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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Structure | Saisir | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Courant - Max | Courant - Hold (IH) (Max) | Tension - Hors de l'ÉTAT | COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) | Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max) | COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM) | Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max) | Tension - À l'ÉTAT (VTM) (Max) | COURANT - À L'ÉTAT (IT (AV)) (Max) | COURANT - OFF L'ÉTAT (MAX) | Type Scr | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Nombre de Scr, Diodes | Type igbt | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Thermistance NTC | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Résistance @ si, f |
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![]() | S5BHE3 / 57T | - | ![]() | 5732 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | DO-214AB, SMC | S5B | Standard | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 1,15 V @ 5 A | 2,5 µs | 10 µA à 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | 40pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Smzj3793bhe3_b / i | 0,1500 | ![]() | 5929 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | DO-214AA, SMB | SMZJ3793 | 1,5 w | DO-214AA (SMB) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 112-SMZJ3793BHE3_B / ITR | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 200 | 5 µA @ 11,4 V | 15 V | 9 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UF1005-M3 / 73 | - | ![]() | 7662 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tape & Box (TB) | Actif | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | UF1005 | Standard | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,7 V @ 1 A | 75 ns | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX55C10-TAP | 0,2300 | ![]() | 36 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, BZX55 | Ruban de Coupé (CT) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | BZX55C10 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,5 V @ 200 mA | 100 na @ 7,5 V | 10 V | 15 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Tzx3v3c-tr-tr-tr | 0 2400 | ![]() | 27 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, TZX | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | Tzx3v3 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,5 V @ 200 mA | 5 µA @ 1 V | 3,3 V | 100 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52B2V4-HE3-08 | 0,0454 | ![]() | 4488 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, BZT52 | Ruban Adhésif (tr) | Acheter la Dernière | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SOD-123 | Bzt52b2v4 | 410 MW | SOD-123 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 15 000 | 2,4 V | 85 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZG03B22-M3-08 | 0 2228 | ![]() | 8838 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Bzg03b-m | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Support de surface | DO-214AC, SMA | Bzg03b22 | 1,25 W | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 6 000 | 1,2 V @ 500 mA | 1 µA @ 16 V | 22 V | 15 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-4ECU06-M3 / 9AT | 0 7600 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Fred PT® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AB, SMC | 4ecu06 | Standard | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,3 V @ 4 A | 41 ns | 3 µA à 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 4A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bzx55c4v3-tap | 0,2300 | ![]() | 25 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, BZX55 | Ruban de Coupé (CT) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | Bzx55c4v3 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,5 V @ 200 mA | 1 µA @ 1 V | 4.3 V | 75 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ptv4.3b-m3 / 84a | 0,0901 | ![]() | 4287 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | ESMP® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | 150 ° C | Support de surface | DO-220AA | PTV4.3 | 600 MW | DO-220AA (SMP) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1,5 V @ 200 mA | 20 µA @ 1 V | 4.6 V | 15 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BA979S-GS08 | - | ![]() | 8348 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 125 ° C (TJ) | Variante SOD-80 | BA979 | SOD-80 Quadromelf | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 2 500 | 50 mA | 0,5pf @ 0v, 100mhz | Broche - simple | 30V | 50OHM @ 1,5mA, 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SS35-M3 / 9AT | 0.2091 | ![]() | 9701 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AB, SMC | Ss35 | Schottky | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 750 mV @ 3 a | 500 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VI30200C-E3 / 4W | 2.7500 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | TMBS® | Tube | Actif | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | VI30200 | Schottky | À 262aa | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 200 V | 15A | 1.1 V @ 15 A | 160 µA @ 200 V | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ4700-E3-18 | 0,2700 | ![]() | 3918 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SOD-123 | MMSZ4700 | 500 MW | SOD-123 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 50 na @ 9,8 V | 13 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
