SIC
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Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Tolérance Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Power - Max Saisir Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Vitre Configuration de diode Tension - DC inverse (VR) (max) COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) Tension - en Avant (vf) (max) @ si Temps de réménage inversé (TRR) Courant - FUITE INVERSEE @ VR Température de FonctionNement - Jonction Current - Rectifié Moyen (IO) Capacité @ vr, f Type igbt Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) Vce (on) (max) @ vge, ic COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Thermistance NTC Tension - Zener (NOM) (VZ) Impédance (max) (ZZT) Capacité d'entrée (cies) @ vce
VS-S1678 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-S1678 -
RFQ
ECAD 6444 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Division Diodes - En gros Obsolète - 112-VS-S1678 OBSOLÈTE 1
VS-E5PH7512L-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-E5PH7512L-N3 5.1000
RFQ
ECAD 39 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Division Diodes Fred PT® Gen 5 Tube Actif Par le trou À 247-2 Standard À 247ad télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 112-VS-E5PH7512L-N3 EAR99 8541.10.0080 50 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1200 V 2,6 V @ 75 A 145 ns 50 µA à 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 75a -
VS-3C12ETOTT-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-3C12ETOTT-M3 -
RFQ
ECAD 8408 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Division Diodes - En gros Actif - Atteindre non affecté 112-VS-3C12ETOTT-M3 EAR99 8541.10.0080 1
UGB8AT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UGB8AT-E3 / 45 -
RFQ
ECAD 9229 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Division Diodes Automobile, AEC-Q101 En gros Obsolète Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Standard À 263ab télécharger Atteindre non affecté 112-UGB8AT-E3 / 45 EAR99 8541.10.0080 1 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 50 V 1 V @ 8 A 30 ns 10 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 8a 45pf @ 4v, 1mhz
SE20DTJHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE20DTJHM3 / I 1.6700
RFQ
ECAD 297 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Division Diodes Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface À 263-3, Variante d²pak (2 leads + onglet) Standard SMPD télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 2 000 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 600 V 1,2 V @ 20 A 3 µs 25 µA à 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 3.8a 150pf @ 4v, 1MHz
SE10DTLJ-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE10DTLJ-M3 / I 1.2100
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Division Diodes Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface À 263-3, Variante d²pak (2 leads + onglet) Standard SMPD télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 2 000 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 600 V 1 V @ 10 A 280 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 3.5a 70pf @ 4v, 1mhz
SE8D30DHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE8D30DHM3 / I 0 4600
RFQ
ECAD 14 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Division Diodes Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface DO-221AC, SMA PLATS À PLAT Standard SLIMSMAW (DO-221AD) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 14 000 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 200 V 1.1 V @ 3 A 1,2 µs 10 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C 3A 19pf @ 4v, 1mhz
SE8D30J-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE8D30J-M3 / H 0,4100
RFQ
ECAD 14 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Division Diodes Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface DO-221AC, SMA PLATS À PLAT Standard SLIMSMAW (DO-221AD) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 3 500 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 600 V 1.1 V @ 3 A 1,2 µs 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 3A 19pf @ 4v, 1mhz
AR1FMHM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division Ar1fmhm3 / h 0 4600
RFQ
ECAD 18 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Division Diodes Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface DO-219AB Avalanche DO-219AB (SMF) télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 3 000 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1000 V 1,6 V @ 1 A 120 ns 1 µA à 1000 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9.3pf @ 4v, 1MHz
VS-GT300TD60S Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT300TD60S 209.2825
RFQ
