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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) |
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AZ23B3V9-G3-18 | 0,0594 | ![]() | 4926 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Az23-g | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | Az23b3v9 | 300 MW | SOT-23-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1 paire Commune d'anode | 3,9 V | 95 ohms | ||||||||||||||||
![]() | VS-MBRD320-M3 | 0,2764 | ![]() | 3920 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tube | Actif | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MBRD320 | Schottky | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | VSMBRD320M3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 20 V | 600 mV @ 3 a | 200 µA @ 20 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 3A | 189pf @ 5v, 1MHz | ||||||||||||
![]() | SMZG3792B-E3 / 52 | 0 2407 | ![]() | 9982 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | DO-215AA, Aile de Mouette SMB | SMZG3792 | 1,5 w | SMBG (DO-215AA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 750 | 5 µA @ 9,9 V | 13 V | 7,5 ohms | |||||||||||||||
![]() | BZG05C39-E3-TR3 | - | ![]() | 6372 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Bzg05c | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | ± 5% | 150 ° C | Support de surface | DO-214AC, SMA | Bzg05 | 1,25 W | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 6 000 | 1,2 V @ 200 mA | 500 na @ 30 V | 39 V | 50 ohms | ||||||||||||||
![]() | GI2404HE3 / 45 | - | ![]() | 1899 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tube | Obsolète | Par le trou | À 220-3 | GI2404 | Standard | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 200 V | 16A | 975 MV @ 8 A | 35 ns | 5 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||
![]() | Plz7v5b-g3 / h | 0,2800 | ![]() | 25 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Plz | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2,62% | 150 ° C (TJ) | Support de surface | Do-219AC | Plz7v5 | 960 MW | DO-219AC (microsmf) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 4 500 | 900 mV @ 10 mA | 500 na @ 4 V | 7.26 V | 8 ohms | ||||||||||||||
![]() | VS-MURB2020CT-1-M3 | 1.2300 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Fred PT® | Tube | Actif | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | MURB2020 | Standard | À 262aa | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 200 V | 10A | 1,15 V @ 16 A | 35 ns | 15 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||
MMBZ5232B-E3-18 | - | ![]() | 2748 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5232 | 225 MW | SOT-23-3 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 5 µA @ 3 V | 5.6 V | 11 ohms | ||||||||||||||||
![]() | Vx20170chm3 / p | 1.1187 | ![]() | 5783 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | Par le trou | À 220-3 | Schottky | À 220ab | télécharger | Atteindre non affecté | 112-VX20170CHM3 / P | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 170 V | 10A | 840 MV @ 10 A | 50 µA à 170 V | -40 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||||
![]() | BZX55C12-TAP | 0,2300 | ![]() | 29 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, BZX55 | Ruban de Coupé (CT) | Actif | - | 175 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | BZX55C12 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,5 V @ 200 mA | 100 na @ 9.1 V | 12 V | 20 ohms | ||||||||||||||
![]() | GI810-E3 / 73 | - | ![]() | 4664 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tape & Box (TB) | Obsolète | Par le trou | DO-204AC, DO-15, axial | Gi810 | Standard | DO-204AC (DO-15) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 1,2 V @ 1 A | 750 ns | 10 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 25pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||
![]() | VT3060G-E3 / 4W | 0,6419 | ![]() | 1045 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tube | Actif | Par le trou | À 220-3 | VT3060 | Schottky | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | VT3060GE34W | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 60 V | 15A | 730 MV @ 15 A | 850 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||
![]() | SMAZ5923B-M3 / 5A | 0,1063 | ![]() | 2570 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | DO-214AC, SMA | SMAZ5923 | 500 MW | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 7 500 | 1,5 V @ 200 mA | 10 µA @ 6,5 V | 8.2 V | 5 ohms | ||||||||||||||
![]() | TZQ5233B-GS08 | 0,0303 | ![]() | 9656 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Support de surface | Variante SOD-80 | TZQ5233 | 500 MW | SOD-80 Quadromelf | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 12 500 | 1,5 V @ 200 mA | 5 µA à 3,5 V | 6 V | 7 ohms | ||||||||||||||
