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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Saisir | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Courant - Hold (IH) (Max) | Tension - Hors de l'ÉTAT | COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) | Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max) | COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM) | Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max) | Tension - À l'ÉTAT (VTM) (Max) | COURANT - À L'ÉTAT (IT (AV)) (Max) | COURANT - OFF L'ÉTAT (MAX) | Type Scr | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Type igbt | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Thermistance NTC | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) |
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![]() | SE80PWTGHM3 / I | 0,9600 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Standard | Slimdpak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 4 500 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1.12 V @ 8 A | 2,4 µs | 15 µA à 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 2.6a | 58pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||||
Az23c9v1-he3-18 | 0,0436 | ![]() | 3602 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, AZ23 | Ruban Adhésif (tr) | Acheter la Dernière | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | Az23c9v1 | 300 MW | SOT-23-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1 paire Commune d'anode | 100 na @ 7 V | 9.1 V | 10 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-S926 | - | ![]() | 6245 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | En gros | Acheter la Dernière | S926 | - | 112-VS-S926 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
VS-HFA16TB120-M3 | 2.3000 | ![]() | 578 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Hexfred® | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 | HFA16 | Standard | À 220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1200 V | 3,93 V @ 32 A | 135 ns | 20 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 16A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Vs-gb90da60u | - | ![]() | 9603 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | SOT-227-4 | GB90 | 625 W | Standard | SOT-227 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | Vs-gb90da60ugi | EAR99 | 8541.29.0095 | 160 | Célibataire | NPT | 600 V | 147 A | 2,8 V @ 15V, 100A | 100 µA | Non | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Vs-50wq06fntrrhm3 | 0,9913 | ![]() | 4965 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | 50WQ06 | Schottky | D-pak (à 252aa) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | Vs50wq06fntrrhm3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 60 V | 570 MV @ 5 A | 3 Ma @ 60 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 5.5a | 360pf @ 5v, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GBPC1506W / 1 | - | ![]() | 6642 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Plateau | Obsolète | - | Par le trou | 4 Carrés, GBPC-W | GBPC1506 | Standard | GBPC-W | - | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 1,1 V @ 7,5 A | 5 µA @ 600 V | 15 A | Monophasé | 600 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
KBU4D-E4 / 51 | 3.3700 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Plateau | Actif | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, kbu | Kbu4 | Standard | Kbu | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 V @ 4 A | 5 µA @ 200 V | 4 A | Monophasé | 200 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | V10KM45DU-M3 / H | 0,3186 | ![]() | 6716 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | 8-PowerTDFN | V10K45 | Schottky | Flatpak 5x6 (double) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 2 indépendant | 45 V | 5A | 620 MV @ 5 A | 200 µA @ 45 V | -40 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-2KBB10R | 2.0600 | ![]() | 483 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, 2KBB | 2KBB10 | Standard | 2KBB | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.9 A | Monophasé | 100 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GP10-4002E-E3 / 73 | - | ![]() | 8693 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tape & Box (TB) | Actif | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | GP10 | Standard | DO-204AL (DO-41) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 100 V | - | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EDF1DS-E3 / 45 | 0,5547 | ![]() | 8696 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 4 sous-marins | EDF1 | Standard | DFS | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1 05 V @ 1 A | 5 µA @ 200 V | 1 a | Monophasé | 200 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYM13-60HE3 / 96 | - | ![]() | 8587 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-213AB, MELF | BYM13 | Schottky | GL41 (DO-213AB) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | Bym13-60he3_a / h | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 60 V | 700 mV @ 1 a | 500 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 80pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 130mt120kb | - | ![]() | 4563 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | MTK | 130mt120 | Standard | MTK | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 | 10 mA @ 1200 V | 130 A | Triphasé | 1,2 kV | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZD27B30P-HE3-18 | 0.1238 | ![]() | 7882 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, BZD27B | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Support de surface | DO-219AB | BZD27B30 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 50 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 22 V | 30 V | 15 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZD27C27P-HE3-18 | 0,1536 | ![]() | 8557 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, BZD27C | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Support de surface | DO-219AB | BZD27C27 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 50 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 20 V | 27 V | 15 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