ECAD 2843 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Division Diodes Fred PT® Tube Actif -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Soutenir de châssis Module 882 W Standard Int-a-pak télécharger Atteindre non affecté 112-VS-GT300TD60S EAR99 8541.29.0095 12 Demi-pont Arête du Champ de Tranché 600 V 466 A 1 47 V @ 15V, 300A 200 µA Non 24.2 NF @ 25 V
VS-GT400TD60S Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT400TD60S 259.7542
RFQ
ECAD 4938 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Division Diodes Fred PT® Tube Actif -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Soutenir de châssis Module 1364 W Standard Int-a-pak télécharger Atteindre non affecté 112-VS-GT400TD60S EAR99 8541.29.0095 12 Demi-pont Arête du Champ de Tranché 600 V 711 A 1,4 V @ 15V, 400A 300 µA Non
SMZG3796BHE3/5B Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMZG3796BHE3 / 5B 0 2475
RFQ
ECAD 4203 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Division Diodes - Ruban Adhésif (tr) Actif ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface DO-215AA, Aile de Mouette SMB 1,5 w SMBG (DO-215AA) télécharger Atteindre non affecté 112-SMZG3796BHE3 / 5BTR EAR99 8541.10.0050 3 200 5 µA @ 15,2 V 20 V 14 ohms
BZX384C5V1-HG3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Bzx384c5v1-hg3-08 0,2800
RFQ
ECAD 14 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Division Diodes Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif ± 2% 150 ° C (TJ) Support de surface SC-76, SOD-323 200 MW SOD-323 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 3 000 2 µA @ 2 V 5.1 V 40 ohms
UGF8CTHE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division Ugf8ctthe3_a / p -
RFQ
ECAD 7431 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Division Diodes Automobile, AEC-Q101 Tube Obsolète Par le trou To-220-2 EXCEPLAGE, ONGLET ISOLÉ Standard ITO-220AC télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 112-UGF8CTHE3_A / P EAR99 8541.10.0080 50 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 50 V 1 V @ 8 A 30 ns 10 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 8a 45pf @ 4v, 1mhz
V15KM60CHM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division V15km60chm3 / h 0,9700
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Division Diodes Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface 8-PowerTDFN Schottky Flatpak (5x6) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 1 500 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 60 V 5.1a 630 MV @ 7,5 A 900 µA à 60 V -40 ° C ~ 175 ° C
V10K202CHM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division V10K202CHM3 / H 0,7374
RFQ
ECAD 4939 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Division Diodes Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface 8-PowerTDFN Schottky Flatpak (5x6) télécharger Atteindre non affecté 112-V10K202CHM3 / HTR EAR99 8541.10.0080 1 500 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 200 V 2.8a 870 MV @ 5 A 15 µA @ 200 V -40 ° C ~ 150 ° C
V10PWM60-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V10pwm60-m3 / i 0,3036
RFQ
ECAD 5355 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Division Diodes Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Schottky Slimdpak télécharger Atteindre non affecté 112-V10PWM60-M3 / ITR EAR99 8541.10.0080 4 500 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 60 V 610 MV @ 10 A 400 µA @ 60 V -40 ° C ~ 175 ° C 10A 1580pf @ 4v, 1MHz
V40PWM153C-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V40pwm153c-m3 / i 1.2900
RFQ
ECAD 4 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Division Diodes Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Schottky Slimdpak télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 4 500 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 150 V 20A 1.04 V @ 20 A 150 µA à 150 V -40 ° C ~ 175 ° C
V20PM63-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division V20pm63-m3 / h 0,8600
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Division Diodes Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface À 277, 3-Powerdfn Schottky À 277a (SMPC) télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 1 500 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 60 V 680 MV @ 20 A 40 µA @ 60 V -40 ° C ~ 175 ° C 4.9a 3400pf @ 4v, 1MHz
V10PW10C-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V10pw10c-m3 / i 0,3656
RFQ
ECAD 9482 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Division Diodes Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Schottky Slimdpak télécharger Atteindre non affecté 112-V10PW10C-M3 / ITR EAR99 8541.10.0080 4 500 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 100 V 5A 730 mV @ 5 a 200 µA à 100 V -40 ° C ~ 150 ° C
V10K202DUHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V10K202DUHM3 / I 0,5118
RFQ