VS-301URA200 | - | ![]() | 2518 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | En gros | Obsolète | Soutien | DO-205AB, DO-9, Stud | 301ura200 | Polateté Standard et inverse | DO-205AB (DO-9) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | VS301URA200 | EAR99 | 8541.10.0080 | 12 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 2000 V | 1 46 V @ 942 A | -40 ° C ~ 180 ° C | 330A | - | ||||||||||||||
![]() | Bzg03b15tr | - | ![]() | 9758 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, BZG03B | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Support de surface | DO-214AC, SMA | Bzg03 | 1,25 W | DO-214AC | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0050 | 6 000 | 1,2 V @ 500 mA | 1 µA @ 11 V | 15 V | 10 ohms | |||||||||||||||
![]() | Smzg3795bhe3 / 5b | 0.1980 | ![]() | 2597 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | DO-215AA, Aile de Mouette SMB | SMZG3795 | 1,5 w | DO-215AA (SMBG) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 200 | 5 µA @ 13,7 V | 18 V | 12 ohms | ||||||||||||||||
![]() | Byw72-tr | 0,5148 | ![]() | 5750 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Par le trou | SOD-64, axial | BYW72 | Avalanche | SOD-64 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 12 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1.1 V @ 3 A | 200 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | ||||||||||||
AZ23B4V3-E3-08 | 0,0509 | ![]() | 8805 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | AZ23 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | Az23b4v3 | 300 MW | SOT-23-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 15 000 | 1 paire Commune d'anode | 4.3 V | 95 ohms | ||||||||||||||||
![]() | SML4728-E3 / 61 | - | ![]() | 4739 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | ± 5% | 150 ° C | Support de surface | DO-214AC, SMA | SML4728 | 1 W | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 800 | 100 µA @ 1 V | 3,3 V | 10 ohms | |||||||||||||||
MMBZ5251B-G3-08 | - | ![]() | 5240 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5251 | 225 MW | SOT-23-3 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 15 000 | 100 na @ 17 V | 22 V | 29 ohms | ||||||||||||||||
![]() | VS-S481B | - | ![]() | 9745 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | En gros | Acheter la Dernière | S481b | - | 112-VS-S481B | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZD27C43P-E3-08 | 0,4100 | ![]() | 4251 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | BZD27C | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Support de surface | DO-219AB | BZD27C43 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 33 V | 43 V | 45 ohms | ||||||||||||||
![]() | BZT52B2V7-E3-08 | 0,3200 | ![]() | 6602 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Bzt52 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SOD-123 | Bzt52b2v7 | 410 MW | SOD-123 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 2,7 V | 75 ohms | ||||||||||||||||
![]() | 3N259-M4 / 51 | - | ![]() | 6269 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Plateau | Obsolète | -55 ° C ~ 165 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, kbpm | 3N259 | Standard | Kbpm | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 600 | 1,1 V @ 3,14 A | 5 µA à 1000 V | 2 A | Monophasé | 1 kv | ||||||||||||||
![]() | BZG05C39-HM3-08 | 0,1172 | ![]() | 1942 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, BZG05C-M | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5,13% | 150 ° C (TJ) | Support de surface | DO-214AC, SMA | BZG05C39 | 1,25 W | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 500 | 1,2 V @ 200 mA | 500 na @ 30 V | 39 V | 50 ohms | ||||||||||||||
![]() | Ss1fl3hm3 / i | 0.1069 | ![]() | 7198 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | Ss1fl3 | Schottky | DO-219AB (SMF) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 30 V | 480 mV @ 1 a | 200 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 130pf @ 4v, 1MHz | |||||||||||||
![]() | MMSZ4683-HE3-08 | 0,0368 | ![]() | 4473 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Acheter la Dernière | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SOD-123 | MMSZ4683 | 500 MW | SOD-123 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 800 na @ 1 V | 3 V | ||||||||||||||||
![]() | GBU6B-E3 / 45 | 2.2100 | ![]() | 5826 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, GBU | GBU6 | Standard | GBU | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 6 A | 5 µA @ 100 V | 3.8 A | Monophasé | 100 V | ||||||||||||||
AZ23B11-HE3_A-18 | - | ![]() | 8578 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, AZ23 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23-3 | télécharger | 112-AZ23B11-HE3_A-18TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 paire Commune d'anode | 100 na @ 8 V | 11 V | 20 ohms |
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