BZX84C6V8-G3-08 | 0,2700 | ![]() | 8951 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Bzx84-g | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bzx84c6v8 | 300 MW | SOT-23-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 15 000 | 3 µA @ 4 V | 6,8 V | 15 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bzg03b91tr3 | - | ![]() | 5215 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, BZG03B | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Support de surface | DO-214AC, SMA | Bzg03 | 1,25 W | DO-214AC | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0050 | 6 000 | 1,2 V @ 500 mA | 1 µA @ 68 V | 91 V | 200 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-ST1200C20K0LP | 281.2250 | ![]() | 1497 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | En gros | Pas de designs les nouveaux | -40 ° C ~ 125 ° C | Soutenir de châssis | À 200AC, K-Puk, A-24 | ST1200 | A-24 (K-PUK) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | VSST1200C20K0LP | EAR99 | 8541.30.0080 | 2 | 600 mA | 2 kv | 3080 A | 3 V | 25700A, 26900A | 200 mA | 1,73 V | 1650 A | 100 mA | Norme de rénovation | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-6CWQ04FNHM3 | 2.7900 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | 6CWQ04 | Schottky | D-pak (à 252aa) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | Vs-6cwq04fnhm3gi | EAR99 | 8541.10.0080 | 75 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 40 V | 3.5a | 530 MV @ 3 A | 2 ma @ 40 V | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Vs-vskd250-16pbf | 174.6900 | ![]() | 5775 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | 3-magn-a-pak ™ | VSKD250 | Standard | Magn-a-pak® | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | VSVSKD25016PBF | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 1600 V | 125a | 50 ma @ 1600 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZG05B68-E3-TR3 | - | ![]() | 1140 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | BZG05B | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Support de surface | DO-214AC, SMA | Bzg05 | 1,25 W | DO-214AC | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0050 | 6 000 | 1,2 V @ 200 mA | 500 na @ 51 V | 68 V | 130 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VT10200C-E3 / 4W | 1.2100 | ![]() | 662 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | TMBS® | Tube | Actif | Par le trou | À 220-3 | VT10200 | Schottky | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 200 V | 5A | 1,6 V @ 5 A | 150 µA @ 200 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||
AZ23C8V2-G3-08 | 0,0483 | ![]() | 3770 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Az23-g | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | Az23c8v2 | 300 MW | SOT-23-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 15 000 | 1 paire Commune d'anode | 100 na @ 6 V | 8.2 V | 7 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SL43HE3_B / H | 0,4125 | ![]() | 8702 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AB, SMC | SL43 | Schottky | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 30 V | 470 MV @ 8 A | 500 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 8a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mb10h90he3_a / p | - | ![]() | 8509 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Obsolète | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MB10H90 | Schottky | À 263ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 90 V | 770 MV @ 10 A | 4,5 µA à 90 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 10A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-MBR1545CT-1-M3 | 0,6773 | ![]() | 4924 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tube | Actif | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | MBR1545 | Schottky | À 262-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 45 V | 7.5a | 570 MV @ 7,5 A | 100 µA @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ss12p4chm3 / 86a | - | ![]() | 7803 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | ESMP® | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | À 277, 3-Powerdfn | SS12P4 | Schottky | À 277a (SMPC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 40 V | 6A | 520 MV @ 6 A | 500 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||
MMBZ5252B-HE3-18 | - | ![]() | 7720 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5252 | 225 MW | SOT-23-3 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 100 na @ 18 V | 24 V | 33 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
200hfr120pv | - | ![]() | 5330 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | En gros | Obsolète | Soutien | DO-205AC, DO-30, Stud | 200hfr120 | Standard | DO-205AC (DO-30) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * 200hfr120pv | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1200 V | 1 45 V @ 628 A | 15 Ma @ 1200 V | -40 ° C ~ 180 ° C | 200A | - |
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