GBL005-E3 / 51 | 0,7456 | ![]() | 9723 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, gbl | Gbl005 | Standard | Gbl | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 400 | 1.1 V @ 4 A | 5 µA @ 50 V | 3 A | Monophasé | 50 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GBU6D-M3 / 45 | 1.2844 | ![]() | 9095 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, GBU | GBU6 | Standard | GBU | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | 1 V @ 3 A | 5 µA @ 200 V | 6 A | Monophasé | 200 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX384C11-E3-08 | 0 2400 | ![]() | 9292 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | BZX384 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SC-76, SOD-323 | Bzx384c11 | 200 MW | SOD-323 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 100 na @ 8 V | 11 V | 20 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-15CTQ045STRR-M3 | 0,6747 | ![]() | 2894 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | 15CTQ045 | Schottky | À 263ab (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 45 V | 7.5a | 550 MV à 7,5 A | 800 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Smzj3794bhe3_a / h | 0,1597 | ![]() | 6338 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | DO-214AA, SMB | SMZJ3794 | 1,5 w | DO-214AA (SMBJ) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 750 | 5 µA @ 12,2 V | 16 V | 10 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Plz11c-g3 / h | 0,3100 | ![]() | 15 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Plz | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 3% | 150 ° C | Support de surface | Do-219AC | Plz11 | 500 MW | DO-219AC (microsmf) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 4 500 | 900 mV @ 10 mA | 200 na @ 8 V | 11 V | 10 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5226C-HE3-08 | 0,3400 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Acheter la Dernière | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SOD-123 | MMSZ5226 | 500 MW | SOD-123 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 25 µA @ 1 V | 3,3 V | 28 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4937GPEHE3 / 54 | - | ![]() | 7874 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | SuperECTIFIER® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1N4937 | Standard | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 5 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,2 V @ 1 A | 200 ns | 5 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX55C13-Tap | 0,2300 | ![]() | 26 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, BZX55 | Ruban de Coupé (CT) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | BZX55C13 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,5 V @ 200 mA | 100 na @ 10 V | 13 V | 26 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bzx85c27-tap | 0,3800 | ![]() | 17 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, BZX85 | Ruban de Coupé (CT) | Actif | ± 7% | - | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | BZX85C27 | 1,3 W | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 500 µA @ 20 V | 27 V | 30 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
DZ23C22-E3-08 | 0,0415 | ![]() | 4456 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | DZ23 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | DZ23 | 300 MW | SOT-23-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 15 000 | 1 paire la commune de cathode | 100 na @ 17 V | 22 V | 55 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-ST330C08C1 | 92.5650 | ![]() | 4300 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C | Soutenir de châssis | À 200ab, e-puk | ST330 | À 200ab (e-pUk) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | VSST330C08C1 | EAR99 | 8541.30.0080 | 12 | 600 mA | 800 V | 1420 A | 3 V | 7570a, 7920a | 200 mA | 1,96 V | 720 A | 50 mA | Norme de rénovation | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT55A6V2-GS08 | - | ![]() | 7618 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | ± 1% | 175 ° C | Support de surface | Variante SOD-80 | Bzt55 | 500 MW | SOD-80 Quadromelf | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 2 500 | 1,5 V @ 200 mA | 100 na @ 2 V | 6.2 V | 10 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Vs-gt100ts065s | 85.9800 | ![]() | 5207 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Fred PT® | Boîte | Actif | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | Module | 517 W | Standard | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 112-VS-GT100TS065S | 15 | Onduleur de Demi-pont | Tranché | 650 V | 247 A | 100 µA | Non | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Rgf1m-7000he3_b / i | - | ![]() | 6537 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, SuperECTIFIER® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214BA | RGF1M | Standard | DO-214BA (GF1) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 112-RGF1M-7000HE3_B / ITR | EAR99 | 8541.10.0080 | 6 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1000 V | 1,3 V @ 1 A | 500 ns | 5 µA à 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8,5pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-VSKU105 / 08 | 44.0280 | ![]() | 4676 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 130 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | Add-a-pak (3 + 4) | VSKU105 | Cathode Commune - Tous Les Scr | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | VSVSKU10508 | EAR99 | 8541.30.0080 | 10 | 250 mA | 800 V | 165 A | 2,5 V | 2000a, 2094a | 150 mA | 105 A | 2 SCR |
Volume de RFQ moyen quotidien
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