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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Structure | Ensemble de Périphériques du Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Courant - Hold (IH) (Max) | Tension - Hors de l'ÉTAT | COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) | Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max) | COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM) | Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max) | Tension - À l'ÉTAT (VTM) (Max) | COURANT - À L'ÉTAT (IT (AV)) (Max) | COURANT - OFF L'ÉTAT (MAX) | Type Scr | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Nombre de Scr, Diodes | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) |
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![]() | Vs-1110m | 113.6556 | ![]() | 2268 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C | Châssis, montage | To-209AC, to-94-4, Étalon | 111RKI120 | To-209AC (to-94) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | VS111RKI120M | EAR99 | 8541.30.0080 | 25 | 200 mA | 1,2 kV | 172 A | 2 V | 1750a, 1830a | 120 mA | 1,57 V | 110 A | 20 mA | Norme de rénovation | |||||||||||||||||||
![]() | VS-40HF100M | 15.5773 | ![]() | 9830 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AB, DO-5, Stud | 40HF100 | Standard | DO-203AB (DO-5) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | VS40HF100M | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO) | 1000 V | 1,3 V @ 125 A | -65 ° C ~ 190 ° C | 40a | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | Mur120-e3 / 54 | - | ![]() | 3329 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Par le trou | DO-204AC, DO-15, axial | MUR120 | Standard | DO-204AC (DO-15) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 4 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 875 MV @ 1 A | 35 ns | 2 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | VS-20ETS12FP-M3 | 2.9200 | ![]() | 518 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 EXCHET | 20ets12 | Standard | À 220-2 EXCHET | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1200 V | 1,3 V @ 20 A | 95 ns | 100 µA à 1200 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 20A | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5240C-HE3-18 | 0,0454 | ![]() | 3149 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Acheter la Dernière | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SOD-123 | MMSZ5240 | 500 MW | SOD-123 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 3 µA @ 8 V | 10 V | 17 ohms | |||||||||||||||||||||||||
DZ23C12-HE3-08 | 0,3300 | ![]() | 29 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, DZ23 | Ruban Adhésif (tr) | Acheter la Dernière | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | DZ23 | 300 MW | SOT-23-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1 paire la commune de cathode | 100 na @ 9 V | 12 V | 20 ohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-T90ria20 | 36.5300 | ![]() | 7117 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | D-55 T-Module | T90 | Célibataire | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.30.0080 | 10 | 200 mA | 200 V | 141 A | 2,5 V | 1780a, 1870a | 120 mA | 90 A | 1 SCR | ||||||||||||||||||||||
![]() | VS-50ria20 | 15.6500 | ![]() | 93 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C | Châssis, montage | To-208AC, to-65-3, Étalon | 50ri20 | To-208AC (to-65) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.30.0080 | 100 | 200 mA | 200 V | 80 A | 2,5 V | 1430a, 1490a | 100 mA | 1,6 V | 50 a | 15 mA | Norme de rénovation | ||||||||||||||||||||
![]() | Vs-8eth06-1pbf | - | ![]() | 2508 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Fred PT® | Tube | Abandonné à sic | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | 8eth06 | Standard | À 262-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 2,4 V @ 8 A | 25 ns | 50 µA à 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 8a | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | SE20PAJ-M3 / I | 0,4100 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-220AA | SE20 | Standard | DO-220AA (SMP) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 500 | Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1.05 V @ 2 A | 1,2 µs | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1.6a | 13pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||
![]() | LL103C-GS18 | 0,4300 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | LL103 | Schottky | SOD-80 MINMEL | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 10 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 20 V | 600 mV @ 200 mA | 10 ns | 5 µA @ 10 V | 125 ° C (max) | 200m | 50pf @ 0v, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
SB320-E3 / 73 | - | ![]() | 9158 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tape & Box (TB) | Actif | Par le trou | DO-201D, axial | SB320 | Schottky | Do-201Dad | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 20 V | 490 MV @ 3 A | 500 µA @ 20 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-T70HF80 | 28.4620 | ![]() | 8945 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | D-55 T-Module | T70 | Standard | D-55 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO) | 800 V | 15 mA @ 800 V | 70a | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Tzx6v8d-tap | 0,2300 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, TZX | Ruban de Coupé (CT) | Actif | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | Tzx6v8 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,5 V @ 200 mA | 1 µA à 3,5 V | 6,8 V | 15 ohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52B6V8-E3-18 | 0,0415 | ![]() | 1513 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Bzt52 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SOD-123 | Bzt52b6v8 | 410 MW | SOD-123 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 100 na @ 3 V | 6,8 V | 4,5 ohms | |||||||||||||||||||||||||