ECAD 4057 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Division Diodes Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface 8-PowerTDFN Schottky Flatpak 5x6 (double) télécharger Atteindre non affecté 112-V10K202DUHM3 / ITR EAR99 8541.10.0080 6 000 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 2 indépendant 100 V 1.9A 890 MV @ 5 A 15 µA à 100 V -40 ° C ~ 150 ° C
VX60202PWHM3/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vx60202pwhm3 / p 6.0166
RFQ
ECAD 5992 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Division Diodes Automobile, AEC-Q101 Tube Actif Par le trou À 247-3 Schottky À 247ad télécharger Atteindre non affecté 112-vx60202pwhm3 / p EAR99 8541.10.0080 25 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 200 V 30A 840 MV @ 30 A 200 µA @ 200 V -40 ° C ~ 175 ° C
UGB10GCTHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Ugb10gcthe3_a / i -
RFQ
ECAD 8136 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Division Diodes Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Obsolète Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Standard À 263ab télécharger Atteindre non affecté 112-UGB10GCTHE3_A / ITR EAR99 8541.10.0080 800 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 400 V 5A 1,3 V @ 5 A 50 ns 10 µA @ 400 V -40 ° C ~ 150 ° C
MBRF1545CTHE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRF1545CTHE3_A / P 0,7920
RFQ
ECAD 6912 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Division Diodes Automobile, AEC-Q101 Tube Actif Par le trou To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé Schottky ITO-220AB télécharger Atteindre non affecté 112-MBRF1545CTHE3_A / P EAR99 8541.10.0080 50 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 45 V 7.5a 570 MV @ 15 A 100 µA @ 45 V -65 ° C ~ 150 ° C
SBLF10L25HE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division Sblf10l25he3_a / p 0.9900
RFQ
ECAD 6663 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Division Diodes Automobile, AEC-Q101 Tube Actif Par le trou To-220-2 EXCEPLAGE, ONGLET ISOLÉ Schottky ITO-220AC télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 112-SBLF10L25HE3_A / P EAR99 8541.10.0080 50 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 25 V 460 MV @ 10 A 800 µA @ 25 V -65 ° C ~ 150 ° C 10A -
BZX384C8V2-HG3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Bzx384c8v2-hg3-08 0,3900
RFQ
ECAD 14 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Division Diodes Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif ± 2% 150 ° C (TJ) Support de surface SC-76, SOD-323 BZX384 200 MW SOD-323 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 3 000 700 na @ 700 mV 8.2 V 6 ohms
V8P22C-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V8p22c-m3 / i 0 2970
RFQ
ECAD 7508 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Division Diodes Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface À 277, 3-Powerdfn Schottky À 277a (SMPC) télécharger Atteindre non affecté 112-V8P22C-M3 / ITR EAR99 8541.10.0080 6 500 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 200 V 3.1a 900 mV @ 4 A 80 µA @ 200 V -40 ° C ~ 175 ° C
V20K60HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division V20k60hm3 / h 0,4028
RFQ
ECAD 4415 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Division Diodes Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface 8-PowerTDFN Schottky Flatpak (5x6) télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 112-V20K60HM3 / HTR EAR99 8541.10.0080 1 500 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 60 V 610 MV @ 20 A 700 µA @ 60 V -40 ° C ~ 150 ° C 5A 2910pf @ 4v, 1MHz
SE10DLJ-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE10DLJ-M3 / I 0,5280
RFQ
ECAD 9390 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Division Diodes Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface À 263-3, Variante d²pak (2 leads + onglet) Standard À 263AC (SMPD) télécharger Atteindre non affecté 112-SE10DLJ-M3 / ITR EAR99 8541.10.0080 2 000 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 600 V 1 V @ 10 A 280 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 3.6a 70pf @ 4v, 1mhz
RS07D-HM3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RS07D-HM3-08 0,3900
RFQ
ECAD 16 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Division Diodes Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface DO-219AB Standard DO-219AB (SMF) télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 3 000 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 200 V 1,15 V @ 700 Ma 150 ns 10 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 500mA 9pf @ 4v, 1mhz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

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  • Worldwide Manufacturers

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