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Produits semi-conduurs discrètes (31214)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tolérance	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Structure	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Vitre	Courant - Hold (IH) (Max)	Tension - Hors de l'ÉTAT	COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max)	Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max)	COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM)	Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max)	Tension - À l'ÉTAT (VTM) (Max)	COURANT - À L'ÉTAT (IT (AV)) (Max)	COURANT - OFF L'ÉTAT (MAX)	Type Scr	Configuration de diode	Tension - DC inverse (VR) (max)	COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Nombre de Scr, Diodes	Tension - Zener (NOM) (VZ)	Impédance (max) (ZZT)
Vs-vskt250-18pbf	433.9950	RFQ	2672	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	En gros	Actif		-40 ° C ~ 130 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Magn-a-pak	VSKT250			Connexion de la Série - Tous Les Scr		télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	VSVSKT25018PBF	EAR99	8541.30.0080	2		500 mA	1,8 kV	555 A	3 V	8500A, 8900A	200 mA		250 A												2 SCR
VS-16TTS16STRR-M3	1.3094	RFQ	3071	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-40 ° C ~ 125 ° C	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	16TTS16				À 263ab (d²pak)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.30.0080	800		150 mA	1,6 kV	16 A	2 V	200a @ 50hz	60 mA	1,4 V	10 a	10 mA	Norme de rénovation
Vs-1110m	113.6556	RFQ	2268	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	En gros	Actif		-40 ° C ~ 125 ° C	Châssis, montage	To-209AC, to-94-4, Étalon	111RKI120				To-209AC (to-94)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	VS111RKI120M	EAR99	8541.30.0080	25		200 mA	1,2 kV	172 A	2 V	1750a, 1830a	120 mA	1,57 V	110 A	20 mA	Norme de rénovation
Bzg05c3v9-e3-tr3	-	RFQ	6543	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	Bzg05c	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	± 5%	150 ° C	Support de surface	DO-214AC, SMA	Bzg05		1,25 W		DO-214AC (SMA)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0050	6 000															1,2 V @ 200 mA		10 µA @ 1 V					3,9 V	15 ohms
V8p22chm3 / i	0,4290	RFQ	7090	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	Automobile, AEC-Q101	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Support de surface	À 277, 3-Powerdfn		Schottky			À 277a (SMPC)	télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	112-V8P22CHM3 / ITR	EAR99	8541.10.0080	6 500	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)											1 paire la commune de cathode	200 V	3.1a	900 mV @ 4 a		80 µA @ 200 V	-40 ° C ~ 175 ° C
403cnq100	-	RFQ	5048	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	En gros	Obsolète			Soutenir de châssis	À 244ab	403cnq	Schottky			À 244ab	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	30	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)											1 paire la commune de cathode	100 V	400A	970 MV @ 400 A		6 ma @ 100 V	-55 ° C ~ 175 ° C
Fepe16bt-e3 / 45	-	RFQ	1794	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	Tube	Obsolète			Par le trou	À 220-3	Fepe16	Standard			À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.10.0080	1	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)											1 paire la commune de cathode	100 V	16A	950 MV @ 8 A	35 ns	10 µA à 100 V	-55 ° C ~ 150 ° C
SS23S-M3 / 5AT	0,0721	RFQ	1541	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Support de surface	DO-214AC, SMA	SS23	Schottky			DO-214AC (SMA)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	7 500	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)												30 V		500 mV @ 2 A		400 µA @ 30 V	-65 ° C ~ 125 ° C	2A	-
BZT52C16-E3-18	0,0360	RFQ	4794	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	Bzt52	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Support de surface	SOD-123	BZT52C16		410 MW		SOD-123	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0050	10 000																	100 na @ 12 V					16 V	13 ohms
Egp51a-e3 / c	0,8118	RFQ	3016	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	SuperECTIFIER®	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Par le trou	DO-201D, axial	EGP51	Standard			Do-201Dad	télécharger		Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	1400	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)												50 V		960 MV @ 5 A	50 ns	5 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 175 ° C	5A	117pf @ 4v, 1mhz
SE20AFGHM3 / 6A	0.1210	RFQ	5926	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	Automobile, AEC-Q101	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Support de surface	DO-221AC, SMA PLATS À PLAT	SE20	Standard			DO-221AC (SLIMSMA)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	3 500	Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO)												400 V		1.1 V @ 2 A	1,2 µs	5 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1.3a	12pf @ 4v, 1mhz
ES1PDHM3 / 84A	0 4600	RFQ	2	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	Automotive, AEC-Q101, ESMP®	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Support de surface	DO-220AA	ES1	Standard			DO-220AA (SMP)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	3 000	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)												200 V		920 mV @ 1 a	25 ns	5 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4v, 1mhz
VS-T110HF80	34.5980	RFQ	2416	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	En gros	Actif			Soutenir de châssis	D-55 T-Module	T110	Standard			D-55	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	10	Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO)												800 V				20 mA @ 800 V		110a	-
UB10BCT-E3 / 4W	-	RFQ	7596	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	Tube	Obsolète			Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Ub10	Standard			À 263ab (d²pak)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	1 000	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)											1 paire la commune de cathode	100 V	5A	1.1 V @ 5 A	25 ns	5 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 150 ° C