 45 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 10A | 760pf @ 5v, 1MHz | ||||||||||
Gi910-e3 / 54 | - | ![]() | 9504 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Par le trou | DO-201D, axial | Gi910 | Standard | Do-201Dad | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1400 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 1,25 V @ 3 A | 750 ns | 10 µA @ 50 V | -50 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||
![]() | 1N5620GPHE3 / 73 | - | ![]() | 6819 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | SuperECTIFIER® | Ruban de Coupé (CT) | Obsolète | Par le trou | DO-204AC, DO-15, axial | 1N5620 | Standard | DO-204AC (DO-15) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 800 V | 1,2 V @ 1 A | 2 µs | 500 na @ 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 20pf @ 12v, 1mhz | |||||||||
![]() | VS-1N3672A | - | ![]() | 2398 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AA, DO-4, Stud | 1N3672 | Standard | DO-203AA (DO-4) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 900 V | 1,35 V @ 12 A | 700 µA @ 900 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 12A | - | ||||||||||
HFA25TB60 | - | ![]() | 3269 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Hexfred® | Tube | Obsolète | Par le trou | À 220-2 | HFA25 | Standard | À 220AC | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,7 V @ 25 A | 75 ns | 20 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 25A | - |
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