AZ23B27-HE3_A-18 | - | ![]() | 9645 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, AZ23 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23-3 | télécharger | 112-AZ23B27-HE3_A-18TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 paire Commune d'anode | 50 na @ 18,9 V | 27 V | 80 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYW74TR | 0,5346 | ![]() | 5967 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Par le trou | SOD-64, axial | BYW74 | Avalanche | SOD-64 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 12 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1.1 V @ 3 A | 200 ns | 5 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | ||||||||||||||||||||||
AZ23B4V3-E3-18 | 0,0509 | ![]() | 9132 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | AZ23 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | Az23b4v3 | 300 MW | SOT-23-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1 paire Commune d'anode | 4.3 V | 95 ohms | ||||||||||||||||||||||||||
VS-20TQ045-M3 | 1.4100 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 | 20TQ045 | Schottky | À 220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 45 V | 730 MV @ 40 A | 2,7 Ma @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 20A | 1400pf @ 5v, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-HFA30TA60CS-M3 | 1.9300 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Hexfred® | Tube | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Hfa30 | Standard | À 263ab (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 600 V | 15A (DC) | 2 V @ 30 A | 60 ns | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||
![]() | VS-70HFR60 | 11.1800 | ![]() | 9739 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AB, DO-5, Stud | 70hfr60 | Polateté Standard et inverse | DO-203AB (DO-5) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,35 V @ 220 A | 9 ma @ 600 V | -65 ° C ~ 180 ° C | 70a | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | VS-15CTQ040-1PBF | - | ![]() | 6285 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Abandonné à sic | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | 15CTQ040 | Schottky | À 262-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | VS15CTQ0401PBF | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 40 V | 15A | 700 mV @ 15 A | 800 µA @ 40 V | 150 ° C (max) | ||||||||||||||||||||||
![]() | HFA240NJ40C | - | ![]() | 9279 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Hexfred® | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | À 244ab | HFA240 | Standard | À 244ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 400 V | 244a (DC) | 1,5 V @ 240 A | 120 ns | 9 µA @ 400 V | |||||||||||||||||||||||
![]() | SS2P5HE3 / 84A | - | ![]() | 6809 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q100, ESMP® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | DO-220AA | Ss2p5 | Schottky | DO-220AA (SMP) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 700 mV @ 2 A | 100 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 80pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||
Rmpg06bhe3_a / 53 | 0.1792 | ![]() | 3455 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, SuperECTIFIER® | Tape & Box (TB) | Actif | Par le trou | MPG06, axial | Rmpg06 | Standard | Mpg06 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 1,3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 6.6pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | BZD27C47P-E3-08 | 0,4100 | ![]() | 4503 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | BZD27C | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Support de surface | DO-219AB | BZD27C47 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 36 V | 47 V | 45 ohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C4V7-HE3-18 | 0,0378 | ![]() | 8877 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, BZT52 | Ruban Adhésif (tr) | Acheter la Dernière | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SOD-123 | Bzt52c4v7 | 410 MW | SOD-123 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 4.7 V | 78 ohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ss6p4chm3 / 86a | - | ![]() | 7753 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | ESMP® | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | À 277, 3-Powerdfn | Ss6p4 | Schottky | À 277a (SMPC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 40 V | 3A | 650 mV @ 3 a | 200 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||
![]() | BZD17C39P-E3-08 | 0.1492 | ![]() | 5980 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | DO-219AB | BZD17C39 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 30 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 30 V | 39 V | |||||||||||||||||||||||||
![]() | TZM5238B-GS18 | 0,0303 | ![]() | 9812 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | TZM5238 | 500 MW | SOD-80 MINMEL | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,1 V @ 200 mA | 3 µA @ 6,5 V | 8.7 V | 8 ohms |
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