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Produits semi-conduurs discrètes (31214)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Tension - DC inverse (VR) (max) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | VS-80-6002 | - |  | 5307 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | En gros | Acheter la Dernière | 80-6002 | - | 112-VS-80-6002 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
| Vs-vs30asr04n | - | | 3155 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | En gros | Acheter la Dernière | Vs30 | - | 112-VS-VS30ASR04N | 1 | |||||||||||||||||||||||||
| VS-S1059 | - | | 8958 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | En gros | Acheter la Dernière | S1059 | - | 112-VS-S1059 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
| VS-80-7801 | - | | 9146 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | En gros | Acheter la Dernière | 80-7801 | - | 112-VS-80-7801 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
| VS-80-7626 | - | | 7851 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | En gros | Acheter la Dernière | 80-7626 | - | 112-VS-80-7626 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
| VS-VS24EDR20L | - | | 3255 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | En gros | Acheter la Dernière | Vs24 | - | 112-VS-VS24EDR20L | 1 | |||||||||||||||||||||||||
 | DFL1508S-E3 / 77 | 0 7700 | | 18 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 4 sous-marins | Dfl1508 | Standard | DFS | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 500 | 1,1 V @ 1,5 A | 5 µA @ 800 V | 1,5 A | Monophasé | 800 V | |||||||||||
 | TLZ11-GS08 | 0,0335 | | 8101 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Tlz | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | TLZ11 | 500 MW | SOD-80 MINMEL | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 12 500 | 1,5 V @ 200 mA | 11 V | 10 ohms | ||||||||||||
 | BZT52C13-E3-08 | 0,2700 | | 14 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Bzt52 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SOD-123 | BZT52C13 | 410 MW | SOD-123 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 100 na @ 10 V | 13 V | 9 ohms | ||||||||||||
| TLZ5V1A-GS18 | 0,0335 | | 2792 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Tlz | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | 175 ° C | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | Tlz5v1 | 500 MW | SOD-80 MINMEL | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,5 V @ 200 mA | 2 µA @ 2 V | 5.1 V | 20 ohms | |||||||||||
 | Zmm5232b-13 | - | | 1604 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Support de surface | Do-213aa (verre) | Zmm52 | 500 MW | DO-213AA (GL34) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Zmm5232b-13gi | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,5 V @ 200 mA | 5 µA @ 3 V | 5.6 V | 11 ohms | |||||||||||
 | Sml4740he3_a / h | 0,5600 | | 1 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 10% | 150 ° C | Support de surface | DO-214AC, SMA | SML4740 | 1 W | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 800 | 10 µA à 7,6 V | 10 V | 7 ohms | ||||||||||||
 | UH2C-M3 / 52T | - | | 3735 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | DO-214AA, SMB | Uh2 | Standard | DO-214AA (SMB) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 7 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 150 V | 1.05 V @ 2 A | 35 ns | 2 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 2A | 42pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||
 | 1N4761A-TAP | 0,3300 | | 18 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Ruban de Coupé (CT) | Actif | ± 5% | 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1N4761 | 1,3 W | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA @ 56 V | 75 V | 175 ohms | |||||||||||
 | V3pm63-m3 / h | 0 4600 | | 8577 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, TMBS® | Ruban de Coupé (CT) | Actif | Support de surface | DO-220AA | V3PM63 | Schottky | DO-220AA (SMP) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 60 V | 650 mV @ 3 a | 10 µA @ 60 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 3A | 420pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
| GBU6J-1E3 / 51 | - | | 9783 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, GBU | GBU6 | Standard | GBU | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 6 A | 5 µA @ 600 V | 3.8 A | Monophasé | 600 V | ||||||||||||
| DFL1504S-E3 / 45 | 0,3298 | | 7139 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 4 sous-marins | Dfl1504 | Standard | DFS | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 5 000 | 1,1 V @ 1,5 A | 5 µA @ 400 V | 1,5 A | Monophasé | 400 V | |||||||||||
 | Rs1fj-m3 / i | 0,0483 | | 3268 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | Standard | DO-219AB (SMF) | télécharger | Atteindre non affecté | 112-RS1FJ-M3 / ITR | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,25 V @ 1 A | 500 ns | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 5pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||
 | Ptv5.1b-m3 / 85a | 0,0825 | | 2366 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | ESMP® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 6% | 150 ° C | Support de surface | DO-220AA | PTV5.1 | 600 MW | DO-220AA (SMP) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,5 V @ 200 mA | 20 µA @ 1 V | 5.4 V | 8 ohms | |||||||||||
| DF1508S-E3 / 77 | 0 7700 | | 14 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 4 sous-marins | Df1508 | Standard | DFS | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 500 | 1,1 V @ 1,5 A | 10 µA @ 800 V | 1,5 A | Monophasé | 800 V | |||||||||||
| Z4ke120ahe3 / 54 | - | | 4100 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | Z4ke120 | 1,5 w | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 500 | 1 V @ 500 mA | 500 na @ 91,2 V | 120 V | 700 ohms | |||||||||||
| VS-112MT160KPBF | 99.4453 | | 4759 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | Module mt-k | 112mt160 | Standard | Mt-k | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | Vs112mt160kpbf | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 110 A | Triphasé | 1,6 kV | ||||||||||||
 | BZW03C39-TAP | - | | 3525 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | BZW03 | Tape & Box (TB) | Obsolète | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Par le trou | SOD-64, axial | BZW03 | 1,85 w | SOD-64 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 12 500 | 1,2 V @ 1 A | 2 µA @ 30 V | 39 V | 14 ohms | |||||||||||
 | BU1210-M3 / 51 | 1.4002 | | 8305 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Plateau | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, bu | BU1210 | Standard | isocink + ™ bu | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 1.05 V @ 6 A | 5 µA à 1000 V | 12 A | Monophasé | 1 kv | |||||||||||
| Vs-110mt80kpbf | 79.1507 | | 6800 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | Module mt-k | 110mt80 | Standard | Mt-k | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | VS110MT80KPBF | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 110 A | Triphasé | 800 V | ||||||||||||
| DF04S-E3 / 77 | 0,8000 | | 289 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 4 sous-marins | Df04 | Standard | DFS | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 500 | 1.1 V @ 1 A | 5 µA @ 400 V | 1 a | Monophasé | 400 V | |||||||||||
| EDF1AS-E3 / 77 | 1.2300 | | 9 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 4 sous-marins | EDF1 | Standard | DFS | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 500 | 1 05 V @ 1 A | 5 µA @ 50 V | 1 a | Monophasé | 50 V | |||||||||||
| UF4003-E3 / 54 | 0,4300 | | 9 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | UF4003 | Standard | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 5 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1 V @ 1 A | 50 ns | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 17pf @ 4v, 1mhz | |||||||||
| BZD27C110P-M3-18 | 0 4700 | | 7 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Bzd27-m | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Support de surface | DO-219AB | BZD27C110 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 82 V | 110 V | 250 ohms | |||||||||||
| PTV5.6B-E3 / 84A | - | | 5292 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | ESMP® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | ± 6% | 150 ° C | Support de surface | DO-220AA | PTV5.6 | 600 MW | DO-220AA (SMP) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1,5 V @ 200 mA | 20 µA @ 1,5 V | 6 V | 8 ohms |
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